
存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成25日舉行竹科三廠動(dòng)土典禮,規(guī)劃作為全球首座面板級(jí)扇出型封裝(FOPLP)制程的量產(chǎn)基地,總投資金額達(dá)新臺(tái)幣500億元,預(yù)計(jì)2020年上半年完工、同年下半年裝機(jī)量產(chǎn),將可創(chuàng)造約3000個(gè)優(yōu)質(zhì)工作機(jī)會(huì)。
簡(jiǎn)介 SoC設(shè)計(jì)也面臨著一系列的難題和挑戰(zhàn),其中出現(xiàn)的最大挑戰(zhàn)之一是硬核IP模塊集成和驗(yàn)證。隨著技術(shù)的擴(kuò)展,設(shè)計(jì)并集成IP模塊變得越來(lái)越難。在深亞微米技術(shù)設(shè)計(jì)中,IR壓
三星電子預(yù)定下周五(10月5日)發(fā)表第三季(7到9月)財(cái)報(bào),目前華爾街預(yù)期存儲(chǔ)器芯片需求火熱將推動(dòng)三星第三季營(yíng)收成長(zhǎng),且第三季營(yíng)業(yè)獲利可望創(chuàng)新高。
根據(jù)《彭博社》24日?qǐng)?bào)導(dǎo),蘋(píng)果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機(jī),不同儲(chǔ)存容量版本,定價(jià)策略都有特別考量。彭博社表示,以iPhone XS的64GB容量版為準(zhǔn),蘋(píng)果預(yù)計(jì)512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。
9月21日,英特爾大連非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。省委副書(shū)記、省長(zhǎng)唐一軍出席啟動(dòng)儀式。
單片微型計(jì)算機(jī)簡(jiǎn)稱(chēng)單片機(jī),它是將中央處理器(CPU)、存儲(chǔ)器(RAM,ROM)、定時(shí)/計(jì)數(shù)器和各種接口電路都集成到一塊集成電路芯片上的微型計(jì)算機(jī)。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)尤其是單片機(jī)技術(shù)的發(fā)展,人們已越來(lái)越多地采用單片
自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別(ATR)算法通常包括自動(dòng)地對(duì)目標(biāo)進(jìn)行檢測(cè)、跟蹤、識(shí)別和選擇攻擊點(diǎn)等算法。戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境的復(fù)雜性和目標(biāo)類(lèi)型的不斷增長(zhǎng)使ATR算法的運(yùn)算量越來(lái)越大,因此ATR算法對(duì)微處理器的處理能力
9月18日,中興通訊聯(lián)合Intel在北京舉行存儲(chǔ)新品發(fā)布會(huì)。本次推出的三款新品:中端存儲(chǔ)KS3200 V2、高端存儲(chǔ)KU5200 V2和全閃存存儲(chǔ)KF8200,
高盛上周發(fā)出警告稱(chēng),困擾存儲(chǔ)器芯片和其他制造商的供應(yīng)和定價(jià)問(wèn)題,可能會(huì)惡化到2019年。同時(shí),因市場(chǎng)擔(dān)心由于DRAM供應(yīng)過(guò)剩,將抑制2018-2019年半導(dǎo)體設(shè)備的資本支出,高盛也將半導(dǎo)體設(shè)備的股票由“具吸引力”下調(diào)至“中性”。
三維集成電路的第一代商業(yè)應(yīng)用,CMOS圖像傳感器和疊層存儲(chǔ)器,將在完整的基礎(chǔ)設(shè)施建立之前就開(kāi)始。在第一部分,我們將回顧三維集成背后強(qiáng)大的推動(dòng)因素以及支撐該技術(shù)的基礎(chǔ)
據(jù)廣西新聞網(wǎng)報(bào)道,9月12日,2018年南寧投資貿(mào)易洽談會(huì)暨重大項(xiàng)目簽約儀式在南寧市市委、市政府會(huì)議中心舉行。
英特爾周一宣布,下一世代3D XPoint存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)計(jì)劃,將轉(zhuǎn)移陣地至新墨西哥州廠。據(jù)新墨西哥州長(zhǎng)Susana Martinez表示,英特爾變更布局將為當(dāng)?shù)貛?lái)逾100個(gè)新工作機(jī)會(huì)。
9月9日晚間,樂(lè)通股份發(fā)布公告稱(chēng),擬作價(jià)24億元以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購(gòu)武漢中科信維信息技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科信維)100%股權(quán),進(jìn)入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)領(lǐng)域;同時(shí),上市公司還擬募集不超過(guò)9.5億元配套資金。
快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布,搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。
PIC16C5X內(nèi)部有384~2K的只讀程序存貯器,下面論述其結(jié)構(gòu)和堆棧?!?.4.1 程序存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)PIC16C5X程序存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)如圖1.3所示: 從上圖可看出,PIC程序存儲(chǔ)器采用分頁(yè)結(jié)構(gòu),每頁(yè)長(zhǎng)0.5K。因此對(duì)于PIC16C
8月7日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開(kāi)其突破性技術(shù)XtackingTM,且該技術(shù)已成功應(yīng)用于第二代3D NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)中,預(yù)計(jì)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
s3c2410的存儲(chǔ)控制器的的主要特性如下:1.可通過(guò)軟件設(shè)置大端/小端模式.2.分為8個(gè)bank,每個(gè)bank為128M,總共為1G.3.每個(gè)bank的數(shù)據(jù)寬度都可以設(shè)為8/16/32bit方式(bank0除外,因?yàn)閎ank0要用作系統(tǒng)引導(dǎo))4.bank0-5支持ROM
燒錄器的功能,主要對(duì)非易失性的存儲(chǔ)器進(jìn)行操作(MCU內(nèi)部Flash也都是各類(lèi)非易失性的存儲(chǔ)器)。這些存儲(chǔ)器通常都需要擦除、編程和校驗(yàn)。這些基本操作和一些控制設(shè)置操作,是燒錄的主要內(nèi)容。
資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)表示,觀測(cè)全球資訊系統(tǒng)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì),全球資訊系統(tǒng)市場(chǎng)長(zhǎng)期停滯,然2018年受惠于商用換機(jī)需求,全球電腦市場(chǎng)持平;展望2019年,在商用換機(jī)需求趨緩與貿(mào)易保護(hù)政策等影響下,全球電腦系統(tǒng)市場(chǎng)微幅衰退;服務(wù)器市場(chǎng)則受惠于AI新興應(yīng)用帶動(dòng)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與運(yùn)算需求而呈現(xiàn)增長(zhǎng),然因缺乏平臺(tái)換機(jī)題材,年增率將略減低。