
上周,日本突然宣布對(duì)韓國(guó)進(jìn)行出口制裁,涉及包括光刻膠、氟化氫在內(nèi)的半導(dǎo)體芯片、OLED面板重要原料。 沒(méi)想到,在上峰斡旋尋求解決的時(shí)候,韓國(guó)的零售商們先不淡定了,就這幾天時(shí)間,三星的DDR4 PC4-
2016年Q2季度開(kāi)始,全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)開(kāi)始了大漲價(jià)的牛市周期,當(dāng)時(shí)8GB單條199元的史低價(jià)格很快成為歷史,2017年底的時(shí)候內(nèi)存價(jià)格達(dá)到了巔峰,8GB單條一度逼近1000元大關(guān),下游市場(chǎng)苦不堪言,三星
最近因?yàn)槿A為被制裁、東芝工廠停電以及日本制裁韓國(guó),導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)蠢蠢欲動(dòng),其中閃存及SSD硬盤廠商已經(jīng)有開(kāi)始大膽調(diào)價(jià)的了,內(nèi)存廠商這邊也指望著年底價(jià)格反彈。不過(guò)從今年的趨勢(shì)來(lái)看,內(nèi)存價(jià)格觸底反彈并不
所謂動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配(Dynamic Memory Allocation)就是指在程序執(zhí)行的過(guò)程中動(dòng)態(tài)地分配或者回收存儲(chǔ)空間的分配內(nèi)存的方法。動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配不像數(shù)組等靜態(tài)內(nèi)存分配方法那樣需要預(yù)先分配存儲(chǔ)空間,而是由系統(tǒng)根據(jù)程序的需要即時(shí)分配,且分配的大小就是程序要求的大小。
看好IoT以及5G世代的大容量需求,宜鼎率先推出32GB工業(yè)級(jí)系列內(nèi)存 隨著AI以及5G的快速發(fā)展,聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對(duì)于邊緣運(yùn)算的高速與高容量需求已經(jīng)浮現(xiàn)。宜鼎國(guó)際推出全新的32G系列內(nèi)存,為未來(lái)AIoT架構(gòu)提早布局,率先提供支
6月30日消息 在本周早些時(shí)候與投資者和金融分析師召開(kāi)的收益電話會(huì)議上,美光對(duì)其長(zhǎng)期未來(lái)及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心,該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃,并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。美光表示,“我們相信,
隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái),海量的數(shù)據(jù)蜂擁而至。特別是各種應(yīng)用終端和邊緣側(cè)需要處理的數(shù)據(jù)越來(lái)越多,而且對(duì)處理器的穩(wěn)定性,以及功耗提出了越來(lái)越高的要求,這樣,傳統(tǒng)的計(jì)算體系和架構(gòu)的短板就顯得愈加突出,未來(lái),具有更高效率和更低功耗的計(jì)算系統(tǒng)一定會(huì)大行其道。
6月30日晚間,紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱,決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群,全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。根據(jù)通知,紫光集團(tuán)委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng),委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。對(duì)于紫光
作為內(nèi)存行業(yè)的老大,三星正在遭受著雙重打擊。日本政府已經(jīng)從本月開(kāi)始對(duì)韓國(guó)實(shí)行限購(gòu),聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫(Eatching Gas
據(jù)悉,日本本月初開(kāi)始管制對(duì)韓國(guó)出口的氟聚酰亞胺、光刻膠及氟化氫三種材料,連跌了3個(gè)季度的內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)開(kāi)始撲朔迷離,因?yàn)檫@三種材料中有兩種都會(huì)影響到半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn),韓國(guó)三星、SK海力士等公司都要依賴日本供應(yīng)。在這樣的情況下,如何確保公司的內(nèi)存、閃存芯片生產(chǎn)已經(jīng)成為三星的頭等大事。
業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值,但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外,數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前,新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向,蘭開(kāi)斯特大學(xué)(Lancaster U
在2017年Zen架構(gòu)處理器問(wèn)世之前,AMD的產(chǎn)品路線圖也經(jīng)歷過(guò)很多折騰,延期也是常態(tài),不過(guò)從銳龍Ryzen、EPYC霄龍上市開(kāi)始,現(xiàn)在的Zen架構(gòu)產(chǎn)品線路線圖穩(wěn)定多了,今年7nm Zen 2架構(gòu)的銳
專注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布,繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后,現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ),其前景被廣泛看好,In
據(jù)報(bào)道,三星關(guān)系人士透露,三星已在用來(lái)測(cè)試新材料的產(chǎn)線上投入日本以外廠商的氟化氫進(jìn)行質(zhì)量性能的測(cè)試。該關(guān)系人士雖未透露三星進(jìn)行測(cè)試的氟化氫廠商名稱,但據(jù)猜測(cè)應(yīng)該是來(lái)自中國(guó)的廠商。
關(guān)于AMD銳龍平臺(tái)的內(nèi)存一直是個(gè)很有趣也很復(fù)雜的問(wèn)題,頻率、延遲、兼容性等等都能講上半天。最新的三代銳龍又一次強(qiáng)化了內(nèi)存支持,最明顯的就是內(nèi)存頻率可以做得更高,突破5GHz也不是事兒。當(dāng)然對(duì)于普通用戶
最近內(nèi)存市場(chǎng)(閃存也一樣)出現(xiàn)了多種復(fù)雜因素,除了全球貿(mào)易這個(gè)大環(huán)境因素之外,還有內(nèi)存不斷跌價(jià)、日韓半導(dǎo)體材料糾紛等問(wèn)題,原本預(yù)期Q3季度內(nèi)存還會(huì)繼續(xù)跌15%的價(jià)格,但上周內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)了10個(gè)月來(lái)首次上漲。
黑客Mike Heskin爆料稱,經(jīng)確認(rèn),Switch Lite和New Switch在去年的5.0系統(tǒng)版本固件中就出現(xiàn)了,而且New Switch的運(yùn)行內(nèi)存提升為8GB LPDDR4X,不僅比現(xiàn)款容量翻番,而且也會(huì)更省電。
據(jù)悉,近日有報(bào)道稱韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68工廠和相應(yīng)的NAND閃存業(yè)務(wù),雙方已展開(kāi)談判。至于收購(gòu)的交易額,業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)大連廠本身可能要80億美元左右,再加上閃存業(yè)務(wù),至少也得100億美元,但以SK海力士目前的情況看,拿出這些錢不會(huì)太難。
去年7月,三星就宣布成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級(jí)工藝,單顆容量8Gb(1GB),去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會(huì)上,三星人士透露,LPDDR5內(nèi)存計(jì)劃202
銘瑄曾是DIY市場(chǎng)中的活躍品牌,旗下的產(chǎn)品也是得到各DIY用戶的認(rèn)可。2017年,銘瑄在內(nèi)存方面推出終結(jié)者Q3 DDR4內(nèi)存。而在2018年7月推出復(fù)仇者M(jìn)3 DDR4內(nèi)存,同時(shí)這也是到目前位置銘瑄旗下的最新款內(nèi)存條。所以,不妨跟著小編一起來(lái)簡(jiǎn)單了解下這款內(nèi)存。