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利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設(shè)計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年，計算和通信設(shè)備制造商一直在內(nèi)部推動技術(shù)規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術(shù)規(guī)格，
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常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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Vicor:新型CHIP封裝進(jìn)一步提升功率器件效能
在由中國制造向中國“智造”的重要升級轉(zhuǎn)型期，電源作為現(xiàn)代化工業(yè)體系賴以運(yùn)轉(zhuǎn)的力量源泉，必須要做出相應(yīng)的改變。Vicor公司作為全球知名的電源模塊及定制化電源系統(tǒng)的供應(yīng)商，推出了獨(dú)有的新一代CHIP封裝
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2013年功率器件市場強(qiáng)勢回彈
據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Developpement的最新報告，2013年，包括分立器件、模塊和電源IC在內(nèi)的功率器件市場將同比增長10.5%達(dá)115億美元。2013年的增長是基于2012年的大崩潰上，
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IIC-China 2013：韋爾半導(dǎo)體帶來多款最新功率器件
設(shè)計、制造和銷售應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品，電視，電動車，電表，通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、信息終端等領(lǐng)域的高性能集成電路的韋爾半導(dǎo)體股份有限公司日前于IIC China 2013向業(yè)界觀眾展示MOSFET功率器件、ESD/EMI和電源IC、音
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利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設(shè)計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年，計算和通信設(shè)備制造商一直在內(nèi)部推動技術(shù)規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術(shù)規(guī)格，
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常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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在冰火兩重天的新能源市場中挖掘新機(jī)
“冰火兩重天”，用來形容2012年的新能源市場實(shí)在是太貼切不過了。太陽能行業(yè)產(chǎn)能過剩，市場不振；LED照明迎來發(fā)展轉(zhuǎn)折點(diǎn)；新能源車受制于電池技術(shù)、安全性能、價格和充電等因素，仍未能被大眾市場接受；而智能電網(wǎng)建
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競爭
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量
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大功率高壓變頻器功率器件熱設(shè)計淺析
大型電力電子設(shè)備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計直接關(guān)系到設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。大功率高壓變頻器往往要求有極高的可靠性，影
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功率器件損耗計算
功率器件應(yīng)用時所受到的熱應(yīng)力可能來源于兩個方面：器件內(nèi)部和器件外部。器件工作時所耗散的功率要通過發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件
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瑞薩推出工業(yè)用首個以MCU為基礎(chǔ)可擴(kuò)展供電系統(tǒng)方案
瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩”)，近日發(fā)布了最新的用于個人計算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢
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功率器件的選擇
由于本設(shè)計中的變換器的應(yīng)用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特性和驅(qū)動
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安森美加入imec項(xiàng)目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率
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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
引言當(dāng)前，電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計，電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設(shè)計是
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請領(lǐng)好禮
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