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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術(shù)選擇介紹
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低，而動態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
多款低壓MOS產(chǎn)品應(yīng)用在九陽小家電上，瑞森半導(dǎo)體堅持“首件確認，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長期合作伙伴
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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內(nèi)市場空白
瑞森半導(dǎo)體研發(fā)出耐壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的900V-1500V的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面
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英飛凌的新建工廠計劃，擴大功率器件的產(chǎn)能
英飛凌擴展印度尼西亞后端站點以滿足汽車 IC 需求 作為其長期投資戰(zhàn)略的一部分，德國芯片制造商英飛凌科技表示，它計劃擴大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務(wù)。預(yù)計將于 2024 年開始生產(chǎn)。
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高溫對電氣設(shè)備的影響分析，電氣設(shè)備的熱分析
有沒有想過人們對電路過熱引起的電涌引起的爆炸以及電器損壞甚至火災(zāi)的后果的反應(yīng)?人們在身體、情感和心理上受到創(chuàng)傷的方式促使電力行業(yè)的專家將注意力集中在分析電力行為上。這樣，可以防止此類損壞，如果可能的話，可以通過適當?shù)臒峁芾硐祟悡p壞。
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排名前 10 名開關(guān)和繼電器-繼電器器件
與開關(guān)一樣，繼電器也有多種形式，包括通用型、電源型、簧片型以及接觸器，它們旨在處理非常高的電流和電壓以及固態(tài)設(shè)備。
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鉭電容器的優(yōu)點和器件最新發(fā)展，鉭電容產(chǎn)品操作指南
鉭電容器為高密度、高性能電子電路的設(shè)計人員提供了性能穩(wěn)定的可靠高電容解決方案。鉭電容器歷來深受設(shè)計工程師的喜愛，廣泛用于大容量儲能、濾波和去耦等應(yīng)用。鉭電容器技術(shù)的進步包括聚合物陰極系統(tǒng)的成熟，這帶來了更低的有效串聯(lián)電阻 (ESR)、封裝密度的顯著提高以及有效串聯(lián)電感 (ESL) 的降低。在這里，我們將研究這些發(fā)展對績效的影響。
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RS瑞森半導(dǎo)體在電動工具、鋰電保護板上的應(yīng)用
瑞森RS40N130G型號及低壓MOSFET-SGT系列?在電動工具、鋰電保護板上的應(yīng)用
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選擇功率 MOSFET 的簡單指南
鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計。
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如何在我們的項目中選擇合適的 MOSFET 器件
隨著為個人計算機 (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實變得更加復(fù)雜。當我們添加其他控制損耗機制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動電壓)時，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。
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關(guān)于氮化鎵實際使用的熱管理方面討論
所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設(shè)計，它可以擴展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上認為我們已經(jīng)實現(xiàn)了最初目標的方式。
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多層外延工藝超結(jié)MOS在電源中的應(yīng)用
瑞森超結(jié)mos對標英飛凌產(chǎn)品性能，看其在電源中的應(yīng)用
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英領(lǐng)物聯(lián) | 成為“功率器件”的大滿貫選手
從碳達峰到碳中和，無疑是需要付出艱苦努力的。對于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者們來說，則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會在未來幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信，面對浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)，通過持續(xù)的材料、技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新，英飛凌將為產(chǎn)業(yè)帶來更多低碳、高效的互聯(lián)解決方案。
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我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?
我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱悠?。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價值呢?我們期望在哪里看到下一波增長?
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氮化鎵技術(shù)討論，第二部分
目前有幾個 GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠不止兩個，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強模式GaN。由于我的第一家公司，級聯(lián) GaN 實際上是第一個誕生的。當功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級聯(lián)的 GaN 解決方案時，我就在那里。
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氮化鎵技術(shù)討論，第一部分
氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級的效率。GaN 很有吸引力，因為它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動下一步的改進。
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分析SiC器件的成本競爭力，第四部分
目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來，重點將放在開發(fā)用于擴大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認為，未來未來，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場的很大一部分，很大一部分，可以說是電動汽車。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對于實現(xiàn)這些市場滲透尤為重要。那么，高價格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來為下一個市場未來降低價格?
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分析SiC器件的成本競爭力，第二部分
如我們所知，目前增長最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強調(diào)了一些為電動汽車提供模塊的長期合同。
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分析SiC器件的成本競爭力，第一部分
在多個能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個能源行業(yè)擴展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動汽車和新能源等領(lǐng)域的重要性，許多公司正在評估和投資晶圓技術(shù)。在華威大學(xué) SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術(shù)。
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封裝、集成和快速切換：已經(jīng)取得了什么成就，下一步發(fā)展是什么？
今天，由于該領(lǐng)域眾多公司的研究，功率器件已達到極高的效率水平。優(yōu)異的成績是由于不同電子和物理部門的協(xié)同作用，它們結(jié)合在一起，可以達到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實現(xiàn)非常高的效率，尤其是在高開關(guān)速度下，從而積極利用所有可用功率。
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