存儲(chǔ)器
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存儲(chǔ)器需求疲軟，三星Q2盈利下跌超50%
韓國三星電子5日公布了2019年第2季財(cái)報(bào)展望。三星表示，由于存儲(chǔ)器芯片的價(jià)格和需求持續(xù)疲軟的沖擊下，第2季的利潤較2018年同期減少了56%，減幅過半。而該項(xiàng)消息一出，立即影響了三星的股價(jià)。
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受東芝停電事故影響，NAND 晶圓供應(yīng)恐將下跌？
東芝存儲(chǔ)與合作伙伴西部數(shù)據(jù)在周五披露，6月15日位于日本工廠的13分鐘的停電造成了生產(chǎn)設(shè)施停工，預(yù)計(jì)在7月中旬才能恢復(fù)運(yùn)營。
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Flash數(shù)據(jù)內(nèi)容丟失原因
在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。
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存儲(chǔ)器價(jià)格的降低將導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)危機(jī)？半導(dǎo)體行業(yè)制定解決方案
隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器的制造方式得到相當(dāng)大的改進(jìn)，這也使得存儲(chǔ)器的價(jià)格在逐漸降低。那么，存儲(chǔ)器價(jià)格的降低，會(huì)對一些半導(dǎo)體以及存儲(chǔ)器廠商造成不良影響嗎?
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力旺 NeoFuse 技術(shù)成功導(dǎo)入華邦電25nm DRAM制程
IP公司力旺電子25日宣布其一次可編程(OTP)存儲(chǔ)器硅智財(cái)NeoFuse成功導(dǎo)入華邦電25納米DRAM制程平臺(tái)，且即將進(jìn)入量產(chǎn)階段，有助于客戶在車用、工業(yè)、5G通信等新的市場應(yīng)用取得先機(jī)。
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存儲(chǔ)器價(jià)格不斷走跌，韓企營收受沖擊
存儲(chǔ)器市況需求冷淡，價(jià)格不斷走跌，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌至3美元出頭，三星電子零售用標(biāo)準(zhǔn)型8GB DRAM更首次跌破3萬韓元，韓媒《朝鮮日報(bào)》指出，存儲(chǔ)器價(jià)格的跌勢，可能沖擊三星電子、SK海力士的營收。
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基于AT89S51的存儲(chǔ)器地址空間分配
在實(shí)際的單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，往往既需要擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器，又需要擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(I/O接口芯片中的寄存器也作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的一部分)，如何把片外的兩個(gè)64KB地址空間分配給各個(gè)程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器芯片，并且使程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的各芯片之間，一個(gè)存儲(chǔ)器單元只對應(yīng)一個(gè)地址，避免單片機(jī)發(fā)出一個(gè)地址時(shí)同時(shí)訪問兩個(gè)單元，而發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。這就是存儲(chǔ)器的地址空間的分配問題。
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AT89S51存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)
AT89S51單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)之一是將程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分開(稱為哈佛結(jié)構(gòu))，并有各自的對這兩個(gè)不同的存儲(chǔ)器空間的訪問指令。
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華邦電搶市 研發(fā)20納米DRAM
利基型存儲(chǔ)器廠華邦電近日召開股東會(huì)，總經(jīng)理詹東義表示，今年希望對主要客戶的滲透率持續(xù)成長，自行開發(fā)的20納米制程DRAM技術(shù)將于明年底到位，未來將在高雄新廠投產(chǎn)。
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X5045組成的看門狗電路及51讀寫x5045存儲(chǔ)器的程序
X5045是一種集看門狗、電壓監(jiān)控和串行EEPROM 三種功能于一身的可編程控制電路.特別適合應(yīng)用在需要少量存儲(chǔ)器,并對電路板空間需求較高場合,
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數(shù)據(jù)壓縮算法：對于程序員來說，這項(xiàng)新技術(shù)特別實(shí)用
