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[導(dǎo)讀]近年來(lái)由于各項(xiàng)智能設(shè)備以及人工智能的應(yīng)用,人們對(duì)芯片計(jì)算能力的需求越來(lái)越大。芯片的運(yùn)算能力取決于基本運(yùn)算單元電晶體的多寡,但由于電晶體的研發(fā)已漸漸接近物理極限,無(wú)法再繼續(xù)縮小,因此科學(xué)家及各個(gè)科技大廠正在不斷研究下個(gè)能使芯片運(yùn)算速度提升的方法。


 

近年來(lái)由于各項(xiàng)智能設(shè)備以及人工智能的應(yīng)用,人們對(duì)芯片計(jì)算能力的需求越來(lái)越大。芯片的運(yùn)算能力取決于基本運(yùn)算單元電晶體的多寡,但由于電晶體的研發(fā)已漸漸接近物理極限,無(wú)法再繼續(xù)縮小,因此科學(xué)家及各個(gè)科技大廠正在不斷研究下個(gè)能使芯片運(yùn)算速度提升的方法。

其中一個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在追求的新興技術(shù)就是三維芯片,三維芯片利用高度的堆疊來(lái)整合不同的芯片,可以更有效利用空間、放入更多元件,增加運(yùn)算速度。

研究人員:新技術(shù)前景可期

麻省理工學(xué)院的研究員近期利用納米碳管和電阻式存儲(chǔ)器(RRAM)發(fā)展出新的三維芯片制造方法,目前已發(fā)布在期刊《Nature》上。有別于傳統(tǒng)以矽為基礎(chǔ)的芯片,這次芯片為納米碳管及 RRAM 組成,由于納米碳管電路及 RRAM 制作時(shí)只需攝氏 200 度,因此解決了傳統(tǒng)硅晶片制程時(shí)需要超過(guò)攝氏 1 千度高溫,會(huì)損壞三維芯片多層次結(jié)構(gòu)的問(wèn)題。

此外,納米碳管和 RRAM 的能源消耗效率也比傳統(tǒng)芯片元件佳。

該團(tuán)隊(duì)表示下一步將會(huì)與半導(dǎo)體公司合作開(kāi)發(fā)新版本的三維芯片,把感測(cè)功能及資料處理功能也加入單一芯片中。有專(zhuān)家表示,這項(xiàng)發(fā)明可能會(huì)是延續(xù)摩爾定律的重要關(guān)鍵,雖然可能還需要很長(zhǎng)時(shí)間的研究,不過(guò)前景可讓人期待的。

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