
7年真的是閃存市場多災(zāi)多難的一年,各種天災(zāi)人禍造成了閃存顆粒價格飆升,從內(nèi)存到固態(tài)閃存芯片全都受到了沖擊,并且據(jù)消息稱上漲的勢頭將會持續(xù)到明年,那么單條8GBDDR4內(nèi)存的價格或超過1000元。在這個內(nèi)存每天都在
2012年2月3日,全球著名內(nèi)存生產(chǎn)廠商鎂光科技的CEO史蒂夫·阿普爾頓(Steve Appleton),在美國愛達荷州的波伊西(Boise)的一個航空展上,駕駛著一架Lancair IV-PT螺旋槳飛機,給觀眾們做表演。起飛后不久,飛
內(nèi)存價格的瘋狂大家都看在眼里,但是如果你指望能在短期內(nèi)看到降價,那就太天真了,能別漲太瘋就要燒高香了。
據(jù)IC Insights預(yù)測,2017年的IC市場增長率有望提高到22%,較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點,出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
內(nèi)存價格持續(xù)上漲,主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應(yīng)嚴重不足,而且整個2018年都不會緩和。
內(nèi)存市場包含NAND Flash、NOR及DRAM,分別都受到供給短缺,以及需求大幅成長的影響,導(dǎo)致內(nèi)存顆粒等料件價格暴漲。 不同內(nèi)存背后的市場供需變化,以及技術(shù)發(fā)展近況都是影響要素,同時,也影響著未來的價格走向。
據(jù)外媒報道,DRAMeXchange的最新報告指出,用于移動設(shè)備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%~15%。
隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
最近一段時間,全球各地內(nèi)存價格一路飆升,已經(jīng)創(chuàng)下了幾十年來的新高,但是存儲行業(yè)的另一個關(guān)鍵,SSD固態(tài)硬盤,行情卻開始收緊。
你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。
現(xiàn)在很多朋友比起電腦,更樂意玩手機,以至于內(nèi)存的大部分產(chǎn)能都轉(zhuǎn)移到手機業(yè)務(wù)去了,不過目前手機內(nèi)存也吃緊,所以電腦內(nèi)存就更不用說了,至于壟斷問題也不用多糾結(jié),畢竟內(nèi)存市場有幾家廠商在,產(chǎn)能有限,資源調(diào)給需求最大的市場無可厚非,作為用戶,只能建議大家近期都不要裝機了,老機子湊合著用吧。
臺中地檢署將內(nèi)存大廠美光科技公司離職員工、聯(lián)電公司依違反營業(yè)秘密法等罪起訴,曾擔(dān)任20多年資深檢察官的律師劉聰熙質(zhì)疑,本案地檢署偵查終結(jié)后延遲一個月起訴,與美光宣布投資日為同一天、主任檢察官在起訴隔日投書媒體稱贊告訴人 、貶抑被告,行為恐有不當(dāng),將影響本案的社會信賴程度。
自從收購SanDisk(閃迪)依賴,西部數(shù)據(jù)就開始“名正言順”地進入消費級固態(tài)存儲市場。與仍保持SanDisk品牌的移動存儲產(chǎn)品不同,SanDisk的SSD產(chǎn)品已經(jīng)改頭換面,成為西部數(shù)據(jù)品牌下的產(chǎn)品。如果說去年所推出的第一代Blue(藍盤)還有著深厚的SanDisk時代烙印,那么新一代產(chǎn)品則完全誕生于西部數(shù)據(jù)的體系,SanDisk已經(jīng)成為其產(chǎn)品的部分零部件供應(yīng)商。
北京時間9月12日早間消息,日本日刊工業(yè)新聞(Nikkan Kogyo)援引消息人士的話稱,東芝決定將內(nèi)存芯片部門作價2萬億日元(182.9億美元)出售給一個財團,該財團由西部數(shù)據(jù)主導(dǎo)。
《Nikkei Asian Review》報導(dǎo),東芝麻煩接連不斷,東芝內(nèi)存(TMC)出售案僵局未解,公司未來充滿不確定性,傳出競爭對手和獵頭公司積極挖角東芝優(yōu)秀工程師,如今已有不少員工出走,人才外流情況嚴重。
內(nèi)存下半年市況持續(xù)熱絡(luò),價格一路攀升,迫使產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)WSTS周一宣布再次上修2017全球半導(dǎo)體展望。
三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)礙于南韓新頒布的學(xué)生不得加班法令,滿手訂單卻陷入缺工困境,正急著大舉招募新人幫手。
DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
去年的Note 7炸機事件并未給三星造成太多創(chuàng)傷,伴隨著存儲芯片業(yè)務(wù)的搶強勁表現(xiàn),三星的利潤、營收在今年第二季度創(chuàng)下新高。 根據(jù)此前三星公布的Q2財報,今年4月-6月,三星