
數(shù)據(jù)顯示,第一季度三星半導(dǎo)體部分的銷(xiāo)售額達(dá)到了186.07億美元,同比增長(zhǎng)45%以上,在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總份額上占比達(dá)到了16.1%,是相當(dāng)驚人的數(shù)字而英特爾的市場(chǎng)占比為13.6%,銷(xiāo)售額為157.45億美元。不過(guò)英特爾同比增長(zhǎng)速度只有11.1%,沒(méi)有三星增長(zhǎng)迅猛。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會(huì)上回答了有關(guān)的工藝問(wèn)題,在EUV光刻工藝上,他認(rèn)為EUV光刻機(jī)在DRAM芯片制造上不是必須的,直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它。
作為軟件開(kāi)發(fā)人員,大多數(shù)對(duì)于保護(hù)模式都感到神秘和不易理解。本人在開(kāi)發(fā)32位微內(nèi)核搶占式多線程操作系統(tǒng)過(guò)程中,深入了解到CPU的地址機(jī)理,在這里將分析CPU的工作原理,解開(kāi)保護(hù)模式的神秘面紗,讀者
預(yù)備知識(shí)—程序的內(nèi)存分配一個(gè)由C/C++編譯的程序占用的內(nèi)存分為以下幾個(gè)部分棧區(qū)(stack)— 由編譯器自動(dòng)分配釋放,存放函數(shù)的參數(shù)值,局部變量的值等。其操作方式類(lèi)似于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的棧。堆區(qū)(heap) &mdas
在MFC開(kāi)發(fā)環(huán)境中,當(dāng)運(yùn)行退出了,Visual Studio會(huì)在輸出窗口提示是否有內(nèi)存泄漏。也可以借助MFC類(lèi)CMemoryState動(dòng)態(tài)地檢測(cè)并輸出內(nèi)存泄漏信息。 在非MFC框架中,需要借助CRT函數(shù)實(shí)現(xiàn)這些功能。 1. 調(diào)用_CrtDumpMemory
此前從網(wǎng)站獲悉,中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)于5月31日派出了多個(gè)工作小組,分別對(duì)三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開(kāi)“突襲調(diào)查”和現(xiàn)場(chǎng)取證。今日根據(jù)經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng)的消息,三星對(duì)該網(wǎng)站回應(yīng)
至于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)未來(lái)的走向,他的預(yù)測(cè)是2020年之前都會(huì)保持健康樂(lè)觀狀態(tài),原因一是內(nèi)存顆粒廠商并沒(méi)有太大的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,其二則是大陸廠商的產(chǎn)能不大,而非不是市場(chǎng)主流規(guī)格,今年甚至明年對(duì)市場(chǎng)的影響都可以忽略。
引言:對(duì)于指針,正確的分配動(dòng)態(tài)內(nèi)存是十分重要的,本文將著重闡述動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配函數(shù)malloc,calloc,realloc以及memset的用法。 一、對(duì)于malloc,在終端輸入 #:man malloc可以知道函數(shù)原型是: Void *calloc(size_t siz
當(dāng)一個(gè)程序開(kāi)始執(zhí)行后,在開(kāi)始執(zhí)行到執(zhí)行完畢退出這段時(shí)間內(nèi),它在內(nèi)存中的部分就叫稱(chēng)作一個(gè)進(jìn)程。
3D XPoint技術(shù)閃存可以做成SSD、內(nèi)存人盡皆知,畢竟Intel吹過(guò)“性能、耐用性是普通NAND閃存的1000倍,容量密度是DRAM內(nèi)存的10倍,它既可以做成PCI-E接口的普通硬盤(pán),也可以做成DRAM內(nèi)存插槽那樣的硬盤(pán)”。但目前市面上只有傲騰加速內(nèi)存、傲騰SSD兩類(lèi)產(chǎn)品而且都是定位高端市場(chǎng),價(jià)格相當(dāng)昂貴,但性能確實(shí)沒(méi)得挑剔。
