
韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的
《International Business Times》報導,受到蘋果(AAPL-US) iPhone 對于 LCD 螢?zāi)坏拇罅啃枨筇嵴?,日本夏?6753-JP)擬增加智慧型手機 LCD 面板產(chǎn)量?!度战?jīng)新聞》報導,夏普將提振投資 1000 億日元或 12 億美元至新
東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費者對于智能手機、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動著NAND閃存的全球需求總量進
本報北京訊 (記者劉新宇)近幾年在中國市場表現(xiàn)欠佳的東芝電視正在謀劃“卷土重來”。東芝數(shù)字產(chǎn)品及服務(wù)公司總裁大角正明日前在接受本報記者采訪時透露,東芝將在未來兩年內(nèi)大幅增加在華的專賣店數(shù)量,東芝電視在
2011年7月12日,日本三重縣四日市 —— 東芝株式會社 (TOKYO:6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ:SNDK) 今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
東芝周三(713)宣布與韓國海力士半導體(HynixSemiconductor)合作研發(fā)磁電阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù),今后將在韓國利川的海力士研究設(shè)施中集結(jié)雙方技術(shù)人才,積極推動此合作計劃。MRAM是一種低耗電、讀寫速度快
據(jù)業(yè)內(nèi)媒體提供的最新消息顯示,韓國電子三星公司旗下半導體工廠Line-16預(yù)計將于今年9月份正式投產(chǎn)。其實早在2010年5月三星就已經(jīng)舉行了新內(nèi)存芯片制造廠Line-16的動土典禮,據(jù)悉該廠總造價約為12兆韓元(約50億美元)
竣工儀式的剪彩儀式(點擊放大) 在竣工宴會上致辭的東芝佐佐木(點擊放大) 東芝宣布,該公司在四日市工廠(三重縣四日市市)內(nèi)建設(shè)的NAND閃存新制造廠房“Fab5”已經(jīng)竣工并投產(chǎn)。該廠房將成為24nm工藝以后的
據(jù)業(yè)內(nèi)媒體提供的最新消息顯示,韓國電子三星公司旗下半導體工廠Line-16預(yù)計將于今年9月份正式投產(chǎn)。其實早在2010年5月三星就已經(jīng)舉行了新內(nèi)存芯片制造廠Line-16的動土典禮,據(jù)悉該廠總造價約為12兆韓元(約50億美元)
據(jù)國外媒體報道,日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠,以應(yīng)對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導體,工廠名稱為“Fab 5”。 這
東芝株式會社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費者對于智能手機、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動著NAND閃存的全球需求總量進
東芝周二稱,今年第二季度中閃存芯片的需求量不及預(yù)期,主要由于平板電腦及其他消費電子設(shè)備的銷售表現(xiàn)疲弱。但東芝高管同時指出,在今年剩余時間里,圣誕節(jié)購物季節(jié)以前的閃存芯片需求都將表現(xiàn)強勁。東芝內(nèi)存芯片業(yè)
(無忌)北京時間7月13日消息,據(jù)國外媒體報道,全球第二大內(nèi)存芯片制造商海力士和東芝周三聯(lián)合宣布,兩家公司將聯(lián)合開發(fā)磁阻隨機存儲器(MRAM)產(chǎn)品。 東芝與海力士共同簽署的聲明稱,一旦MRAM的技術(shù)開發(fā)完成,
新浪科技訊 7月14日上午消息,臺灣電腦廠商仁寶昨日公告稱,將買下東芝位于墨西哥的液晶電視組裝廠,預(yù)計第三季度完成產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)。此舉有助仁寶擴大爭取東芝和其他日本電視品牌廠的訂單,但可能沖擊另一家代工廠緯創(chuàng)
連于慧 NAND Flash大廠東芝(Toshiba)和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk) 于日本三重縣四日市合資新12吋晶圓廠Fab 5,此座新廠是采用2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑,共達5層樓,建筑面積約38,000平方米,使用面積約187,000平方米
東芝株式會社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費者對于智能手機、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動著NAND閃存的全球需求總量進
Toshiba東芝株式會社(TOKYO:6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ:SNDK) 共同慶祝,位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm(12寸)晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費者對于智慧手機、平板電腦和其他電子設(shè)備
(中濤)北京時間7月12日消息,據(jù)路透社報道,東芝總裁佐佐木則夫(Norio Sasaki)近日表示,東芝希望不久超過韓國三星電子,進而成為全球第一大閃存(flash memory)產(chǎn)品制造商。 佐佐木則夫在視察日本一家新建芯片
21ic訊 東芝株式會社與SanDisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費者對于智能手機、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動著NAND閃存的全球需求
北京時間7月13日凌晨消息,東芝周二稱,今年第二季度中閃存芯片的需求量不及預(yù)期,主要由于平板電腦及其他消費電子設(shè)備的銷售表現(xiàn)疲弱。但東芝高管同時指出,在今年剩余時間里,圣誕節(jié)購物季節(jié)以前的閃存芯片需求都將