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[導(dǎo)讀]一個(gè)簡(jiǎn)單的方案保護(hù)汽車(chē)用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器承受瞬間50V電壓。 工程師經(jīng)常要面對(duì)電壓穩(wěn)壓器遭遇高于輸入供電范圍的瞬間高壓后,替換穩(wěn)壓器的困難。這個(gè)情形通常在汽車(chē)應(yīng)用中,

一個(gè)簡(jiǎn)單的方案保護(hù)汽車(chē)用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器承受瞬間50V電壓。

工程師經(jīng)常要面對(duì)電壓穩(wěn)壓器遭遇高于輸入供電范圍的瞬間高壓后,替換穩(wěn)壓器的困難。這個(gè)情形通常在汽車(chē)應(yīng)用中,高壓交流發(fā)電機(jī)負(fù)載泵瞬變可以產(chǎn)生36到75V的電壓,持續(xù)長(zhǎng)達(dá)400ms。設(shè)計(jì)人員必須在能經(jīng)受住這樣大限度輸入電壓的穩(wěn)壓器或使用輸入保護(hù)方案之間做出選擇。本設(shè)計(jì)方案的簡(jiǎn)單電路提供了利用20V 3MHz穩(wěn)壓器的低成本高效率方法,鉗位電池輸入端出現(xiàn)瞬間高達(dá)50V的電壓。用這個(gè)電路,設(shè)計(jì)以相對(duì)的低費(fèi)用實(shí)現(xiàn)小型全焊盤(pán),因?yàn)殡S同更低壓的器件一起的3MHz工作必須能夠承受50V電壓。

輸入保護(hù)器件由Q1、R1、D1、C5和D2的一半組成(圖1)。上電時(shí),N溝道MOSFET的Q1源極處于地電壓,當(dāng)R1將電池電壓供到門(mén)極時(shí),Q1打開(kāi)。一旦輸入電壓大于IC1的最小2.74V,LM2734Z穩(wěn)壓器開(kāi)始工作,其通過(guò)D3、D4和CB組成的自舉電路充電。然后,D3近似VOUT–VFD(前項(xiàng)壓降)的這個(gè)自舉電壓傳輸?shù)絈1的門(mén)源極。電容C5在自舉二極管關(guān)閉的時(shí)間內(nèi),維持門(mén)極驅(qū)動(dòng)。

在正常工作的條件下,例如,電池電壓為8到18V,D1不能限制Q1的傳導(dǎo),門(mén)極電壓跟蹤到高于輸入供電電壓幾乎2.5V,低電壓從電池電壓下降到LM2734Z的輸入電壓。然而,當(dāng)輸入電壓增加到D1設(shè)置的門(mén)限以上時(shí),輸入電壓到LM2734Z穩(wěn)壓器的D1 zener電壓,減去Q1的門(mén)限電壓,或幾乎20–2V=18V,正好低于LM2734Z 的絕對(duì)最大值24V。選擇Q1需要仔細(xì)考慮穩(wěn)態(tài)和熱瞬時(shí)條件下的最大輸入電壓、門(mén)源極電壓限和功耗。

Q1 SI1470DN N溝道MOSFET用30V+20V(zener二極管D1電壓)漏源極電壓(VDS)提供了50V的保護(hù),在2.5V門(mén)源極電壓處有95mΩ的阻抗,來(lái)自高熱效的SC70-6封裝。對(duì)一般應(yīng)用,穩(wěn)壓器的輸出電壓不足以完全打開(kāi)挑選的保護(hù)MOSFET,所以可以增加帶隔離zener 參考的自舉電壓,LM2734Z的數(shù)據(jù)手冊(cè)見(jiàn)參考文獻(xiàn)1。

作者:Kevin Daugherty, National Semiconductor, Novi, MI

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