板子是s3c2440，使用兩片容量為32MB、位寬16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量為64M、32bit的SDRAM存儲(chǔ)器。根據(jù)2410datasheet，要使用SDRAM需配置13個(gè)寄存器，以下逐個(gè)來(lái)看：

1、 BWSCON：Bus width & wait status control register總線位寬和等待狀態(tài)控制寄存器。

此寄存器用于配置BANK0 – BANK7的位寬和狀態(tài)控制，每個(gè)BANK用4位來(lái)配置，分別是：

● ST(啟動(dòng)/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳。對(duì)于SDRAM，此位置0;對(duì)于SRAM，此位置1)

● WS(是否使用存儲(chǔ)器的WAIT信號(hào)，通常置0為不使用)

● DW(兩位，設(shè)置位寬。此板子的SDRAM是32位，故將DW6設(shè)為10)

特殊的是bit[2:1]，即DW0，設(shè)置BANK0的位寬，又板上的跳線決定，只讀的。我這板子BWSCON可設(shè)置為0x22111110。其實(shí)只需將BANK6對(duì)應(yīng)的4位設(shè)為0010即可。

2、 BANKCON0 – BANKCON7

用來(lái)分別配置8個(gè)BANK的時(shí)序等參數(shù)。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的(內(nèi)存只能映射到這兩個(gè)BANK，具體映射多大的空間，可用BANKSIZE寄存器設(shè)置)，所以只需參照SDRAM芯片的datasheet配置好BANK6和BANK7，BANKCON0 – BANKCON5使用默認(rèn)值0x00000700即可。

對(duì)于BANKCON6和BANKCON7中的各個(gè)位的描述：

(1)MT(bit[16:15])：設(shè)置本BANK映射的物理內(nèi)存是SRAM還是SDRAM，后面的低位就根據(jù)此MT的選擇而分開(kāi)設(shè)置。本板子應(yīng)置0b11，所以只需要再設(shè)置下面兩個(gè)參數(shù)

(2)Trcd(bit[3:2])：RAS to CAS delay(00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks)，推2410手冊(cè)上的薦值是0b01。我們PC的BIOS里也可以調(diào)節(jié)的，應(yīng)該玩過(guò)吧。

(3)SCAN(bit[1:0])：Column address number(00 = 8-bit，01 = 9-bit，10= 10-bit)，SDRAM列地址位數(shù)。查閱HY57V561620CT-H芯片手冊(cè)得知此值是9，所以SCAN=0b01。

綜合以上各值，BANKCON6 – 7設(shè)為0x00018005。

3、 REFRESH：刷新控制寄存器。

此寄存器的bit[23:11]可參考默認(rèn)值，或自己根據(jù)經(jīng)驗(yàn)修改，這里用0x008e0000，關(guān)鍵是最后的Refresh Counter(簡(jiǎn)稱R_CNT，bit[10:0])的設(shè)置，2410手冊(cè)上給出了公式計(jì)算方法。SDRAM手冊(cè)上“8192 refresh cycles / 64ms”的描述，得到刷新周期為64ms/8192=7.8125us，結(jié)合公式，R_CNT=2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955。所以可得REFRESH=0x008e0000+1995=0x008e07a3。

4、 BANKSIZE：設(shè)置SDRAM的一些參數(shù)。其中BK76MAP(bit[2:0])配置BANK6/7映射的大小，可設(shè)置為010 = 128MB/128MB或001 = 64MB/64MB，只要比實(shí)際RAM大都行，因?yàn)閎ootloader和linux內(nèi)核都可以檢測(cè)可用空間的。BANKSIZE=0x000000b2。

5、 MRSRB6、MRSRB7：Mode register set register bank6/7

可以修改的只有CL[6:4](CAS latency，000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks)，其他的全部是固定的(fixed)，故值為0x00000030。這個(gè)CAS在BIOS中應(yīng)該也設(shè)置過(guò)吧，對(duì)PC的速度提升很明顯哦J

至此，13個(gè)寄存器全部配置好了，下面就可以把代碼復(fù)制到SDRAM中執(zhí)行了，同樣的程序速度要比片內(nèi)SRAM運(yùn)行的慢不少。