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Diodes穩(wěn)壓器晶體管提升48V電路系統(tǒng)功率密度
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為針對(duì)網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 (Power over Ethernet，簡(jiǎn)稱PoE) 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR20
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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm，高度則是一般的0.5mm，并采用了DF
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IBM締造未來(lái)芯片冷卻技術(shù)，向功耗和散熱發(fā)出挑戰(zhàn)宣言！
【導(dǎo)讀】IBM締造未來(lái)芯片冷卻技術(shù)，向功耗和散熱發(fā)出挑戰(zhàn)宣言！ 由于具有100W/cm2的功率密度，今天的計(jì)算機(jī)芯片溫度已經(jīng)是標(biāo)準(zhǔn)的加熱板的10倍。因此，硅電路的冷卻就成為日益重要的問(wèn)題。未來(lái)的芯片將達(dá)到更
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Intersil的最新電源模塊提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度、效率和熱性能
ISL8240M以2.9 cm2占位面積提供高達(dá)40A輸出電流和100W輸出功率，是基礎(chǔ)設(shè)施和云計(jì)算硬件應(yīng)用的理想選擇21ic訊 Intersil公司今天宣布，推出雙路20A/單路40A降壓電源模塊ISL8
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Intersil推出提供功率密度效率和熱性能的電源模塊
Intersil公司宣布，推出雙路20A/單路40A降壓電源模塊ISL8240M，為基礎(chǔ)設(shè)施和嵌入式計(jì)算應(yīng)用的效率和功率密度設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)。ISL8240M的占位面積只有2.9 cm2，卻能提供高達(dá)100W輸出功率、大于90%的轉(zhuǎn)換效率以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)
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Intersil的最新電源模塊提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度、效率和熱性能
[導(dǎo)讀] 與Intersil的所有電源模塊一樣，ISL8240M也是一種全集成的交鑰匙解決方案，僅有17mm x 17mm大小，且只需要6個(gè)外圍被動(dòng)器件。卓越的熱性能使其不需要散熱器，有助于進(jìn)一步簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，以及降低設(shè)計(jì)與制造風(fēng)險(xiǎn)
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福建物構(gòu)所鋰離子電池正極材料研究獲進(jìn)展
兼具高容量和高倍率特性的正極材料是國(guó)際鋰離子電池材料研究的熱點(diǎn)，是滿足未來(lái)移動(dòng)電子設(shè)備及動(dòng)力汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)鋰離子電池能量密度和功率密度要求的關(guān)鍵材料。迄今為止，所有報(bào)道的鋰離子電池正極材料都難以同時(shí)兼具高
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2014年“電動(dòng)汽車用電機(jī)控制器”等進(jìn)口稅率為6%
[摘要] 財(cái)政部網(wǎng)站12月16日公布了2014年關(guān)稅實(shí)施方案。該方案明確，2014年“電動(dòng)汽車用電機(jī)控制器”等進(jìn)口稅率為6%。 財(cái)政部網(wǎng)站12月16日公布了2014年關(guān)稅實(shí)施方案。 該方案明確，2014年將對(duì)”電動(dòng)汽
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飛兆半導(dǎo)體集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)(SPS)模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET和功率驅(qū)
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2016年中國(guó)超級(jí)電容器市場(chǎng)規(guī)模有望增至33億
超級(jí)電容器由于具有大功率密度、長(zhǎng)壽命、安全可靠性高和對(duì)溫度差異不太敏感等特殊優(yōu)勢(shì)，且可為鋰離子電源、燃料電池等主電源提供功率補(bǔ)償，以提高電源品質(zhì)和延長(zhǎng)電源使用壽命，因而迅速得到了市場(chǎng)人士的普遍認(rèn)可，市
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2016年中國(guó)超級(jí)電容器市場(chǎng)規(guī)模有望增至33億
超級(jí)電容器由于具有大功率密度、長(zhǎng)壽命、安全可靠性高和對(duì)溫度差異不太敏感等特殊優(yōu)勢(shì)，且可為鋰離子電源、燃料電池等主電源提供功率補(bǔ)償，以提高電源品質(zhì)和延長(zhǎng)電源使用壽命，因而迅速得到了市場(chǎng)人士的普遍認(rèn)可，市
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全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析
在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國(guó)研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國(guó)、日本等國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)
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全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析
在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國(guó)研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國(guó)、日本等國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)
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全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析
在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國(guó)研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國(guó)、日本等國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)
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德研發(fā)出功率密度為1100瓦/千克鋰電池
德國(guó)太陽(yáng)能和氫能研究所近日開(kāi)發(fā)出一款可用于電動(dòng)汽車的高循環(huán)壽命鋰電池，這款鋰電池的功率密度為1，100瓦/千克。研究者基于18650型電池制作出了新型鋰電池的樣本，有心人
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IR推出全新1200V IGBT 為電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源應(yīng)用提升功率密度和效率
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了
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數(shù)字電源模塊設(shè)計(jì)技巧
越來(lái)越多的工業(yè)和通信應(yīng)用從非隔離型DC/DC電源模塊產(chǎn)品中得到好處，包括可靠性、體積等等，這些好處有助于縮短終端產(chǎn)品的上市時(shí)間，且終端公司也不用再進(jìn)行復(fù)雜的電源設(shè)計(jì)開(kāi)
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利用數(shù)字控制技術(shù)改善功率密度和電源管理功能
在一個(gè)電源系統(tǒng)中有許多地方可以采用數(shù)字技術(shù)，一個(gè)是電源內(nèi)部電路本身，還有就是在系統(tǒng)級(jí)實(shí)現(xiàn)功率管理和監(jiān)控功能[4]。本文將針對(duì)第一種情況進(jìn)行詳細(xì)討論。文中比較了板載電
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PI推出針對(duì)T8燈管替換應(yīng)用的LED驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì) 設(shè)定功率密度新標(biāo)準(zhǔn)
新設(shè)計(jì)為燈管替換應(yīng)用提供了小尺寸、高效率及長(zhǎng)使用壽命的驅(qū)動(dòng)器解決方案用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者降壓-升壓式(DER-337)或降壓式(DER-345)配置可提供0
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提高天線增益改善RFID讀寫距離
無(wú)線射頻辨識(shí)(RFID)讀寫器的讀、寫距離取決于諸多因素，如讀寫器(RFID讀寫器)的傳輸功率、讀寫器的天線增益、讀寫器IC的靈敏度、讀寫器的總體天線效率、周圍物體(尤其是金屬物體)及來(lái)自附近的RFID讀寫器或者類似無(wú)線
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