
21ic訊 東芝公司宣布將推出支持DisplayPort™1.2(5.4Gbps)和1.1a(2.7Gbps)數(shù)字顯示接口的單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)集成電路。“TC7DP612MT”針對(duì)ATX主板外形因素設(shè)
采用新一代TaRF5工藝打造,插入損耗堪稱業(yè)界最低,尺寸堪稱業(yè)界最小21ic訊 東芝公司宣布開(kāi)發(fā)出一種帶MIPI®RFFE[2]接口的SP10T[1]射頻天線開(kāi)關(guān),其插入損耗[3]堪稱智能手機(jī)市場(chǎng)業(yè)界最低[4],尺寸堪稱業(yè)界最小。該
21ic訊 東芝公司今天宣布推出高電流光控繼電器“TLP241A”和“TLP241AF”,它們也成為該公司采用DIP4封裝的“TLP240”產(chǎn)品系列中的最新成員
-東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出“T4K35”,這是一款1.12微米800萬(wàn)像素BSI[1] CMOS圖像傳感器,具有彩色降噪功能(CNR)。11月15日將啟動(dòng)批量生產(chǎn)出貨。該產(chǎn)品集成一個(gè)CNR電路,同
據(jù)外媒報(bào)道,東芝已經(jīng)開(kāi)始出售硅基氮化鎵白光LED封裝產(chǎn)品,期待利用成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)替代目前市面上的LED器件。LED芯片通常是在昂貴的藍(lán)寶石襯底上制作2英寸或4英寸的晶圓。東芝與普瑞公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種更低成本的制程—
東芝公司(ToshibaCorporation)宣布推出第二代采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝打造的白色LED產(chǎn)品?!癟L1F2系列”是在200mm硅晶圓上使GaN結(jié)晶生長(zhǎng)制造而成。新產(chǎn)品計(jì)劃于2013年11月投入量產(chǎn)。此前,東芝于2012年12月
元器件交易網(wǎng)訊 11月8日消息,據(jù)外媒 Electronicsweekly報(bào)道,東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)為其TX03系列ARM Cortex™-M3內(nèi)核微控制器陣容中新增“TMPM384FDFG”成員;公司宣布,此新品將于11
金士頓與群聯(lián)(8299)合資的金士頓電子又找到了新勢(shì)力進(jìn)駐,雙方?jīng)Q議將等比例釋出手中持股,引進(jìn)第3大股東日本東芝半導(dǎo)體,以利長(zhǎng)期營(yíng)運(yùn)發(fā)展、降低在NANDFlash市場(chǎng)的經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)、取得穩(wěn)定貨源,并提升未來(lái)經(jīng)營(yíng)績(jī)效。金
轉(zhuǎn)自eettaiwan的消息,根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示, 2013年第三季 NAND Flash 價(jià)格漲幅不若第二季明顯,但由于下半年 NAND Flash 供應(yīng)商產(chǎn)出成長(zhǎng)依舊相當(dāng)有限,加上智
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出可支持兩條高速數(shù)據(jù)傳輸線路的小尺寸靜電保護(hù)二極管“DF4D7M2G”。批量生產(chǎn)將于12月開(kāi)始。靜電保護(hù)二極管旨在
東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e?MMCTM [1]標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z
日本電子廠商的業(yè)績(jī)似乎迎來(lái)了觸底反彈。松下于10月31日將2013財(cái)年(截至2014年3月)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)至2700億日元(比上一財(cái)年增長(zhǎng)68%)、最終盈利上調(diào)至1000億日元(上一財(cái)年為虧損7542億日元)。這是因?yàn)榉侵髁I(yè)
訊:資料中心(Data Center)將成驅(qū)動(dòng)記憶體業(yè)成長(zhǎng)的新動(dòng)能。隨著云端服務(wù)崛起,全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發(fā)展;目前這兩類資料中心占整體資料中心的資本支出比重已達(dá)六成,且未來(lái)仍將
周轉(zhuǎn)時(shí)間短的FFSA™FFSA™可通過(guò)定制少數(shù)金屬掩膜層配置。從RTL切換到樣品交付,F(xiàn)FSA™最小可提供五周的周轉(zhuǎn)時(shí)間。東芝獲獨(dú)家授權(quán)使用Baysand技術(shù),可通過(guò)定
21ic訊 東芝公司今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e・MMCTM [1]標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)
FFSA™可通過(guò)定制少數(shù)金屬掩膜層配置。從RTL切換到樣品交付,F(xiàn)FSA™最小可提供五周的周轉(zhuǎn)時(shí)間。東芝獲獨(dú)家授權(quán)使用Baysand技術(shù),可通過(guò)定制少數(shù)金屬掩膜層,生產(chǎn)出功能豐富,性能高且功耗低的FFSA™。
訊:東芝2013年10月30日發(fā)布了2013財(cái)年上半年(2013年4~9月)的合并財(cái)報(bào)。銷售額同比增加13%,為30392億日元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增加54%,為1056億日元,實(shí)現(xiàn)大幅增益。其中,NAND閃存所屬的電子元器件部門業(yè)績(jī)尤
28日,日本東芝公司宣布將把生產(chǎn)面向歐洲市場(chǎng)的中大型液晶電視的波蘭工廠的運(yùn)營(yíng)公司出售給臺(tái)灣電器委托生產(chǎn)企業(yè)(EMS)“仁寶”。轉(zhuǎn)讓計(jì)劃預(yù)計(jì)將于明年第一季度完成,出售金額約為2500萬(wàn)美元。報(bào)道稱,工廠內(nèi)
東芝2013年10月30日發(fā)布了2013財(cái)年上半年(2013年4~9月)的合并財(cái)報(bào)。銷售額同比增加13%,為30392億日元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增加54%,為1056億日元,實(shí)現(xiàn)大幅增益。其中,NAND閃存所屬的電子元器件部門業(yè)績(jī)尤其出色,“
21ic訊 東芝公司宣布,該公司已經(jīng)為多功能一體機(jī)和打印機(jī)等設(shè)備的電機(jī)控制應(yīng)用推出了基于ARM Cortex™-M4F內(nèi)核的新TX04系列微控制器:“TMPM462F15FG”、“TMPM462F10FG”、“TMPM46