厚膜集成塊功率放大器(STK6153、STK3048)

如圖所示為厚膜集成塊功率放大電路。由圖(a)可知，輸入信號(hào)通過(guò)阻容耦合電路(電阻為33kΩ，電容為4.7μF)送入STK3048的同相輸入端，經(jīng)厚膜功放塊STK3048放大后，由其輸出端(引腳5、6)加到功放管Q1、Q2的基極。功放采

2W×2功率放大器(LM1877)

如圖所示為2W×2音頻功率放：該電路采用了雙集成運(yùn)放LM1877作為放大器件。由圖可知，電路為上、下對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，有兩路信號(hào)分別加到LM1877的兩個(gè)運(yùn)放的同相輸入端，其輸出端外接方式相同：由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成

2.5G和3G基站用功率放大器的監(jiān)控

蜂窩通信的發(fā)展與先進(jìn)調(diào)制方案的關(guān)系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，設(shè)計(jì)策略包括實(shí)現(xiàn)高線性度同時(shí)把功耗減至最小的方法。

2W×2功率放大器(LM1877)

如圖所示為2W×2音頻功率放：該電路采用了雙集成運(yùn)放LM1877作為放大器件。由圖可知，電路為上、下對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，有兩路信號(hào)分別加到LM1877的兩個(gè)運(yùn)放的同相輸入端，其輸出端外接方式相同：由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成

一種寬頻帶大擺幅的三級(jí)CMOS功率放大器

設(shè)計(jì)了一種用于耳機(jī)驅(qū)動(dòng)的CMOS功率放大器,該放大器采用0.35 μm雙層多晶硅工藝實(shí)現(xiàn),驅(qū)動(dòng)32 Ω的電阻負(fù)載.該設(shè)計(jì)采用三級(jí)放大兩級(jí)密勒補(bǔ)償?shù)碾娐方Y(jié)構(gòu),通過(guò)提高增益帶寬來(lái)提高音頻放大器的性能.仿真結(jié)果表明,該電路的開(kāi)環(huán)直流增益為70 dB,相位裕度達(dá)到86.6°,單位增益帶寬為100 MHz.輸出級(jí)采用推挽式AB類(lèi)結(jié)構(gòu),能有效地提高輸出電壓的擺幅,從而得到電路在低電源電壓下的高驅(qū)動(dòng)能力.結(jié)果表明,在3.3 V電源電壓下,電壓輸出擺幅為2.7 V.

2.4GHz CMOS功率放大器設(shè)計(jì)

本文系統(tǒng)分析了射頻CMOS功率放大器的設(shè)計(jì)方法，并基于TSMC 0.35μm RF工藝設(shè)計(jì)了一種工作頻率在2.4GHz，電源電壓為3.3V的三級(jí)CMOS功率放大器。

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類(lèi)推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類(lèi)推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊

用分立元件設(shè)計(jì)制作功率放大器

Doherty功率放大器研究與設(shè)計(jì)

Doherty方法被認(rèn)為是提高效率最有前景的一種結(jié)構(gòu)。前饋與Doherty結(jié)構(gòu)相結(jié)合的結(jié)構(gòu)或者數(shù)字預(yù)失真與Doherty結(jié)合的結(jié)構(gòu)具有很大的價(jià)值。

功率放大器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵：輸出匹配電路的性能

對(duì)于任何功率放大器（功率放大器）設(shè)計(jì)，輸出匹配電路的性能都是個(gè)關(guān)鍵。但是，在設(shè)計(jì)過(guò)程中，有一個(gè)問(wèn)題常常為人們所忽視，那就是輸出匹配電路的功率損耗。這些功率損耗出現(xiàn)在匹配網(wǎng)絡(luò)的電容器、電感器，以及其他耗能元件中。功率損耗會(huì)降低功率放大器的工作效率及功率輸出能力。

數(shù)字音頻功率放大器組成和分類(lèi)

數(shù)字音頻功率放大器也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)放大器、D類(lèi)放大器，具有效率高的突出優(yōu)點(diǎn).放大器由輸入信號(hào)處理電路、開(kāi)關(guān)信號(hào)形成電路、大功率開(kāi)關(guān)電路和低通濾波器等四部分組成.

數(shù)字電視發(fā)射及中功率放大器的設(shè)計(jì)

本文采用最新的ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ器件，及平衡放大電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的驅(qū)動(dòng)級(jí)功率放大器，經(jīng)過(guò)優(yōu)化和調(diào)試，滿(mǎn)足系統(tǒng)要求。

CMOS功率放大器技術(shù)優(yōu)化單芯片手機(jī)方案設(shè)計(jì)

最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術(shù)，這樣，PA就可以被放在一個(gè)簡(jiǎn)單塑料封裝內(nèi)。

四頻段GSM/EDGE功率放大器模塊的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

如何才能實(shí)現(xiàn)高效能且多頻段的GSM/EDGE功率放大器模塊？銳迪科微電子新推出的RDA6216提供了一個(gè)比較成功的設(shè)計(jì)方案。

基于輸出功率概率分布優(yōu)化3G手機(jī)功率放大器設(shè)計(jì)

本文探討了一種全新的功率放大器設(shè)計(jì)概念：其功率放大器的驅(qū)動(dòng)電路在一般情況下都以中低等輸出功率工作，只有在需要高輸出功率時(shí)才啟動(dòng)功耗較高的功率放大器電路。

基于輸出功率概率分布優(yōu)化3G手機(jī)功率放大器設(shè)計(jì)

本文探討了一種全新的功率放大器設(shè)計(jì)概念：其功率放大器的驅(qū)動(dòng)電路在一般情況下都以中低等輸出功率工作，只有在需要高輸出功率時(shí)才啟動(dòng)功耗較高的功率放大器電路。

AB類(lèi)功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱(chēng)為功率放大電路，簡(jiǎn)稱(chēng)功放。