圖1是升壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器電路，它有一個(gè)眾所周知的問題：如果將升壓轉(zhuǎn)換器IC₁的輸入拉低來關(guān)斷升壓轉(zhuǎn)換器，外接電感L₁和正向偏置肖特基二極管D₁就可以讓負(fù)載繼續(xù)引出電流。對于電池供電的設(shè)備來說，這是一個(gè)沉重的負(fù)載（300 mA）。這種無用的直流電流路徑可能會很快耗盡電池電量。增加一個(gè)N溝道MOSFET Q₁和一個(gè)100 k電阻器R₁就可以在斷電時(shí)斷開無用的電流路徑，從而解決這個(gè)問題。這樣的電路適宜由微控制器處理電源管理問題的電池供電系統(tǒng)應(yīng)用。

　　在輸入端施加一個(gè)邏輯低電平可同時(shí)關(guān)斷開關(guān)轉(zhuǎn)換器MAX756，并關(guān)斷MOSFET，因此通過去除負(fù)載的對地連接而阻斷負(fù)載電流。當(dāng)信號被去掉以后，100 kΩ的上拉電阻器將MOSFET柵極電位拉高，使MOSFET導(dǎo)通。隨著接地的重新連接，負(fù)載又可以從工作的升壓轉(zhuǎn)換電路中獲得電流。

　　為了在大負(fù)載電流下獲得最佳結(jié)果， 要為Q₁選擇有適當(dāng)?shù)偷?strong>導(dǎo)通電阻的邏輯低電平MOSFET。MOSFET的漏源擊穿電壓也應(yīng)能承受至少兩倍的來自升壓轉(zhuǎn)換器的最大輸出電壓。必要時(shí)，可以將兩支以上MOSFET并聯(lián)，以降低MOSFET的有效導(dǎo)通電阻。