
Feb. 11, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機(jī)研究,2026年全球手機(jī)生產(chǎn)表現(xiàn)受存儲(chǔ)器價(jià)格高漲影響,恐呈現(xiàn)10%的年衰退,總量約降至11.35億支。然而,存儲(chǔ)器漲勢(shì)未歇,加劇終端售價(jià)與消費(fèi)者期望之間的差距,恐導(dǎo)致終端需求更加疲弱。因此,TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步預(yù)測(cè)在悲觀情境(bear-case scenario)下,今年全球手機(jī)生產(chǎn)年減幅度將擴(kuò)大至15%或更高;各品牌因產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、區(qū)域布局不同,受沖擊程度也將有所差異。
Feb. 9, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示,受惠于AI浪潮的推升,存儲(chǔ)器與晶圓代工產(chǎn)值均將在2026年同步創(chuàng)下新高。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)受供給吃緊與價(jià)格飆升影響,產(chǎn)值規(guī)模大幅擴(kuò)張至 5,516 億美元。盡管晶圓代工產(chǎn)值同步創(chuàng)下 2,187 億美元的新高紀(jì)錄,但存儲(chǔ)器產(chǎn)值規(guī)模已攀升至晶圓代工的 2 倍以上。
2月3日消息,TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研報(bào)顯示,受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動(dòng),全球存儲(chǔ)器市場供需失衡加劇,2026年第一季度(Q1)DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價(jià)格全面大幅上漲,多個(gè)細(xì)分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高,且不排除后續(xù)進(jìn)一步上修的可能。
Feb. 2, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)調(diào)查,2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲(chǔ)器供需失衡,原廠議價(jià)能力有增無減,TrendForce集邦咨詢據(jù)此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季成長幅度,預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的季增55-60%,改為上漲90-95%,NAND Flash合約價(jià)則從季增33-38%上調(diào)至55-60%,并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。
Jan. 29, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新電視出貨調(diào)查,2026年電視產(chǎn)業(yè)面臨存儲(chǔ)器、面板、貴金屬價(jià)格同時(shí)上漲,生產(chǎn)成本隨之攀高,品牌在獲利與市占間的拉鋸將更加明顯,預(yù)估全年電視出貨量將由先前預(yù)計(jì)的年減0.3%,下調(diào)至年減0.6%,降至約1億9,481萬臺(tái)。此外,因現(xiàn)有成本結(jié)構(gòu)已難以支撐過往的低價(jià)策略,新機(jī)種零售價(jià)調(diào)漲已勢(shì)在必行。
Jan. 26, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新筆電產(chǎn)業(yè)調(diào)查,全球筆電品牌自2025年下半年起面臨存儲(chǔ)器價(jià)格顯著上漲的壓力,2026年初開始,又遭遇CPU階段性供給缺口、價(jià)格調(diào)漲的壓力,加上包括PCB、電池、電源管理IC等零部件成本同步上行,預(yù)估將導(dǎo)致2026年第一季全球筆電出貨季減14.8%,恐難符合品牌原先預(yù)期。
Jan. 22, 2026 ---- 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新研究,AI的創(chuàng)新帶來市場結(jié)構(gòu)性變化,數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴(kuò)大,除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產(chǎn)品配置,以支撐大型模型參數(shù)存取、長序列推理與多任務(wù)并行運(yùn)作之外,NAND Flash也是高速數(shù)據(jù)流動(dòng)的關(guān)鍵基礎(chǔ)元件,因此存儲(chǔ)器已成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)中不可或缺的關(guān)鍵資源,更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產(chǎn)能之下必須達(dá)成更多的分配,帶動(dòng)報(bào)價(jià)不斷上漲,連帶使得整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逐年創(chuàng)高,預(yù)估2026年達(dá)5,516億美元,2027年則將再創(chuàng)高峰達(dá)8,427億美元,年增53%。
在人工智能、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算等新興應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,計(jì)算系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)體系的速度、功耗與穩(wěn)定性提出了更高要求。傳統(tǒng)由SRAM、DRAM構(gòu)成的高速緩存層級(jí),因易失性、高功耗、集成度瓶頸等問題,逐漸難以滿足“后DRAM時(shí)代”的發(fā)展需求。磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為兼具高速、低功耗與非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù),憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì),正成為重構(gòu)各級(jí)高速緩存架構(gòu)的理想候選方案,為存儲(chǔ)體系變革注入新活力。
