
存儲(chǔ)器是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路。存儲(chǔ)器的架構(gòu)可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等類(lèi)型。
2025年11月19日,中國(guó)– 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST) (紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了新一代高性能微控制器(MCU)STM32V8。為要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì),STM32V8在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)克羅勒300毫米晶圓廠生產(chǎn),采用意法半導(dǎo)體18納米先進(jìn)工藝制造,并集成優(yōu)異的嵌入式相變存儲(chǔ)器 (PCM),,同時(shí)該系列產(chǎn)品還在三星晶圓代工廠生產(chǎn)。STM32產(chǎn)品家族應(yīng)用廣泛,被全球數(shù)十億臺(tái)產(chǎn)品設(shè)備采用,涵蓋消費(fèi)電子產(chǎn)品、家用電器、工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備、通信節(jié)點(diǎn)等領(lǐng)域。
Nov. 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查顯示,2026年全球市場(chǎng)仍面臨不確定性,通脹持續(xù)干擾消費(fèi)市場(chǎng)表現(xiàn),更關(guān)鍵的是,存儲(chǔ)器步入強(qiáng)勁上行周期,導(dǎo)致整機(jī)成本上揚(yáng),并將迫使終端定價(jià)上調(diào),進(jìn)而沖擊消費(fèi)市場(chǎng)?;诖耍琓rendForce集邦咨詢(xún)下修2026年全球智能手機(jī)及筆電的生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè),從原先的年增0.1%及1.7%,分別調(diào)降至年減2%及2.4%。此外,若存儲(chǔ)器供需失衡加劇,或終端售價(jià)上調(diào)幅度超出預(yù)期,生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè)仍有進(jìn)一步下修風(fēng)險(xiǎn)。
Nov. 13, 2025 ----- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查顯示,隨著存儲(chǔ)器平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)持續(xù)提升,供應(yīng)商獲利也有所增加,DRAM與NAND Flash后續(xù)的資本支出將會(huì)持續(xù)上漲,但對(duì)于2026年的位元產(chǎn)出成長(zhǎng)的助力有限。DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)的投資重心正逐漸轉(zhuǎn)變,從單純地?cái)U(kuò)充產(chǎn)能,轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價(jià)值產(chǎn)品。
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)(NVM)技術(shù),其特性對(duì)當(dāng)今的尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一,其連接安全產(chǎn)品部綜合市場(chǎng)業(yè)務(wù)線總監(jiān) Sylvain Fidelis在本文中介紹了NVM技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì),以及讓EEPROM成為當(dāng)前和未來(lái)工程師的首選存儲(chǔ)器的關(guān)鍵因素。
在實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中,F(xiàn)PGA憑借其并行處理能力和低延遲特性,成為構(gòu)建高性能視覺(jué)處理系統(tǒng)的核心器件。然而,高分辨率視頻流(如8K@60fps)的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)48Gbps,對(duì)存儲(chǔ)器映射和幀緩存管理提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。本文將深入探討FPGA中基于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的幀緩存架構(gòu)優(yōu)化,以及行緩存與FIFO的協(xié)同設(shè)計(jì)策略。
在醫(yī)療技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的當(dāng)下,便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)憑借其便捷性、可移動(dòng)性以及能為患者提供實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與治療的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用范圍不斷拓展。從常見(jiàn)的便攜式神經(jīng)刺激儀輔助康復(fù)治療,到植入式心臟刺激器維持心臟正常節(jié)律,這類(lèi)系統(tǒng)正深刻改變醫(yī)療模式,提升患者生活質(zhì)量與醫(yī)療效率。
雖然AI引擎是軟件可編程的,但為了在改善AI引擎的延遲和吞吐量方面獲得最佳結(jié)果,了解實(shí)際硬件上發(fā)生的事情非常重要。如果你是一個(gè)FPGA設(shè)計(jì)者,你會(huì)發(fā)現(xiàn)很多并行的FPGA編碼。
智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)的快速發(fā)展,使非易失性存儲(chǔ)器從傳統(tǒng)的 “數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)” 升級(jí)為支撐整車(chē)智能化的核心組件。其選型需滿(mǎn)足三重核心訴求:極端環(huán)境耐受性(-40℃~125℃寬溫、抗震動(dòng)與電磁干擾)、全生命周期可靠性(10 年以上數(shù)據(jù)保留、數(shù)萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命)、場(chǎng)景化性能適配(從毫秒級(jí)響應(yīng)到 TB 級(jí)容量需求)。不同車(chē)載系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)的需求差異顯著,例如智能座艙追求讀取速度,ADAS 系統(tǒng)側(cè)重寫(xiě)入性能,而車(chē)身控制模塊則看重低功耗與穩(wěn)定性,這為選型提供了首要判斷依據(jù)。
新竹2025年10月2日 /美通社/ -- 全球硅智財(cái)(IP)領(lǐng)先供應(yīng)商円星科技(M31 Technology Corporation,下稱(chēng) M31)今日于臺(tái)積公司北美開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)®(OIP)生態(tài)系論壇宣布,延續(xù)先前在臺(tái)積電N...
