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功率器件

我要報(bào)錯(cuò)

  • ASMPT推出ALSI LASER1206激光切割與開槽設(shè)備 助力先進(jìn)封裝與車用功率器件制造

    2026年3月26日，中國上?！雽?dǎo)體與電子制造軟硬件領(lǐng)軍企業(yè)ASMPT與其子品牌奧芯明于2026年中國半導(dǎo)體展會(SEMICON China 2026)N4451展位，推出全新裸晶圓處理系統(tǒng)ALSI LASER1206。本次展會主題為“智創(chuàng)‘芯’紀(jì)元”，ALSI LASER1206精準(zhǔn)響應(yīng)專注于先進(jìn)封裝的半導(dǎo)體企業(yè)日益增長的需求，為人工智能、智能出行等高增長市場提供解決方案。該全新系統(tǒng)搭載專利多光束激光加工技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)膜框與裸晶圓全自動化處理，進(jìn)一步豐富公司產(chǎn)品線，并重點(diǎn)聚焦前道工藝領(lǐng)域。

  • 優(yōu)化功率級布局以減少雙電池汽車系統(tǒng)中的EMI與功率損耗

    隨著新能源汽車向高續(xù)航、快充電、智能化方向升級，雙電池架構(gòu)憑借靈活的能量分配優(yōu)勢，在混動車型、長續(xù)航純電車型中得到廣泛應(yīng)用。該系統(tǒng)通過高壓電池與低壓電池協(xié)同工作，滿足車輛驅(qū)動、輔助用電等多場景需求，但功率器件的高頻開關(guān)特性的協(xié)同工作模式，導(dǎo)致電磁干擾(EMI)與功率損耗成為制約系統(tǒng)可靠性與能效的核心瓶頸。功率級作為能量轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵沫h(huán)節(jié)，其布局設(shè)計(jì)直接影響寄生參數(shù)、散熱效率與電磁場分布，是解決上述問題的關(guān)鍵突破口，通過科學(xué)的布局優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)EMI抑制與功率損耗降低的雙重目標(biāo)。

  • 破解熱插拔瞬間大電流難題：技術(shù)路徑與實(shí)踐方案

    熱插拔技術(shù)憑借“不停機(jī)維護(hù)、靈活擴(kuò)展”的核心優(yōu)勢，已廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、通信設(shè)備、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域，其允許設(shè)備在系統(tǒng)帶電運(yùn)行狀態(tài)下完成插拔操作，大幅提升了系統(tǒng)可用性和維護(hù)效率。但熱插拔過程中，最突出的技術(shù)痛點(diǎn)便是瞬間大電流(浪涌電流)的產(chǎn)生，若不加以有效控制，輕則導(dǎo)致系統(tǒng)電壓跌落、設(shè)備誤復(fù)位，重則燒毀接口連接器、功率器件甚至整個(gè)電路板，造成嚴(yán)重的設(shè)備損壞和經(jīng)濟(jì)損失。

  • 淺析帶內(nèi)置濾波器變頻器的適用場景

    變頻器作為現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)速精確控制的核心設(shè)備，憑借其節(jié)能降耗、調(diào)節(jié)靈活的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于智能制造、新能源、建筑樓宇等多個(gè)領(lǐng)域。但變頻器在工作過程中，基于脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)的功率器件會以高頻開關(guān)動作運(yùn)行，不可避免地產(chǎn)生高頻諧波和電磁干擾(EMI)，這些干擾不僅會影響變頻器自身的穩(wěn)定運(yùn)行，還可能污染電網(wǎng)、干擾周邊設(shè)備，甚至縮短電機(jī)及相關(guān)組件的使用壽命。帶內(nèi)置濾波器的變頻器將濾波模塊與變頻器主體一體化設(shè)計(jì)，無需額外加裝外置濾波器，就能有效抑制干擾、治理諧波，其應(yīng)用場景主要集中在對電磁環(huán)境、設(shè)備可靠性和電網(wǎng)質(zhì)量有特定要求的場景中，以下結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求詳細(xì)解析。

  • 導(dǎo)熱硅膠片在電源散熱中的應(yīng)用與解決方案

    在電子設(shè)備向高功率、小型化發(fā)展的趨勢下，電源作為能量供給核心，其散熱性能直接決定設(shè)備的穩(wěn)定性、壽命與安全性。電源工作時(shí)，內(nèi)部功率器件會產(chǎn)生大量熱量，若熱量無法及時(shí)散出，會導(dǎo)致器件溫度升高，不僅會降低轉(zhuǎn)換效率，還可能引發(fā)熱失控、燒毀等故障。導(dǎo)熱硅膠片作為一種高效的熱界面材料，憑借優(yōu)異的導(dǎo)熱性能、適配性與安裝便利性，已成為電源散熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。本文將深入探討導(dǎo)熱硅膠片在電源散熱中的應(yīng)用價(jià)值、核心解決方案及實(shí)踐要點(diǎn)。

