
就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國(guó)另一家存儲(chǔ)器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息,正在研發(fā)EUV技術(shù)來(lái)生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器,未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。
球閘陣列封裝基板 ( BGA )大廠神鋼電氣工業(yè)( Shinko Electric )26日于日股盤(pán)后發(fā)布新聞稿宣布,為了因應(yīng)存儲(chǔ)器小型、薄型化需求,將量產(chǎn)采用最先端MSAP(Modified Semi Additive Process)工藝的次世代塑膠球閘陣列(PBGA)基板,將投資16億日元在新井工廠內(nèi)興建次世代PBGA基板產(chǎn)線,且預(yù)計(jì)于2019年度下半年(2019年4-9月期間)啟用生產(chǎn)。
2018年,恰逢中國(guó)改革開(kāi)放40年。 40年前,64Kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)誕生,宣告超大規(guī)模集成電路時(shí)代來(lái)臨,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開(kāi)始研制4Kb DRAM,在次年投入生產(chǎn);40年后,今年第四季度,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64Gb 32層三維閃存芯片(3D NAND Flash)將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),8月份剛剛推出的Xtacking技術(shù)更是給閃存芯片結(jié)構(gòu)帶來(lái)了歷史性突破,為全球閃存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展留下了中國(guó)企業(yè)濃墨重彩的一筆。
日媒稱(chēng),日前獲悉,中國(guó)新興半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫計(jì)劃從半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商荷蘭阿斯麥(ASML)引進(jìn)最尖端設(shè)備。報(bào)道稱(chēng),中國(guó)由于與美國(guó)的貿(mào)易戰(zhàn)和高科技摩擦日趨激烈,越來(lái)越難以從美國(guó)引進(jìn)技術(shù)。為了發(fā)展屬于產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新關(guān)鍵的半導(dǎo)體,將轉(zhuǎn)向采購(gòu)歐洲設(shè)備以尋找出路。