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如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計
最近可能遇到了“GaN”，它正在一些關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計”中，我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處，以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設(shè)計時的關(guān)鍵考慮因素。
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電動工具中三相電機(jī)驅(qū)動器的優(yōu)化熱設(shè)計 - 第 2 部分
在 PCB 中提供大銅平面。將器件的裸露焊盤焊接到銅平面上，并將平面延伸到 PCB 的邊緣，以增加散熱面積。對于四層板，您可以在所有層中使用銅平面來散熱，與兩層板相比，這反過來可以提高 30% 的性能。PCB 面積越大，由于對流而產(chǎn)生的散熱量就越高。提供沒有任何中斷的銅平面，以便通過平面的熱量傳播將是有效的。
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碳化硅頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C2輪融資，廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰聯(lián)合投資
6月7日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè)，著力加強(qiáng)在新能源汽車及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場拓展，確?；景雽?dǎo)體在國產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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用于下一代電力電子的 GaN 出現(xiàn)
荷蘭芯片制造商Nexperia贊助的最近行業(yè)活動的參與者表示，汽車、消費和航空應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用正在利用氮化鎵 (GaN)技術(shù)的優(yōu)勢。 例如，Kubos Semiconductor 正在開發(fā)一種稱為立方 GaN 的新材料?！八橇⒎降?，我們不僅可以在 150 毫米及以上的大型晶圓上生產(chǎn)它，而且還可以擴(kuò)展到更大的晶圓尺寸，并可以無縫插入現(xiàn)有的生產(chǎn)線，”Kubos 首席執(zhí)行官 Caroline 說奧布萊恩。
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GaN 會在市場上大獲成功嗎？
新 IC 工藝的開發(fā)和商業(yè)化，尤其是有些激進(jìn)的工藝，在我看來一直是設(shè)備技術(shù)的神奇和神秘的終結(jié)。是的，有聰明的電路、架構(gòu)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但是構(gòu)思一個新的過程，然后讓它成為現(xiàn)實和可制造的——以及現(xiàn)實所需要的一切——似乎需要對物理定律、材料科學(xué)、量子理論、以及更多。事情并沒有就此結(jié)束：在工藝技術(shù)進(jìn)步之后，我們?nèi)匀恍枰岢鲈O(shè)計規(guī)則和模型，以便 IC 設(shè)計人員和生產(chǎn)流程能夠真正利用該工藝。
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英飛凌IPOSIM平臺推出功率器件使用壽命評估服務(wù)，以簡化半導(dǎo)體器件選型
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)的功率器件在線仿真平臺IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。通過該平臺可輕松分析單個工作點及用戶自定義的負(fù)荷曲線。
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SiC碳化硅功率器件介紹
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因為，為了應(yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。 然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。
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MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解
詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理！
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什么時候應(yīng)該使用 PWM 控制器？
PWM 是一種可應(yīng)用于多種電源拓?fù)涞目刂品椒ā２⑶乙驗闊o論拓?fù)淙绾?，電源都被用于無窮無盡的應(yīng)用中，因此它們享有無處不在的聲譽；PWM 用于各種應(yīng)用。
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Syndion? GP：賦能先進(jìn)功率器件的未來
上周，泛林集團(tuán)發(fā)布了Syndion G系列產(chǎn)品的新成員——全新Syndion? GP。在本周的微信中，泛林集團(tuán)客戶支持事業(yè)部Reliant系統(tǒng)產(chǎn)品副總裁Evan Patton將為大家講述該產(chǎn)品的開發(fā)背景。
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功率器件、工業(yè)電源、存儲…電子工程師最關(guān)注的技術(shù)話題都來了！
為幫助廣大電子工程師朋友更好地了解工業(yè)電子產(chǎn)業(yè)新動態(tài)，促進(jìn)電子工程師之間的技術(shù)交流，推動國內(nèi)電子行業(yè)技術(shù)升級，OFweek維科網(wǎng)將聯(lián)袂數(shù)家電子行業(yè)企業(yè)技術(shù)專家，傾力打造面向電子工程師技術(shù)人員的專場活動「OFweek2021系列活動——工程師技術(shù)在線論壇」，結(jié)合時事熱點，聚焦前沿技術(shù)，為電子工程師技術(shù)人員提供學(xué)習(xí)和交流平臺。
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泛林集團(tuán)發(fā)布Syndion GP，滿足芯片制造商對先進(jìn)功率器件的需求
進(jìn)一步擴(kuò)大公司在深硅刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，新的半導(dǎo)體制造方案支持用于汽車與智能技術(shù)的芯片開發(fā)
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【下載】意法半導(dǎo)體電源管理指南
點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！意法半導(dǎo)體30年來一直致力于電源管理技術(shù)創(chuàng)新，通過產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案直接為客戶創(chuàng)造價值。在設(shè)計電源管理系統(tǒng)或子系統(tǒng)時沒有什么秘訣：不管最終用途是什么（能源生產(chǎn)或分配系統(tǒng)、供電或LED驅(qū)動電路、工業(yè)開關(guān)電源或電動汽車電力應(yīng)用）,它必須滿足高效率...
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80億,積塔半導(dǎo)體有限公司完成80億元人民幣戰(zhàn)略融資
來源華大半導(dǎo)體2021年11月30日，華大半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱華大半導(dǎo)體）旗下上海積塔半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱積塔半導(dǎo)體）宣布完成80億元人民幣戰(zhàn)略融資（以下簡稱本輪融資），本輪融資由華大半導(dǎo)體領(lǐng)投，其他出資方包括：中電智慧基金、國改雙百基金、國調(diào)基金、中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金、上...
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
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使用合適的MOSFET可以提高太陽能利用效率
在過去的 10-30 年里，氣候變化一直是一個備受爭議的話題，引發(fā)了關(guān)于哪些類型的法規(guī)是必要的政治討論。從短期來看，開發(fā)更環(huán)保的基礎(chǔ)設(shè)施，擺脫化石燃料等相對廉價的能源，成本要高得多。
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英飛凌在奧地利新建300毫米晶圓廠，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提升和靈活調(diào)度
根據(jù)Semi保守預(yù)測，從2020到2024，芯片行業(yè)將增加至少38個新的 300毫米量產(chǎn)晶圓廠，在300毫米晶圓廠上的投入將在2030年達(dá)到700億美元歷史新高。
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如何為我們的應(yīng)用選擇合適的功率 MOSFET 或功率模塊的封裝
在開始新設(shè)計時，工程師常常被功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (?MOSFET?) 和功率塊的封裝選項數(shù)量所淹沒。
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英飛凌300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體高科技工廠正式啟動運營
英飛凌的產(chǎn)能擴(kuò)張對于維持全球供應(yīng)鏈穩(wěn)定具有里程碑式的意義！
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英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開發(fā)
【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產(chǎn)第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術(shù)，提供更高的效率和功率密度水平。
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