  • 應(yīng)對電源管理系統(tǒng)中內(nèi)阻挑戰(zhàn)的關(guān)鍵策略

    電源管理系統(tǒng)(PMS)作為各類電子設(shè)備與儲能系統(tǒng)的核心中樞，承擔(dān)著電能分配、狀態(tài)監(jiān)測、安全保護(hù)等關(guān)鍵職能。而內(nèi)阻作為電源系統(tǒng)固有的核心參數(shù)，其存在與動態(tài)變化直接影響系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性與使用壽命。無論是鋰離子電池、鉛酸電池等儲能元件，還是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源芯片等功率器件，內(nèi)阻引發(fā)的電壓損耗、發(fā)熱升溫等問題，始終是電源管理領(lǐng)域的核心挑戰(zhàn)。本文將從內(nèi)阻的影響機(jī)制出發(fā)，系統(tǒng)闡述應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的技術(shù)路徑與實(shí)踐策略。

  • 安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件

    此次合作拓展了安森美功率產(chǎn)品組合，涵蓋面向AI數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天及其他關(guān)鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵(GaN)解決方案。

  • 安森美與英諾賽科達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同加速推進(jìn)全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)

    此次合作將建立高產(chǎn)能、成本優(yōu)化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署

  • Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

    Allegro創(chuàng)新柵極驅(qū)動器助力工程師實(shí)現(xiàn)鈦金級效率和極佳功率密度，滿足嚴(yán)苛的AI和邊緣計(jì)算應(yīng)用需求。

  • 英飛凌憑借卓越創(chuàng)新榮獲“博世全球供應(yīng)商獎(jiǎng)”

    【2025年10月21日, 德國慕尼黑訊】汽車半導(dǎo)體市場領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日榮獲“2025年博世全球供應(yīng)商獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)由全球領(lǐng)先的技術(shù)與服務(wù)供應(yīng)商博世(Bosch)頒發(fā)，歸屬 “材料與零部件” 類別，旨在表彰英飛凌在微控制器及功率器件領(lǐng)域卓越的創(chuàng)新與產(chǎn)品開發(fā)能力。

  • 車身總線安全保障與功率器件測試的全方位解決方案

    在汽車電子化、智能化浪潮下，車身總線作為車輛電子系統(tǒng)的 “神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”，其安全性直接決定整車運(yùn)行可靠性;功率器件作為動力控制、能源管理的核心組件，其性能穩(wěn)定性更是關(guān)乎行車安全。隨著新能源汽車與自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，車身總線面臨的安全風(fēng)險(xiǎn)持續(xù)升級，功率器件的測試需求也日益復(fù)雜。本文將圍繞車身總線安全參考體系構(gòu)建與功率器件測試解決方案展開，為汽車電子領(lǐng)域提供技術(shù)支撐。

  • 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

    【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，客戶可同時(shí)從英飛凌與羅姆采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升客戶在設(shè)計(jì)與采購環(huán)節(jié)的便利性。

  • iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)

    美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。

  • 碳化硅：推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的飛躍

    在全球倡導(dǎo)綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車(EV)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴(kuò)張，消費(fèi)者對其性能的要求也日益提高，其中充電速度和續(xù)航里程成為關(guān)注焦點(diǎn)。為了滿足這些需求，汽車制造商不斷探索新技術(shù)，碳化硅(SiC)材料及其相關(guān)功率器件應(yīng)運(yùn)而生，并在推動車載充電技術(shù)隨電壓等級提高方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

  • IGBT 主導(dǎo)新能源汽車上半場，SiC 提速上車劍指新周期

    在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻。回顧過往，IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車的上半場，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。

  • 英飛凌OptiMOS? 80 V、100 V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機(jī)提供高性能電機(jī)控制解決方案

    【2025年6月20日, 德國慕尼黑訊】來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導(dǎo)體功率器件，用于其下一代無人機(jī)（UAV）電機(jī)控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM 6EDL7141 三相柵極驅(qū)動器IC結(jié)合的英飛凌MOTIX? IMD701控制器解決方案，實(shí)現(xiàn)了緊湊、精準(zhǔn)且可靠的電機(jī)控制。此舉不僅提高了無人機(jī)的性能與可靠性，還延長了其飛行時(shí)間。

  • GaN 功率器件：提升電源管理設(shè)計(jì)的秘訣

    在當(dāng)今的電子設(shè)備領(lǐng)域，電源管理設(shè)計(jì)至關(guān)重要，其性能直接影響著設(shè)備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進(jìn)步，氮化鎵(GaN)功率器件應(yīng)運(yùn)而生，為電源管理設(shè)計(jì)帶來了新的突破和提升。

  • 【對話前沿專家】香港科技大學(xué)黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

    在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。我們有幸與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。

  • 意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)

    2025年4月17日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式長期發(fā)展。

  • 氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風(fēng)順

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢，如高電子遷移率、高擊穿電場、低導(dǎo)通電阻等，被視為極具潛力的下一代功率器件，有望在眾多領(lǐng)域掀起變革。然而，盡管前景誘人，氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風(fēng)順，諸多不利因素成為其大規(guī)模推廣應(yīng)用的絆腳石。

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