內(nèi)存

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內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算，當運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

在C語言開發(fā)中，指針內(nèi)存一直是重點，談?wù)劤绦騿T對內(nèi)存的理解

在C和C++語言開發(fā)中，指針、內(nèi)存一直是學(xué)習(xí)的重點。因為C語言作為一種偏底層的中低級語言，提供了大量的內(nèi)存直接操作的方法，這一方面使程序的靈活度最大化，同時也為bug埋下很多隱患。

嵌入式硬件
2018-06-22

C語言內(nèi)存存儲技術(shù) c++語言
STM32F4(USART+DMA+靜態(tài)內(nèi)存)

1，開發(fā)環(huán)境 1，適用芯片：STM32F4全部芯片 2，固件庫：STM32F4xx_DSP_StdPeriph_Lib_V1.8.0 3，IDE：MDK5172，驅(qū)動源碼 USART.h文件/*************************************************************

單片機
2018-06-21

dma 靜態(tài) usart 內(nèi)存
STM32F4(USART+DMA+動態(tài)內(nèi)存)

1，開發(fā)環(huán)境 1，適用芯片：STM32F4全部芯片 2，固件庫：STM32F4xx_DSP_StdPeriph_Lib_V1.8.0 3，IDE：MDK5172，驅(qū)動源碼 USART.h文件/*************************************************************

單片機
2018-06-21

dma 動態(tài) usart 內(nèi)存
三星悄悄啟動引入EUV光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 2020可量產(chǎn)

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。

嵌入式動態(tài)
2018-06-21

三星芯片廠商動態(tài) 內(nèi)存
MSP430F5438A 內(nèi)存Flash 讀寫操作

1、msp430的存儲結(jié)構(gòu)采用馮.依曼結(jié)構(gòu)，即RAM和Flash在同一個尋址空間內(nèi)統(tǒng)一編址，沒有代碼空間和數(shù)據(jù)空間之分。2、Flash是以段為為基本結(jié)構(gòu)進行存儲的。總體上分三部分：Flash主存儲區(qū)：用于存儲程序代

單片機
2018-06-20

Flash 操作 msp430f5438a 內(nèi)存
32G滿足不了！ 3D NAND拯救手機內(nèi)存不足

3D NAND是閃存領(lǐng)域的一個重大進步，可望釋放巨大的儲存容量成長潛力。其布置在硅基板上的內(nèi)存單元能夠被移動到第三維空間，也就是在各個分層上以垂直方式堆棧，并且透過傳播電荷的導(dǎo)線進行連接。

智能硬件
2018-06-14

nand 3d 內(nèi)存
16Gb顆粒64GB DDR4內(nèi)存三星首發(fā)量產(chǎn)，256GB緊隨其后

三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。

嵌入式動態(tài)
2018-06-13

三星云服務(wù) 廠商動態(tài) 內(nèi)存
三星雄踞半導(dǎo)體榜首內(nèi)存市場是最強推手

數(shù)據(jù)顯示，第一季度三星半導(dǎo)體部分的銷售額達到了186.07億美元，同比增長45%以上，在全球半導(dǎo)體市場總份額上占比達到了16.1%，是相當驚人的數(shù)字而英特爾的市場占比為13.6%，銷售額為157.45億美元。不過英特爾同比增長速度只有11.1%，沒有三星增長迅猛。

單片機
2018-06-12

半導(dǎo)體三星內(nèi)存
美光：內(nèi)存工藝短時間不需要用EUV光刻工藝

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會上回答了有關(guān)的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。

智能硬件
2018-06-07

美光 euv 光刻工藝內(nèi)存
在磁盤操作系統(tǒng)實模式下直接存取4GB內(nèi)存分析

作為軟件開發(fā)人員，大多數(shù)對于保護模式都感到神秘和不易理解。本人在開發(fā)32位微內(nèi)核搶占式多線程操作系統(tǒng)過程中，深入了解到CPU的地址機理，在這里將分析CPU的工作原理，解開保護模式的神秘面紗，讀者

單片機
2018-06-06

操作系統(tǒng) 磁盤模式下內(nèi)存
關(guān)于堆棧、靜態(tài)、動態(tài)內(nèi)存的理解

預(yù)備知識—程序的內(nèi)存分配一個由C/C++編譯的程序占用的內(nèi)存分為以下幾個部分棧區(qū)(stack)— 由編譯器自動分配釋放，存放函數(shù)的參數(shù)值，局部變量的值等。其操作方式類似于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的棧。堆區(qū)(heap) &mdas