汽車(chē)電氣化趨勢(shì)已勢(shì)不可擋。這一變革將有助于減少污染和化石燃料的消耗,為環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展帶來(lái)顯著的好處。當(dāng)前的技術(shù)進(jìn)步正在加速電氣化進(jìn)程。如今的電動(dòng)汽車(chē)在一次充電后的續(xù)航里程已可媲美加滿(mǎn)油的傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車(chē),同時(shí)在加速性能方面也毫不遜色,甚至更勝一籌。全球每年生產(chǎn)約1億輛新車(chē),鋰離子電池的應(yīng)用達(dá)到了空前的規(guī)模。電動(dòng)汽車(chē)(EV)制造商將因此面臨一系列新的挑戰(zhàn),而妥善應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)已成為行業(yè)的當(dāng)務(wù)之急。首先,安全始終是首要考量,這不僅關(guān)乎車(chē)內(nèi)人員,對(duì)行人和其他車(chē)輛中的人員也同樣重要。
在現(xiàn)代汽車(chē)系統(tǒng)中,由于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、圖形儀表、車(chē)身控制和信息娛樂(lè)系統(tǒng)的快速發(fā)展,系統(tǒng)的復(fù)雜度日益增加。為了確保這些系統(tǒng)在各種條件下都能穩(wěn)定、安全地運(yùn)行,非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory, NVM)扮演了關(guān)鍵角色。非易失性存儲(chǔ)器在斷電或系統(tǒng)復(fù)位后仍能保留數(shù)據(jù),這對(duì)于存儲(chǔ)關(guān)鍵的可執(zhí)行代碼、校準(zhǔn)參數(shù)、安全信息以及安全防護(hù)數(shù)據(jù)至關(guān)重要。
June 24, 2025 ---- 近期市場(chǎng)對(duì)于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷認(rèn)為,該系列產(chǎn)品受限于存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張等因素,出貨量是否能如市場(chǎng)期待,仍有變量。
在人工智能訓(xùn)練、實(shí)時(shí)圖形渲染與科學(xué)計(jì)算領(lǐng)域,存儲(chǔ)器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作,分別通過(guò)三維堆疊與信號(hào)調(diào)制技術(shù)的突破,為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)設(shè)計(jì)、性能參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及生態(tài)布局四個(gè)維度,深度解析兩種技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)格局與演進(jìn)方向。
傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)逼近物理極限,鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性,成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過(guò)將鐵電材料集成至晶體管柵極,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)與邏輯功能的深度融合,其物理機(jī)制涵蓋從原子級(jí)極化調(diào)控到器件級(jí)非易失性操作的完整鏈條。
數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤(pán)陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級(jí)延遲與高IOPS性能重塑存儲(chǔ)性能基準(zhǔn),而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過(guò)填補(bǔ)DRAM與SSD之間的性能鴻溝,重新定義了近內(nèi)存計(jì)算范式。這兩大技術(shù)的演進(jìn)路徑,不僅反映了存儲(chǔ)介質(zhì)的技術(shù)突破,更揭示了數(shù)據(jù)中心在容量、性能與成本平衡中的創(chuàng)新邏輯。
AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張,存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化,ECC技術(shù)正通過(guò)多維度創(chuàng)新,將內(nèi)存錯(cuò)誤率降低至每萬(wàn)億小時(shí)1次以下,為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保障。
存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈安全已成為國(guó)家戰(zhàn)略的核心命題,從晶圓代工到封裝測(cè)試,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正通過(guò)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破與生態(tài)重構(gòu),走出一條從“受制于人”到“自主可控”的替代之路。這條路徑不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全,更承載著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的技術(shù)主權(quán)。
AI算力需求爆炸式增長(zhǎng),存儲(chǔ)器封裝技術(shù)正經(jīng)歷從2.5D到3D異構(gòu)集成的范式變革。這種變革不僅重構(gòu)了芯片間的物理連接方式,更對(duì)散熱設(shè)計(jì)與信號(hào)完整性提出了全新挑戰(zhàn)。本文從封裝架構(gòu)演進(jìn)、散熱機(jī)制創(chuàng)新與信號(hào)完整性保障三個(gè)維度,解析新一代存儲(chǔ)器封裝技術(shù)的核心突破。
數(shù)據(jù)成為核心生產(chǎn)要素的時(shí)代,存儲(chǔ)器安全技術(shù)已成為保障數(shù)字資產(chǎn)隱私與完整性的關(guān)鍵防線。從早期基于硬件的加密引擎到現(xiàn)代可信執(zhí)行環(huán)境(TEE)的生態(tài)構(gòu)建,存儲(chǔ)器安全技術(shù)經(jīng)歷了從單一防護(hù)到體系化協(xié)同的演進(jìn)。本文從硬件加密引擎、存儲(chǔ)器控制器安全增強(qiáng)、到TEE架構(gòu)設(shè)計(jì)三個(gè)維度,解析存儲(chǔ)器安全技術(shù)的核心突破與應(yīng)用場(chǎng)景。