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Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
半橋器件采用Trench IGBT技術(shù)，可選低VCE（ON）或低Eoff，適用于大電流逆變級。
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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET，助力提高電源效率
新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反向恢復(fù)特性。
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羅姆EcoGaN?系列創(chuàng)新方案，讓電源設(shè)計(jì)更高效節(jié)能！
基于多年積累的豐富半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)，羅姆開發(fā)了顛覆傳統(tǒng)的氮化鎵品牌——EcoGaN?系列產(chǎn)品，旨在進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化。為了讓大家全面地了解這一品牌，以及基于EcoGaN?系列的創(chuàng)新型電源解決方案，近日羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理水原德健先生在媒體溝通會上對其進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，并分享了相關(guān)領(lǐng)域的市場趨勢與技術(shù)發(fā)展。
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如何選擇合適的功率器件？有哪些注意事項(xiàng)
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)砉β势骷挠嘘P(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對功率器件具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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如何保護(hù)功率器件？應(yīng)用時該如何選擇？
在電力電子系統(tǒng)中，功率器件作為能量轉(zhuǎn)換的核心元件，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，由于各種因素的影響，功率器件常常面臨過流、過壓、短路等威脅，輕則影響設(shè)備性能，重則導(dǎo)致整個系統(tǒng)癱瘓。因此，功率器件的保護(hù)已成為電力電子領(lǐng)域中不可或缺的一部分。本文將探討功率器件保護(hù)的原理和分類，常見保護(hù)方法及其優(yōu)缺點(diǎn)，以及在應(yīng)用中選擇合適保護(hù)方案的重要性。
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功率器件是什么？有什么特點(diǎn)？
在電子科技飛速發(fā)展的今天，各式各樣的電子設(shè)備層出不窮。然而，在這些設(shè)備的背后，有一個重要的組成部分默默地發(fā)揮著關(guān)鍵作用，那就是功率器件。本文將帶你了解功率器件的基本概念、特點(diǎn)以及在科技領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體GaN技術(shù)發(fā)布會，攜Super IDM模式推動產(chǎn)業(yè)效率革命
2023年10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會展中心（寶安新館）正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。
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混合動力汽車的功率器件和管理方面需面臨哪些挑戰(zhàn)？
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。
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自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
泰克在最近的文章“自動執(zhí)行WBG器件的雙脈沖測試”中探討了如何通過對SiC和GaN功率器件等寬帶隙器件自動執(zhí)行雙脈沖測試，從而顯著縮短設(shè)置和分析時間。
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助力SiC功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代，美浦森和泰克攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作共贏
兩年前，泰克交付給美浦森半導(dǎo)體一套DPT1000A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，這是泰克在華南交付的首臺DPT1000A。這套SiC功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā)，專門用于三代半導(dǎo)體功率器件的動態(tài)特性分析測試，助力全球碳化硅MOSFET領(lǐng)先生產(chǎn)商美浦森及其客戶、合作伙伴加速創(chuàng)新進(jìn)程、快速解決疑難問題。
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REASUNOS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS在輔助電源上的應(yīng)用
輔助電源單開關(guān)反激式線路應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列，800V-1500V的研發(fā)及量產(chǎn)，填補(bǔ)了國內(nèi)市場空白，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面。
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REASUNOS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在大功率電源上的應(yīng)用
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
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太陽能逆變器的優(yōu)化應(yīng)用及如何設(shè)計(jì)？
近年來光伏發(fā)電在各國的普及和應(yīng)用取得可觀的進(jìn)展。作為電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，電力電子變換器對于光伏系統(tǒng)的整體性能與可靠性占有舉足輕重的地位。電力電子的設(shè)計(jì)對于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的整體效能具有舉足輕重的地位。最高的轉(zhuǎn)換效率永遠(yuǎn)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師考慮的首要因素。
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ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC
通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%。
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實(shí)測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家，這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標(biāo)志性意義。
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TIF2023泰克創(chuàng)新論壇圓滿落幕，6大關(guān)鍵詞概括領(lǐng)先測試方案
日前，泰克科技以“啟智未來、測試為先”為主題的TIF2023年度大會圓滿落幕。本次大會圍繞半導(dǎo)體晶圓級測試、汽車電動化和智能化測試，聚焦6大關(guān)鍵詞，囊括了泰克近兩年的領(lǐng)先測試解決方案。
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矽電-泰克晶圓級探針測試測量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立
構(gòu)筑國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體功率器件測試驗(yàn)證的能力基石！
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RS瑞森半導(dǎo)體系列產(chǎn)品在PD快充上的應(yīng)用
PD快充市場瑞森半導(dǎo)體主推：碳化硅二極管、超結(jié)COOL MOS、低壓SGT MOS、低壓Trench MOS
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Navitas 在 GaN 半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)計(jì)之旅
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應(yīng)商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機(jī)充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動汽車 (EV) 充電器到兆瓦級并網(wǎng)產(chǎn)品。
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下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開關(guān)頻率
傳統(tǒng)上，電源設(shè)計(jì)人員必須使用分立晶體管和多個外部元件(例如驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。
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