Nov. 13, 2025 ----- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，隨著存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)持續(xù)提升，供應(yīng)商獲利也有所增加，DRAM與NAND Flash后續(xù)的資本支出將會(huì)持續(xù)上漲，但對(duì)于2026年的位元產(chǎn)出成長的助力有限。DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)的投資重心正逐漸轉(zhuǎn)變，從單純地?cái)U(kuò)充產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價(jià)值產(chǎn)品。

其中，DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出在2025年預(yù)計(jì)將達(dá)到537.14億美元，預(yù)計(jì)在2026年進(jìn)一步成長至613億美元，年增率達(dá)14%。NAND Flash部分，資本支出在2025年預(yù)計(jì)為211億美元，2026年預(yù)計(jì)小幅增長至222億美元，年增約5%。

在DRAM各供應(yīng)商中，Micron(美光科技)被認(rèn)為是最積極的廠商，其2026年資本支出預(yù)計(jì)達(dá)135億美元，年增23%，主要專注于1 gamma制程滲透和TSV設(shè)備建置。SK hynix(SK海力士)的增幅也十分顯著，2026年預(yù)計(jì)為205億美元，年增17%，以應(yīng)對(duì)M15x的HBM4產(chǎn)能擴(kuò)張。Samsung(三星)預(yù)計(jì)投入200億美元，年增11%，用于HBM的1C制程滲透及小幅增加P4L晶圓產(chǎn)能。

TrendForce集邦咨詢指出，目前在無塵室空間也有不足供應(yīng)的情況，檢視所有DRAM供應(yīng)商的產(chǎn)能空間，僅有Samsung與SK hynix仍有小幅擴(kuò)大產(chǎn)線的機(jī)會(huì)，而Micron則需要等待其ID1新廠落成，最快2027年才能有產(chǎn)出，因此任何后續(xù)上修的資本支出對(duì)2026的位元產(chǎn)出貢獻(xiàn)皆非常有限。

而在NAND Flash各供應(yīng)商中，Kioxia/SanDisk(鎧俠/閃迪)因沒有DRAM業(yè)務(wù)，被認(rèn)為是最積極擴(kuò)大產(chǎn)能以鞏固地位的廠商。Kioxia/SanDisk預(yù)計(jì)投入45億美元，年增41%，加速BiCS8生產(chǎn)并投資BiCS9研發(fā)。Micron 2026年目標(biāo)是微幅增加NAND Flash產(chǎn)能并專注于G9制程和Enterprise SSD業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)資本支出年增幅達(dá)63%。相較之下，Samsung和SK Hynix/Solidigm(思得)則將縮減或限制NAND Flash資本支出，優(yōu)先將投資轉(zhuǎn)向HBM和DRAM領(lǐng)域。

TrendForce集邦咨詢分析，此次NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求的爆發(fā)，主要受AI對(duì)儲(chǔ)存容量需求的急速攀升，以及HDD供應(yīng)不足導(dǎo)致云端服務(wù)供應(yīng)商(CSP)轉(zhuǎn)單所帶動(dòng)。此現(xiàn)象屬于結(jié)構(gòu)性短缺，而非短暫的市場(chǎng)波動(dòng)。

然而，過去數(shù)年產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷多次景氣循環(huán)，使部分廠商在資本支出與擴(kuò)產(chǎn)策略上趨于保守。隨著2026年資本支出重心放在制程升級(jí)和導(dǎo)入hybrid-bonding而非擴(kuò)產(chǎn)，將導(dǎo)致供應(yīng)位元增幅有限，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，NAND Flash市場(chǎng)的供不應(yīng)求狀態(tài)預(yù)計(jì)將延續(xù)2026年全年。