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開(kāi)始,計(jì)劃明年定稿。下面就隨小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。據(jù)悉,用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是
導(dǎo)讀:近日,SoC/ASIC快速原型解決方案領(lǐng)先的供應(yīng)商S2C宣布提供滿足使用大容量或高性能DDR3內(nèi)存的QuadE V7.全新的QuadE V7能夠擴(kuò)充遠(yuǎn)程管理功能,幫助設(shè)計(jì)人員向著實(shí)現(xiàn)“云端”原型驗(yàn)證再邁進(jìn)一步。 據(jù)了解,S2C的Qu
Hardwareinfo美國(guó)站前不久做了一個(gè)DDR4內(nèi)存橫評(píng),涉及了芝奇、海盜船、金士頓、英睿達(dá)等多個(gè)品牌28個(gè)型號(hào)的DDR4內(nèi)存,頻率從DDR4-2133到DDR4-4000都有,選擇的范圍還是很全面的。
通用的linux內(nèi)核,啟動(dòng)時(shí)需要很多參數(shù) ,這些參數(shù)必須通過(guò)Bootloader傳遞。而且內(nèi)核一半是壓縮存放在外存上的,從外存到內(nèi)存的復(fù)制也是由Bootloader完成。從Bootloader的第二個(gè)功能就知道,Bootloader時(shí)不能與內(nèi)核放在一起的。由于Bootloader的實(shí)現(xiàn)依賴于CPU的體系結(jié)構(gòu),因此大多數(shù)的Bootloader都分為Stage1和Stage2l輛大部分。
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,去年下半年智能手機(jī)的新機(jī)發(fā)布并未如預(yù)期帶來(lái)?yè)Q機(jī)效應(yīng),因此自去年第四季中開(kāi)始,市場(chǎng)提早進(jìn)入傳統(tǒng)淡季。品牌廠在歷經(jīng)3個(gè)月的庫(kù)存水位調(diào)節(jié)后,于今年二月底才見(jiàn)市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)旺,并重啟拉貨動(dòng)能,其中又以旗艦新機(jī)需求的大容量?jī)?nèi)存居多。整體而言,第一季受到智能手機(jī)市場(chǎng)回溫、新機(jī)發(fā)表,以及行動(dòng)式內(nèi)存平均單價(jià)上漲的影響,全球行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)值來(lái)到84.35億美元,較去年第四季提升約5.3%,一反以往第一季營(yíng)收衰退的軌跡,再度刷新歷史記錄。
近日,在第18屆國(guó)際超算高峰論壇上,美國(guó)橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家超級(jí)計(jì)算無(wú)錫中心等頂尖的著名專(zhuān)家,都來(lái)到了這里,并分享了下一步的動(dòng)作。
在嵌入式裸機(jī)編程中,作為一名初級(jí)的CODER。經(jīng)常要與CPU、內(nèi)存等打交道。CPU作為系統(tǒng)的動(dòng)力源,其重要程度不言而喻。但是,在裸機(jī)編程中,對(duì)內(nèi)存的管理也不容忽視。如果稍微不注意,輕則,可能造成內(nèi)存泄漏,重則造成內(nèi)存訪問(wèn)異常。導(dǎo)致系統(tǒng)死機(jī)。
中國(guó)關(guān)于芯片產(chǎn)業(yè)的焦慮,這不是第一次。909工程的倡導(dǎo)者、原電子工業(yè)部部長(zhǎng)胡啟立著寫(xiě)的《“芯”路歷程》寫(xiě)到,上個(gè)世紀(jì)90年代,國(guó)家高層以“觸目驚心”四個(gè)字,深刻概括了參觀韓國(guó)三星集成電路生產(chǎn)線后的感慨,明確指出:必須加快發(fā)展我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè),就是“砸鍋賣(mài)鐵”也要把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搞上去。在越來(lái)越緊迫的局勢(shì)下,中國(guó)芯片將如何發(fā)展?
作為大規(guī)模FPGA開(kāi)發(fā)平臺(tái)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者Dini Group在近日推出了一款面向定制網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,例如TOE(TCP/IP Offload)和線速算法交易應(yīng)用的解決方案——DNPCIE_400G_VU_LL,該平臺(tái)基于強(qiáng)大的Xilinx UltraScale+架構(gòu)FPGA,容量高達(dá)2000萬(wàn)ASIC門(mén)。