Axiom GPRS CMOS功率放大器被經緯科技用于手機產品

Axiom Microdevices有限公司近日宣布：中國手機設計制造商經緯科技(Ginwave Technologies)有限公司，廣泛使用AX502四頻GPRS互補金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)到其多款手機中。 這里所指的Axiom Mic

厚膜集成塊功率放大器(STK6153、STK3048)

如圖所示為厚膜集成塊功率放大電路。由圖(a)可知，輸入信號通過阻容耦合電路(電阻為33kΩ，電容為4.7μF)送入STK3048的同相輸入端，經厚膜功放塊STK3048放大后，由其輸出端(引腳5、6)加到功放管Q1、Q2的基極。功放采

2W×2功率放大器(LM1877)

如圖所示為2W×2音頻功率放：該電路采用了雙集成運放LM1877作為放大器件。由圖可知，電路為上、下對稱結構，有兩路信號分別加到LM1877的兩個運放的同相輸入端，其輸出端外接方式相同：由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成

2.5G和3G基站用功率放大器的監(jiān)控

蜂窩通信的發(fā)展與先進調制方案的關系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，設計策略包括實現(xiàn)高線性度同時把功耗減至最小的方法。

2W×2功率放大器(LM1877)

如圖所示為2W×2音頻功率放：該電路采用了雙集成運放LM1877作為放大器件。由圖可知，電路為上、下對稱結構，有兩路信號分別加到LM1877的兩個運放的同相輸入端，其輸出端外接方式相同：由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成

一種寬頻帶大擺幅的三級CMOS功率放大器

設計了一種用于耳機驅動的CMOS功率放大器,該放大器采用0.35 μm雙層多晶硅工藝實現(xiàn),驅動32 Ω的電阻負載.該設計采用三級放大兩級密勒補償?shù)碾娐方Y構,通過提高增益帶寬來提高音頻放大器的性能.仿真結果表明,該電路的開環(huán)直流增益為70 dB,相位裕度達到86.6°,單位增益帶寬為100 MHz.輸出級采用推挽式AB類結構,能有效地提高輸出電壓的擺幅,從而得到電路在低電源電壓下的高驅動能力.結果表明,在3.3 V電源電壓下,電壓輸出擺幅為2.7 V.

2.4GHz CMOS功率放大器設計

本文系統(tǒng)分析了射頻CMOS功率放大器的設計方法，并基于TSMC 0.35μm RF工藝設計了一種工作頻率在2.4GHz，電源電壓為3.3V的三級CMOS功率放大器。

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計

利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計

利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊

用分立元件設計制作功率放大器

Doherty功率放大器研究與設計

Doherty方法被認為是提高效率最有前景的一種結構。前饋與Doherty結構相結合的結構或者數(shù)字預失真與Doherty結合的結構具有很大的價值。

功率放大器設計的關鍵：輸出匹配電路的性能

對于任何功率放大器（功率放大器）設計，輸出匹配電路的性能都是個關鍵。但是，在設計過程中，有一個問題常常為人們所忽視，那就是輸出匹配電路的功率損耗。這些功率損耗出現(xiàn)在匹配網絡的電容器、電感器，以及其他耗能元件中。功率損耗會降低功率放大器的工作效率及功率輸出能力。

數(shù)字音頻功率放大器組成和分類

數(shù)字音頻功率放大器也稱為開關放大器、D類放大器，具有效率高的突出優(yōu)點.放大器由輸入信號處理電路、開關信號形成電路、大功率開關電路和低通濾波器等四部分組成.

數(shù)字電視發(fā)射及中功率放大器的設計

本文采用最新的ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ器件，及平衡放大電路結構設計數(shù)字電視發(fā)射機中的驅動級功率放大器，經過優(yōu)化和調試，滿足系統(tǒng)要求。

CMOS功率放大器技術優(yōu)化單芯片手機方案設計

最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術，這樣，PA就可以被放在一個簡單塑料封裝內。

四頻段GSM/EDGE功率放大器模塊的設計與應用

如何才能實現(xiàn)高效能且多頻段的GSM/EDGE功率放大器模塊？銳迪科微電子新推出的RDA6216提供了一個比較成功的設計方案。

基于輸出功率概率分布優(yōu)化3G手機功率放大器設計

本文探討了一種全新的功率放大器設計概念：其功率放大器的驅動電路在一般情況下都以中低等輸出功率工作，只有在需要高輸出功率時才啟動功耗較高的功率放大器電路。