在數(shù)字時(shí)代,存儲(chǔ)器是電子設(shè)備的核心基石,而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率,始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢(shì),卻因易失性缺陷,斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失,需依賴額外存儲(chǔ)介質(zhì)備份;非易失性存儲(chǔ)器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù),卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今,新型RAM融合超級(jí)電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲(chǔ)原理,成功打破這一固有矛盾,實(shí)現(xiàn)斷電時(shí)數(shù)據(jù)安全留存,為存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來顛覆性變革。
SST創(chuàng)新的ESF4技術(shù)結(jié)合UMC 28HPC+工藝,為汽車控制器提供完整的車規(guī)1級(jí)性能與可靠性,同時(shí)大幅減少掩模工序
Jan. 15, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機(jī)研究,自2025年下半年起,手機(jī)市場面臨存儲(chǔ)器供給吃緊、價(jià)格飆漲的雙重壓力,導(dǎo)致終端產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)、需求轉(zhuǎn)弱等連鎖反應(yīng)。盡管各品牌目前尚未顯著下修2026年第一季生產(chǎn)計(jì)劃,但預(yù)估在此輪新機(jī)不堪成本壓力而進(jìn)行終端售價(jià)調(diào)漲的影響下,品牌生產(chǎn)表現(xiàn)將于第二季開始明顯走弱。
在信息化戰(zhàn)爭形態(tài)加速演變的背景下,電子戰(zhàn)系統(tǒng)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)信號(hào)對(duì)抗向智能認(rèn)知戰(zhàn)的跨越式發(fā)展。數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(Digital Radio Frequency Memory, DRFM)作為第三代電子戰(zhàn)技術(shù)的核心器件,其通過將射頻信號(hào)數(shù)字化存儲(chǔ)與實(shí)時(shí)處理的能力,徹底改變了傳統(tǒng)電子戰(zhàn)裝備的戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用模式。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應(yīng)用,以滿足AI Server需求,導(dǎo)致其他市場供給嚴(yán)重緊縮,預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能,和Server強(qiáng)勁拉貨排擠其他應(yīng)用,預(yù)計(jì)各類產(chǎn)品合約價(jià)持續(xù)上漲33-38%。
Dec. 30, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,在整體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道有限、消費(fèi)行為趨于保守的背景下,快速上升的存儲(chǔ)器價(jià)格正持續(xù)侵蝕筆電品牌的獲利及定價(jià)彈性。因此,TrendForce集邦咨詢?cè)俣认抡{(diào)2026年全球筆電出貨預(yù)估至年減5.4%,降至近1.73億臺(tái),以反映品牌面對(duì)成本壓力擴(kuò)大,對(duì)庫存、促銷與產(chǎn)品配置采取的保守態(tài)度。
在5G通信、工業(yè)控制等高性能嵌入式系統(tǒng)中,Cyclone V FPGA憑借其低功耗與高性價(jià)比特性成為主流選擇。其片上存儲(chǔ)器資源(M10K和MLAB)的優(yōu)化配置直接影響系統(tǒng)性能與資源利用率。本文基于Quartus Prime工具鏈,結(jié)合Cyclone V器件特性,提出一套從代碼級(jí)到架構(gòu)級(jí)的存儲(chǔ)器優(yōu)化與布局策略。
在醫(yī)療技術(shù)向精準(zhǔn)化、便攜化轉(zhuǎn)型的浪潮中,便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)正重塑康復(fù)治療與慢病管理模式。從輔助神經(jīng)康復(fù)的便攜式神經(jīng)刺激儀,到維持心臟節(jié)律的植入式心臟刺激器,這類設(shè)備需實(shí)時(shí)捕獲生理數(shù)據(jù)、執(zhí)行復(fù)雜刺激算法,對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性、時(shí)效性和低功耗特性提出了極致要求。FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)憑借其獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)原理,突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)瓶頸,成為便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的理想存儲(chǔ)解決方案,為醫(yī)療設(shè)備的性能升級(jí)注入關(guān)鍵動(dòng)力。
在本節(jié)中使用了列0的SHIM DMA(0,0), MEM Tile(0,1)和Core(0,2)。存儲(chǔ)在L3存儲(chǔ)器上的一組預(yù)定義數(shù)據(jù)流進(jìn)入NPU復(fù)合體。數(shù)據(jù)通過MEM內(nèi)存從SHM DMA路由到Core,然后路由回來。接收到的輸出流被捕獲并與參考進(jìn)行比較。
全新的OP03021全彩場序LCOS面板是目前市場上唯一一款將陣列、驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)器集成到超低功耗單芯片架構(gòu)中的智能眼鏡解決方案
Dec. 10, 2025 ---- 據(jù)新華社報(bào)道,美國將允許NVIDIA(英偉達(dá))向中國出口H200芯片,TrendForce集邦咨詢表示,H200效能較H20大幅提升,對(duì)終端客戶具有吸引力,若2026年能順利銷售,預(yù)期中國CSP(云端服務(wù)業(yè)者)、OEM皆有望積極采購。
Dec. 2, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布報(bào)告,受到存儲(chǔ)器價(jià)格飆漲影響,消費(fèi)性電子產(chǎn)品整機(jī)成本大幅拉升,并迫使終端產(chǎn)品定價(jià)上調(diào),進(jìn)而沖擊消費(fèi)市場。TrendForce集邦咨詢繼11月上旬下修2026年全球智能手機(jī)及筆電的生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè)后,此次也下修游戲主機(jī)2026年出貨預(yù)測(cè),從原先預(yù)估的年減3.5%調(diào)降至年減4.4%。