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[導(dǎo)讀]場效應(yīng)管(FET)以其高輸入電阻、低噪、熱穩(wěn)定、便于集成的優(yōu)點(diǎn)在電子電路以及大電流、大電壓電路中應(yīng)用十分普遍;正確使用、判別場效應(yīng)管的管腳、極性十分必要;同三極管一樣,

場效應(yīng)管(FET)以其高輸入電阻、低噪、熱穩(wěn)定、便于集成的優(yōu)點(diǎn)在電子電路以及大電流、大電壓電路中應(yīng)用十分普遍;正確使用、判別場效應(yīng)管的管腳、極性十分必要;

同三極管一樣,要熟練判別場效應(yīng)管的管腳、極性必須先了解一下其結(jié)構(gòu)、原理;

場效應(yīng)管的管腳有柵極G、漏極D、源極S三個電極(雙柵極管具有四個電極);

場效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)分結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)、絕緣柵場效應(yīng)管(MOS),絕緣柵場效應(yīng)管又分增強(qiáng)型和耗盡型;結(jié)型場效應(yīng)管的“結(jié)”指的是pn結(jié),絕緣柵場效應(yīng)管的絕緣柵指的是柵極與源極、漏極之間有一層sio2絕緣層,它們之間沒有導(dǎo)通連接關(guān)系。

按導(dǎo)電溝道性質(zhì),結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管又分電子型(n)溝道、空穴型(p)溝道,這是場效應(yīng)管導(dǎo)電的通道;

場效應(yīng)管屬于單極性晶體管,三極管屬于雙極性晶體管,也即前者僅僅由一種載流子導(dǎo)電,后者是由兩種載流子導(dǎo)電;

場效應(yīng)管屬于壓控型晶體管,通過柵極與源極之間的電壓的變化,來改變溝道的導(dǎo)電能力;三極管屬于電流控制型晶體管,通過電流的變化改變集電極電流大小。

結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu):

 

 

從結(jié)構(gòu)上可以看出結(jié)型場效應(yīng)管有以下特點(diǎn):

1.漏極D和源極S之間的半導(dǎo)體類型是相同的,也即同是p型或n型半導(dǎo)體,它們之間的正反向電阻是相等的,并且阻值比較小;

2.柵極G連接半導(dǎo)體類型與漏極D、源極S連接的半導(dǎo)體類型總是不同的;

3.柵極G與漏極、源極之間有pn結(jié),pn結(jié)的正向電阻小,反向電阻大;

結(jié)型場效應(yīng)管工作原理:在柵極與源極上加上反向電壓后,pn結(jié)厚度會發(fā)生變化,從而改變了導(dǎo)電溝道的導(dǎo)電能力;

 

 

 

 

 

 

1.柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣,它們之間的電阻無限大;

2.沒有外加電壓時漏極與源極之間不導(dǎo)通;

增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱襯底),漏極連接的為N半導(dǎo)體,襯底與源極連在一起,故P型襯底與漏極N型半導(dǎo)體會形成二極管,稱為寄生二極管;因此漏極和源極之間的反向電阻很小。

增強(qiáng)型MOS管工作原理:在柵極與源極之間加上正向電壓后,達(dá)到一定值后就會形成導(dǎo)電溝道,改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力;

耗盡型MOS管從結(jié)構(gòu)上看

1.柵極與漏極、源極絕緣,它們之間的電阻無限大;

2.漏極與源極之間能夠?qū)ǎ瑴系涝谥圃鞎r就已形成;

在柵極與源極之間加上反向向電壓后,改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力;

檢測方法

一、結(jié)型場效應(yīng)管

結(jié)型場效應(yīng)管的漏極和源極在制造工藝上是對稱的,故兩極可以互換,不影響正常工作;只需要判別柵極和溝道類型

將萬用表撥至R×100Ω檔,測量場效應(yīng)管任意兩個極之間的電阻,正反各一次,有以下幾種情況

1.若兩次測的的阻值相同或相近,則這兩極是漏極D、源極S,剩下的就是柵極;然后紅筆不動,黑筆接觸柵極,若阻值較大則測得的為pn節(jié)反向電阻,黑筆接的是n,紅筆接的是p,所以該管子為p溝道,反之就是n溝道;

2.若兩次測得的是一大一小,表明其中一個就是柵極,另一個就是漏極或源極。以阻值小的那一次為準(zhǔn),紅筆不動,黑筆接另一個極,如果阻值小,并且與黑筆換極前測得的阻值相等或相近,則紅筆接的是柵極,且該管子為p溝道;如果測得的阻值與黑筆換極前測得的阻值有較大差距,則黑筆換極前接的是柵極,該管子為n溝道場效應(yīng)管;

或者直接任意測量兩極之間的正反向電阻,遇到第一種情況,即可判別柵極,這種比較簡單。

有興趣的朋友可以試測一下3DJ6結(jié)型場效應(yīng)管,該管子為電子型導(dǎo)電溝道;

 

 

NMOS增強(qiáng)型管‘

1.電極檢測

正常的增強(qiáng)型NMOS管的柵極與漏極、源極之間均無法導(dǎo)通,它們的正反向電阻均無窮大,在G極無電壓時,DS之間無溝道形成,但由于漏極源極之間存在一個反向寄生二極管,故漏極源極之間的反向電阻較小;

選擇R×1kΩ,測量各腳之間的正反向電阻;

當(dāng)出現(xiàn)一次阻值較小時,紅筆接的是漏極,黑筆接的是源極,余下的引腳就是柵極

NMOS耗盡型管

基本過程同上,源極、漏極能夠?qū)?,但由于反向寄生二極管的存在,兩次的電阻是有差異的。

有興趣的朋友可以測試一下2N60C絕緣柵場效應(yīng)管,該管子為增強(qiáng)型,電子型溝道。

場效應(yīng)管的極性判別

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