注：【 圖片來源：MIT CSAIL 所有者：MIT CSAIL 】數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)之一，就是通過消除冗余來釋放存儲(chǔ)容量，提高計(jì)算速度，或是帶來其他好處。但是，在目前的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，訪問主存的成本很大。因
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最新的存儲(chǔ)器路線圖分享
去年IEDM（國際電子器件會(huì)議）期間的一個(gè)周日的夜晚，TechInsights舉辦了一場招待會(huì)，Arabinda Das和Jeongdong Choe在會(huì)上做了演講，吸引了一屋子的與會(huì)者。Arabin
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今年存儲(chǔ)器市場銷售額恐衰減三成，明年才能恢復(fù)增長
中美貿(mào)易戰(zhàn)下，存儲(chǔ)器市場波動(dòng)情形持續(xù)受關(guān)注，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技近日舉行“Compuforum 2019：資料經(jīng)濟(jì)大未來”研討會(huì)，資深協(xié)理吳雅婷預(yù)估，今年整體DRAM銷售額將年減29.3%，整體NAND Flash業(yè)績則將較去年下滑27.3%，不過，兩者均將在明年恢復(fù)正成長。
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單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
我們來思考一個(gè)問題，當(dāng)我們在編程器中把一條指令寫進(jìn)單片要內(nèi)部，然后取下單片機(jī)，單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方，并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可以保持這條指令不會(huì)丟失，這是個(gè)什么地方呢？這個(gè)地方就是單片機(jī)內(nèi)部的只讀存儲(chǔ)器即ROM（READ ONLY MEMORY）。為什么稱它為只讀存儲(chǔ)器呢？剛才我們不是明明把兩個(gè)數(shù)字寫進(jìn)去了嗎？原來在89C51中的ROM是一種電可擦除的ROM，稱為FLASH ROM，剛才我們是用的編程器，在特殊的條件下由外部設(shè)備對ROM進(jìn)行寫的操作，在單片機(jī)正常工作條件下，只能從那面讀，不能把數(shù)據(jù)寫進(jìn)去，所以我們還是把它稱為ROM。
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次世代存儲(chǔ)器有望于2020年打入市場，資料中心等特殊領(lǐng)域率先采用
May 20, 2019 ---- 不論是DRAM或NAND Flash，現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限，這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺(tái)架構(gòu)的前提下找到新的解決方案，Intel Optane等次世代存儲(chǔ)器近年來廣受討論。
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居龍：消費(fèi)寒冬影響半導(dǎo)體需求，增長或放緩
5月20日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI) 全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍指出，2018年第四季度全球半導(dǎo)體景氣已經(jīng)呈現(xiàn)降溫，主要受到手機(jī)、PC 需求逐漸下滑影響，再加上服務(wù)器的需求也不如預(yù)期。而這波寒冬仍將影響今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，整體產(chǎn)業(yè)成長趨勢將會(huì)放緩。
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市場競爭激烈！只做存儲(chǔ)控制器，不做解決方案能否有出路？
集微網(wǎng)消息，今日于上海舉辦的GSA Memory+高峰論壇上，群聯(lián)電子董事長兼首席執(zhí)行官潘健成表示對于包含著四個(gè)主要要素計(jì)算、存儲(chǔ)、連接及傳感的IoT行業(yè)，NAND存儲(chǔ)是關(guān)鍵。
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第一顆國產(chǎn)高速8口 SPI NOR Flash產(chǎn)品面世！
萬物互聯(lián)將創(chuàng)造出越來越多的商業(yè)機(jī)遇，各行各業(yè)都對其充滿期待，NOR Flash這個(gè)“大存儲(chǔ)”產(chǎn)業(yè)鏈中的“小市場”也不例外。
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40ZB總數(shù)據(jù)量！存儲(chǔ)器發(fā)展現(xiàn)狀與巨大市場的機(jī)遇
市場的風(fēng)口下，中國公司能否抓住這次機(jī)遇？
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乘勝追擊！三星將發(fā)布業(yè)界首款7nm EUV AP！
今天的存儲(chǔ)器類型可以勝任各項(xiàng)工作，但它們正在掙扎地追趕系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和帶寬需求的爆炸性增長。
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