單片機
2018-06-06

堆棧內(nèi)存
C++內(nèi)存泄漏檢測拾遺

在MFC開發(fā)環(huán)境中，當運行退出了，Visual Studio會在輸出窗口提示是否有內(nèi)存泄漏。也可以借助MFC類CMemoryState動態(tài)地檢測并輸出內(nèi)存泄漏信息。在非MFC框架中，需要借助CRT函數(shù)實現(xiàn)這些功能。 1. 調(diào)用_CrtDumpMemory

電子設(shè)計自動化
2018-06-05

內(nèi)存
三星對遭反壟斷調(diào)查回應(yīng)：確實有現(xiàn)場調(diào)查正接受詢問

此前從網(wǎng)站獲悉，中國反壟斷機構(gòu)于5月31日派出了多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調(diào)查”和現(xiàn)場取證。今日根據(jù)經(jīng)濟觀察網(wǎng)的消息，三星對該網(wǎng)站回應(yīng)

半導(dǎo)體
2018-06-04

三星反壟斷調(diào)查內(nèi)存
大陸產(chǎn)可不大 NAND價格可能趨穩(wěn)或者微跌

至于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)未來的走向，他的預(yù)測是2020年之前都會保持健康樂觀狀態(tài)，原因一是內(nèi)存顆粒廠商并沒有太大的擴產(chǎn)動作，其二則是大陸廠商的產(chǎn)能不大，而非不是市場主流規(guī)格，今年甚至明年對市場的影響都可以忽略。

智能硬件
2018-06-01

nand閃內(nèi)存
C語言動態(tài)內(nèi)存分配函數(shù)解析

引言：對于指針，正確的分配動態(tài)內(nèi)存是十分重要的，本文將著重闡述動態(tài)內(nèi)存分配函數(shù)malloc,calloc,realloc以及memset的用法。一、對于malloc,在終端輸入 #:man malloc可以知道函數(shù)原型是： Void *calloc(size_t siz

電子設(shè)計自動化
2018-06-01

分配函數(shù) 內(nèi)存
Linux系統(tǒng)進程的一些知識總結(jié)，進程與線程之間的糾葛...

當一個程序開始執(zhí)行后，在開始執(zhí)行到執(zhí)行完畢退出這段時間內(nèi)，它在內(nèi)存中的部分就叫稱作一個進程。

嵌入式軟件
2018-05-31

Linux 線程內(nèi)存
單條128GB起步 Intel發(fā)布3DXpoint黑科技傲騰DDR4內(nèi)存

3D XPoint技術(shù)閃存可以做成SSD、內(nèi)存人盡皆知，畢竟Intel吹過“性能、耐用性是普通NAND閃存的1000倍，容量密度是DRAM內(nèi)存的10倍，它既可以做成PCI-E接口的普通硬盤，也可以做成DRAM內(nèi)存插槽那樣的硬盤”。但目前市面上只有傲騰加速內(nèi)存、傲騰SSD兩類產(chǎn)品而且都是定位高端市場，價格相當昂貴，但性能確實沒得挑剔。

智能硬件
2018-05-31

Intel ddr4 3dxpoint 內(nèi)存
DDR5內(nèi)存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。下面就隨小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是

嵌入式硬件
2018-05-30

標準兩倍內(nèi)存存儲技術(shù)
S2C提供滿足使用大容量或高性能DDR3內(nèi)存的QuadE V7

導(dǎo)讀：近日，SoC/ASIC快速原型解決方案領(lǐng)先的供應(yīng)商S2C宣布提供滿足使用大容量或高性能DDR3內(nèi)存的QuadE V7.全新的QuadE V7能夠擴充遠程管理功能，幫助設(shè)計人員向著實現(xiàn)“云端”原型驗證再邁進一步。據(jù)了解，S2C的Qu

電子設(shè)計自動化
2018-05-30

大容量高性能內(nèi)存
老外對28款DDR4內(nèi)存的橫評看完不再糾結(jié)怎么選內(nèi)存！

Hardwareinfo美國站前不久做了一個DDR4內(nèi)存橫評，涉及了芝奇、海盜船、金士頓、英睿達等多個品牌28個型號的DDR4內(nèi)存，頻率從DDR4-2133到DDR4-4000都有，選擇的范圍還是很全面的。

智能硬件
2018-05-29

ddr4 內(nèi)存

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內(nèi)存

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MSP430F5438A 內(nèi)存Flash 讀寫操作

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