
2026年4月3日,中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 公布了將于2026年5月27日在荷蘭阿姆斯特丹舉行的2026年股東大會(huì)的提案。
March 31, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器價(jià)格調(diào)查,2026年第二季因DRAM原廠積極將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、Server應(yīng)用,并采用“補(bǔ)漲”策略拉近各類產(chǎn)品價(jià)差,盡管終端市場面臨出貨下修風(fēng)險(xiǎn),預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)格仍將季增58-63%。NAND Flash市場持續(xù)由AI、數(shù)據(jù)中心需求主導(dǎo),全產(chǎn)品線連鎖漲價(jià)的效應(yīng)不減,預(yù)計(jì)第二季整體合約價(jià)格將季增70-75%。
加碼布局中國市場,助力MRAM與磁傳感器的本土研發(fā)與制造
搭載SuperFlash?存儲(chǔ)器,Mythic的APU實(shí)現(xiàn)120 TOPS/W的低功耗AI推理性能
在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域,EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)曾長期占據(jù)主流地位,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備的參數(shù)存儲(chǔ)、日志記錄等場景。但隨著工業(yè)控制、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)性能提出更高要求,F(xiàn)RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)憑借其獨(dú)特的鐵電材料特性,在讀寫速度、功耗控制和數(shù)據(jù)可靠性三大核心維度實(shí)現(xiàn)對(duì)EEPROM的全面超越,成為高端嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選存儲(chǔ)方案。
隨著醫(yī)療技術(shù)向精準(zhǔn)化、便攜化轉(zhuǎn)型,便攜式醫(yī)療設(shè)備正逐步重塑慢病管理、康復(fù)治療與緊急診療的模式,從可穿戴健康監(jiān)測儀、便攜式心電監(jiān)護(hù)儀到植入式神經(jīng)刺激器,這類設(shè)備需在有限體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)數(shù)據(jù)采集、長期穩(wěn)定存儲(chǔ)與低功耗運(yùn)行,對(duì)存儲(chǔ)器件的性能提出了極致嚴(yán)苛的要求。鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)憑借其基于鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電薄膜的獨(dú)特存儲(chǔ)原理,融合了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的高速特性與非易失性存儲(chǔ)器的穩(wěn)定優(yōu)勢,突破了傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的瓶頸,成為便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想存儲(chǔ)解決方案,其關(guān)鍵優(yōu)勢精準(zhǔn)契合醫(yī)療設(shè)備的核心需求,為設(shè)備性能升級(jí)與臨床應(yīng)用落地提供了堅(jiān)實(shí)支撐。
March 10, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新筆電產(chǎn)業(yè)研究,2026年全球筆電市場正面臨需求疲弱、成本上升的雙重壓力,除了存儲(chǔ)器價(jià)格快速攀升,CPU價(jià)格也開始上調(diào)。據(jù)TrendForce集邦咨詢估計(jì),若要維持品牌廠、渠道端的既有毛利率結(jié)構(gòu),一臺(tái)原建議售價(jià)(MSRP)為900美元的主流機(jī)種,終端售價(jià)漲幅可能將逼近40%。
擴(kuò)展nRF54L 系列以涵蓋更廣泛的應(yīng)用,包括對(duì)成本敏感的低功耗藍(lán)牙產(chǎn)品。
March 5, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新手機(jī)面板調(diào)查,由于占手機(jī)成本極高的存儲(chǔ)器缺貨與價(jià)格攀升,沖擊了品牌對(duì)2026年的出貨規(guī)劃,更削弱面板出貨動(dòng)能。預(yù)估2026年全球手機(jī)面板出貨量約為21.4億片,較2025年23.1億片下滑約7.3%,結(jié)束了自2023年以來的成長周期,首度轉(zhuǎn)為年減態(tài)勢。
Feb. 11, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機(jī)研究,2026年全球手機(jī)生產(chǎn)表現(xiàn)受存儲(chǔ)器價(jià)格高漲影響,恐呈現(xiàn)10%的年衰退,總量約降至11.35億支。然而,存儲(chǔ)器漲勢未歇,加劇終端售價(jià)與消費(fèi)者期望之間的差距,恐導(dǎo)致終端需求更加疲弱。因此,TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步預(yù)測在悲觀情境(bear-case scenario)下,今年全球手機(jī)生產(chǎn)年減幅度將擴(kuò)大至15%或更高;各品牌因產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、區(qū)域布局不同,受沖擊程度也將有所差異。
Feb. 9, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示,受惠于AI浪潮的推升,存儲(chǔ)器與晶圓代工產(chǎn)值均將在2026年同步創(chuàng)下新高。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)受供給吃緊與價(jià)格飆升影響,產(chǎn)值規(guī)模大幅擴(kuò)張至 5,516 億美元。盡管晶圓代工產(chǎn)值同步創(chuàng)下 2,187 億美元的新高紀(jì)錄,但存儲(chǔ)器產(chǎn)值規(guī)模已攀升至晶圓代工的 2 倍以上。
