
9月9日晚間,樂通股份發(fā)布公告稱,擬作價24億元以發(fā)行股份及支付現金方式收購武漢中科信維信息技術有限公司(以下簡稱中科信維)100%股權,進入數據存儲業(yè)務領域;同時,上市公司還擬募集不超過9.5億元配套資金。
快閃存儲器(NAND Flash)控制芯片及儲存解決方案領導群聯6日正式宣布,搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。
PIC16C5X內部有384~2K的只讀程序存貯器,下面論述其結構和堆棧?!?.4.1 程序存儲器結構PIC16C5X程序存儲器結構如圖1.3所示: 從上圖可看出,PIC程序存儲器采用分頁結構,每頁長0.5K。因此對于PIC16C
8月7日,長江存儲公開其突破性技術XtackingTM,且該技術已成功應用于第二代3D NAND產品的開發(fā)中,預計于2019年進入量產階段。
s3c2410的存儲控制器的的主要特性如下:1.可通過軟件設置大端/小端模式.2.分為8個bank,每個bank為128M,總共為1G.3.每個bank的數據寬度都可以設為8/16/32bit方式(bank0除外,因為bank0要用作系統(tǒng)引導)4.bank0-5支持ROM
燒錄器的功能,主要對非易失性的存儲器進行操作(MCU內部Flash也都是各類非易失性的存儲器)。這些存儲器通常都需要擦除、編程和校驗。這些基本操作和一些控制設置操作,是燒錄的主要內容。
資策會產業(yè)情報研究所(MIC)表示,觀測全球資訊系統(tǒng)與半導體產業(yè)趨勢,全球資訊系統(tǒng)市場長期停滯,然2018年受惠于商用換機需求,全球電腦市場持平;展望2019年,在商用換機需求趨緩與貿易保護政策等影響下,全球電腦系統(tǒng)市場微幅衰退;服務器市場則受惠于AI新興應用帶動的數據儲存與運算需求而呈現增長,然因缺乏平臺換機題材,年增率將略減低。
近日,紫光存儲攜8個系列的存儲產品向全球閃存界展示了一個全新的存儲公司及產品。
去年6月底,美光拋棄了雷克沙(Lexar),隨后品牌宣告破產,而中國的公司收購了,不少玩家也都希望這個有22年歷史的(最初成立于1996年)品牌能夠重新站起來。
全球企業(yè)級存儲市場上排名前16強,其中有一半的廠商專業(yè)做存儲,心無旁騖。專業(yè)自然會更專心,專心致志往往意味著自己向前的路將變得狹窄了起來。
晶圓代工龍頭臺積電14日召開季度例行董事會,會中決議核準約新臺幣1,364億元(約合人民幣305億元)資本預算,用來興建廠房及建置新產能,以因應市場強勁需求,并將對子公司TSMC Global Ltd.增資20億美元來降低外匯避險成本。此外,臺積公告聘任史丹佛大學電機工程系終身職教授黃漢森為技術研究組織主管,也為近期業(yè)界傳出的“臺積電9月將有新人事異動”增添想象。
據市場調研機構IHS Markit預計,全球半導體支出可服務市場(Served Available Market,SAM)今年將達到3168億美元,這是一個新的紀錄,將打破去年達成的新高點。
存儲器模組廠半年報陸續(xù)出爐,每股純益以專注工控領域的宜鼎的6.61元(新臺幣,下同)暫居冠軍。品牌廠中,十銓上半年每股純益2.02元,表現亮眼;宇瞻也達1.95元,獲利穩(wěn)健。
存儲器模組廠首季受到各類存儲器芯片報價仍處于高檔,導致成本墊高,應用端除了工控領域和筆電用固態(tài)硬盤(SSD)滲透率拉升,加上電競市場持續(xù)成長等有利因素,因各家營運策略不同,營運表現也不同調。
這兩年DRAM內存、NAND閃存行業(yè)的瘋狂激蕩大家都看在眼里。內存尤其夸張,價格持續(xù)飆升。閃存方面倒是基本穩(wěn)定了,但市場需求持續(xù)異常旺盛。兩大行業(yè)空前火熱,從業(yè)者自然也是賺得盆滿缽滿。根據市調機構IC Insight的最新報告,2018年全球前DRAM內存芯片產業(yè)總價值預計將達1016億美元,年增幅高達39%,繼續(xù)穩(wěn)居第一,占全年整個IC行業(yè)的多達24%。
報告稱,今年全球半導體銷售總額將達4280億美元,其中DRAM所占比重將達24%,若加上NAND閃存的市場份額,兩大存儲器在半導體市場上占比將高達38%。
近期以來,在快閃存儲器(Nand Flash)市場競爭激烈的情況下,各家廠商開始尋求新技術的產品來滿足市場的需求。因此,廠商們都開始將目光轉向了QLC架構的快閃存儲器上。之前包括英特爾(Intel)、美光(Micron)、西數(WD)、東芝(Toshiba)等大廠就已經宣布推出了QLC架構的快閃存儲器,現在三星也正式宣布量產首款搭載QLC快閃存儲器的SSD。
聯電6日與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布,兩家公司成為合作伙伴,共同開發(fā)和生產取代嵌入式存儲器的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)。同時聯電也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。
據悉,長江存儲于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片,并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。
1、 程序存儲器片內程序存儲器片外程序存儲器2、 數據存儲器片內RAM 128B片外RAM max64KB3、 特殊功能寄存器(SFR)4、 位存儲器