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[導讀]隨著社會的不斷進步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計,功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。2015年3月20日,德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。

隨著社會的不斷進步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計,功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。2015年3月20日,德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。

某碳化硅器件

在此背景下,松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定,兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止,沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合,雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。

作為新一代化合物半導體技術(shù),硅基板GaN技術(shù)備受關(guān)注。一方面,它可以實現(xiàn)很高的功率密度,從而縮小設(shè)備的外形尺寸(如電源和適配器);另一方面,它是提高能效的關(guān)鍵。一般而言,基于硅基板GaN技術(shù)的功率器件適用于各種領(lǐng)域,從高壓工業(yè)設(shè)備,如服務(wù)器電源(這也是600V GaN器件的潛在應(yīng)用領(lǐng)域之一),到低壓設(shè)備,如直流-直流轉(zhuǎn)換器(如在高端消費電子產(chǎn)品中)。

IHS發(fā)布的市場研究報告顯示,與硅基板GaN技術(shù)相關(guān)的功率半導體市場,將以高達50%以上的復合年增長率(CAGR)增長,也就是說,到2023年,其市場容量將從2014年的1500萬美元,增至8億美元。技術(shù)的不斷發(fā)展,也推動了功率器件的不斷更新,這也需要我們年輕的科研人員更加努力,學好專業(yè)知識,這樣才能趕得上社會的發(fā)展。

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