2月3日消息,TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研報(bào)顯示,受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動(dòng),全球存儲(chǔ)器市場供需失衡加劇,2026年第一季度(Q1)DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價(jià)格全面大幅上漲,多個(gè)細(xì)分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高,且不排除后續(xù)進(jìn)一步上修的可能。
Feb. 2, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)調(diào)查,2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲(chǔ)器供需失衡,原廠議價(jià)能力有增無減,TrendForce集邦咨詢據(jù)此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季成長幅度,預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的季增55-60%,改為上漲90-95%,NAND Flash合約價(jià)則從季增33-38%上調(diào)至55-60%,并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。
Jan. 29, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新電視出貨調(diào)查,2026年電視產(chǎn)業(yè)面臨存儲(chǔ)器、面板、貴金屬價(jià)格同時(shí)上漲,生產(chǎn)成本隨之攀高,品牌在獲利與市占間的拉鋸將更加明顯,預(yù)估全年電視出貨量將由先前預(yù)計(jì)的年減0.3%,下調(diào)至年減0.6%,降至約1億9,481萬臺(tái)。此外,因現(xiàn)有成本結(jié)構(gòu)已難以支撐過往的低價(jià)策略,新機(jī)種零售價(jià)調(diào)漲已勢在必行。
Jan. 26, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新筆電產(chǎn)業(yè)調(diào)查,全球筆電品牌自2025年下半年起面臨存儲(chǔ)器價(jià)格顯著上漲的壓力,2026年初開始,又遭遇CPU階段性供給缺口、價(jià)格調(diào)漲的壓力,加上包括PCB、電池、電源管理IC等零部件成本同步上行,預(yù)估將導(dǎo)致2026年第一季全球筆電出貨季減14.8%,恐難符合品牌原先預(yù)期。
Jan. 22, 2026 ---- 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新研究,AI的創(chuàng)新帶來市場結(jié)構(gòu)性變化,數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴(kuò)大,除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產(chǎn)品配置,以支撐大型模型參數(shù)存取、長序列推理與多任務(wù)并行運(yùn)作之外,NAND Flash也是高速數(shù)據(jù)流動(dòng)的關(guān)鍵基礎(chǔ)元件,因此存儲(chǔ)器已成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)中不可或缺的關(guān)鍵資源,更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產(chǎn)能之下必須達(dá)成更多的分配,帶動(dòng)報(bào)價(jià)不斷上漲,連帶使得整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逐年創(chuàng)高,預(yù)估2026年達(dá)5,516億美元,2027年則將再創(chuàng)高峰達(dá)8,427億美元,年增53%。
在人工智能、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算等新興應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,計(jì)算系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)體系的速度、功耗與穩(wěn)定性提出了更高要求。傳統(tǒng)由SRAM、DRAM構(gòu)成的高速緩存層級(jí),因易失性、高功耗、集成度瓶頸等問題,逐漸難以滿足“后DRAM時(shí)代”的發(fā)展需求。磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為兼具高速、低功耗與非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù),憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢,正成為重構(gòu)各級(jí)高速緩存架構(gòu)的理想候選方案,為存儲(chǔ)體系變革注入新活力。
在數(shù)字時(shí)代,存儲(chǔ)器是電子設(shè)備的核心基石,而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率,始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢,卻因易失性缺陷,斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失,需依賴額外存儲(chǔ)介質(zhì)備份;非易失性存儲(chǔ)器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù),卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今,新型RAM融合超級(jí)電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲(chǔ)原理,成功打破這一固有矛盾,實(shí)現(xiàn)斷電時(shí)數(shù)據(jù)安全留存,為存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來顛覆性變革。
SST創(chuàng)新的ESF4技術(shù)結(jié)合UMC 28HPC+工藝,為汽車控制器提供完整的車規(guī)1級(jí)性能與可靠性,同時(shí)大幅減少掩模工序
Jan. 15, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機(jī)研究,自2025年下半年起,手機(jī)市場面臨存儲(chǔ)器供給吃緊、價(jià)格飆漲的雙重壓力,導(dǎo)致終端產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)、需求轉(zhuǎn)弱等連鎖反應(yīng)。盡管各品牌目前尚未顯著下修2026年第一季生產(chǎn)計(jì)劃,但預(yù)估在此輪新機(jī)不堪成本壓力而進(jìn)行終端售價(jià)調(diào)漲的影響下,品牌生產(chǎn)表現(xiàn)將于第二季開始明顯走弱。