微型隔離器的應(yīng)用可進(jìn)一步縮小電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車功率逆變器的體積瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器智能器件日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723)今天宣布
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司所
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)能否取得成功的主要因素之一。過(guò)去幾年,計(jì)算和通信設(shè)備制造商一直在內(nèi)部推動(dòng)技術(shù)規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術(shù)規(guī)格,
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
在由中國(guó)制造向中國(guó)“智造”的重要升級(jí)轉(zhuǎn)型期,電源作為現(xiàn)代化工業(yè)體系賴以運(yùn)轉(zhuǎn)的力量源泉,必須要做出相應(yīng)的改變。Vicor公司作為全球知名的電源模塊及定制化電源系統(tǒng)的供應(yīng)商,推出了獨(dú)有的新一代CHIP封裝
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Developpement的最新報(bào)告,2013年,包括分立器件、模塊和電源IC在內(nèi)的功率器件市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)10.5%達(dá)115億美元。2013年的增長(zhǎng)是基于2012年的大崩潰上,
設(shè)計(jì)、制造和銷售應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品,電視,電動(dòng)車,電表,通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、信息終端等領(lǐng)域的高性能集成電路的韋爾半導(dǎo)體股份有限公司日前于IIC China 2013向業(yè)界觀眾展示MOSFET功率器件、ESD/EMI和電源IC、音
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)能否取得成功的主要因素之一。過(guò)去幾年,計(jì)算和通信設(shè)備制造商一直在內(nèi)部推動(dòng)技術(shù)規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術(shù)規(guī)格,
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
“冰火兩重天”,用來(lái)形容2012年的新能源市場(chǎng)實(shí)在是太貼切不過(guò)了。太陽(yáng)能行業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩,市場(chǎng)不振;LED照明迎來(lái)發(fā)展轉(zhuǎn)折點(diǎn);新能源車受制于電池技術(shù)、安全性能、價(jià)格和充電等因素,仍未能被大眾市場(chǎng)接受;而智能電網(wǎng)建
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件,它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn),控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高,IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料
富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量
大型電力電子設(shè)備中,隨著溫度的增加,失效率也增加,因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計(jì)直接關(guān)系到設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。大功率高壓變頻器往往要求有極高的可靠性,影
功率器件應(yīng)用時(shí)所受到的熱應(yīng)力可能來(lái)源于兩個(gè)方面:器件內(nèi)部和器件外部。器件工作時(shí)所耗散的功率要通過(guò)發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限,則功率的耗散就會(huì)造成器件