MOSFET是一種在模擬電路和數字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動，將較小的信號放大成為幅值較高的電信號。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時，這兩者有什么區(qū)別呢?

MOSFET和三極管，在ON狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?

三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。

MOS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當于三極管的飽和區(qū))，與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅動電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。

電流可以雙向流過MOSFET的D和S，正是MOSFET這個突出的優(yōu)點，讓同步整流中沒有DCM的概念，能量可以從輸入傳遞到輸出，也可以從輸出返還給輸入。能實現能量雙向流動。

接下來我們往深入一點來進行討論，第一點、MOS的D和S既然可以互換，那為什么又定義DS呢?

對于IC內部的MOS管，制造時肯定是完全對稱的，定義D和S的目的是為了討論電流流向和計算的時候方便。

第二點、既然定義D和S，它們到底有何區(qū)別呢?

對于功率MOS，有時候會因為特殊的應用，比如耐壓或者別的目的，在NMOS的D端做一個輕摻雜區(qū)耐壓，此時D,S會有不同。

第三點、D和S互換之后，MOS表現出來的特性，跟原來有何不同呢?比如Vth、彌勒效應、寄生電容、導通電阻、擊穿電壓Vds。

DS互換后，當Vgs=0時，只要Vds>0.7V管子也可以導通,而換之前不能。當Vgs>Vth時，反型層溝道已形成，互換后兩者特性相同。

D和S的確定

我們只是說電流可以從D--to--S ，也可以從S----to---D。但是并不意味著：D和S 這兩個端子的名字可以互換。

DS溝道的寬度是靠GS電壓控制的。當G固定了，誰是S就唯一確定了。

如果將上面確定為S端的，認為是D。

將原來是D的認為是S ，并且給G和這個S施加電壓，結果溝道并不變化，仍然是關閉的。

當Vgs沒有到達Vth之前，通過驅動電阻R對Cgs充電，這個階段的模型就是簡單的RC充電過程。

當Vgs充到Vth之后，DS導電溝道開始開啟，Vd開始劇烈下降。按照I=C*dV/dt,寄生電容Cgd有電流流過 方向：G-->D。按照G接點KCL Igd電流將分流IR，大部分驅動電流轉向Igd，留下小部分繼續(xù)流到Cgs。因此，Vgs出現較平坦變化的一小段。這就是miler平臺。

本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下，MOSFET和三極管的區(qū)別。并對其中的一些細節(jié)進行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過本篇文章之后能對著兩種晶體管在ON狀態(tài)下的區(qū)別的有所了解。