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[導讀] 意法半導體最新的900V MDmesh™ K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性。900V擊穿電壓確

 意法半導體最新的900V MDmesh™ K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性。

900V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100mΩ的900V MOSFET管,是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快,在需要寬輸入電壓的應用領域,實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電路、主動鉗位設計等各種反激式轉換器具有高能效和可靠性,覆蓋低至35W高至230W的額定功率范圍。此外,低輸入輸出電容(Ciss,Coss)可實現(xiàn)零電壓開關,使半橋LLC諧振轉換器的電能損耗最小化。

新器件的高安全系數(shù)和優(yōu)異的動態(tài)特性讓設計人員能夠提高各種產(chǎn)品的性能,例如服務器電源、三相開關式電源(SMPS)、LED照明電源、電動汽車(EV)充電器、太陽能板、焊接機、工業(yè)設備驅動系統(tǒng)和工廠自動化。

意法半導體MDmesh K5系列超結晶體管產(chǎn)品種類繁多,包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產(chǎn)品。再加上靈活的封裝選擇,包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長引腳、IPAK和I2PAK,以及D2PAK和DPAK表面功率封裝,意法半導體為設計人員提供豐富的超結超高電壓(VHV)MOSFET產(chǎn)品。

最新的900V MDmesh™ K5 MOSFET管即日上市,采用DPAK封裝的STD4N90K5。

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