主板的供電一直是廠商和用戶關注的焦點，視線從供電相數(shù)開始向MOSFET器件轉移。這是因為隨著MOSFET技術的進展，大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET以及多芯片DrMOS開始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用戶的眼球。本文將對主板采用的MOSFET器件的封裝規(guī)格和封裝技術作簡要介紹。

MOSFET芯片制作完成后，需要封裝才可以使用。所謂封裝就是給MOSFET芯片加一個外殼，這個外殼具有支撐、保護、冷卻的作用，同時還為芯片提供電氣連接和隔離，以便MOSFET器件與其它元件構成完整的電路。

芯片的材料、工藝是MOSFET性能品質的決定性因素，MOSFET廠商自然注重芯片內核結構、密度以及工藝的改進，以提高MOSFET的性能。這些技術改進將付出很高的成本。

MOSFET的封裝形式

封裝技術也直接影響到芯片的性能和品質，對同樣的芯片以不同形式的封裝，也能提高芯片的性能。所以芯片的封裝技術是非常重要的。

以安裝在PCB的方式區(qū)分，功率MOSFET的封裝形式有插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)二大類。插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔焊接在PCB上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。

常見的直插式封裝如雙列直插式封裝(DIP)，晶體管外形封裝(TO)，插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)等。

典型的表面貼裝式如晶體管外形封裝(D-PAK)，小外形晶體管封裝(SOT)，小外形封裝(SOP)，方形扁平封裝(QFP)，塑封有引線芯片載體(PLCC)等等。

電腦主板一般不采用直插式封裝的MOSFET，本文不討論直插式封裝的MOSFET。

一般來說，“芯片封裝”有2層含義，一個是封裝外形規(guī)格，一個是封裝技術。對于封裝外形規(guī)格來說，國際上有芯片封裝標準，規(guī)定了統(tǒng)一的封裝形狀和尺寸。封裝技術是芯片廠商采用的封裝材料和技術工藝，各芯片廠商都有各自的技術，并為自己的技術注冊商標名稱，所以有些封裝技術的商標名稱不同，但其技術形式基本相同。我們先從標準的封裝外形規(guī)格說起。

標準封裝規(guī)格TO封裝

TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大，TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。

TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK，TO-263又稱之為D2PAK。

D-PAK封裝的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極(D)焊盤較大。

SOT封裝

SOT(Small Out-Line Transistor)小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率MOSFET。常見的規(guī)格如上。

主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。

SOP封裝

SOP(Small Out-Line Package)的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，叫SO(Small Out-Line )。

SO-8采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。

SO-8是PHILIP公司首先開發(fā)的，以后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、 SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標準規(guī)格。

這些派生的幾種封裝規(guī)格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。

QFN-56封裝

QFN(Quad Flat Non-leaded package)是表面貼裝型封裝之一，中文叫做四邊無引線扁平封裝，是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術。現(xiàn)在多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。這種封裝也稱為LCC、PCLC、P-LCC等。QFN本來用于集成電路的封裝，MOSFET不會采用的。Intel提出的整合驅動與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝，56是指在芯片背面有56個連接Pin。