力成竹科高端封裝新廠動土 預(yù)計2020年上半年完工

存儲器封測廠力成25日舉行竹科三廠動土典禮，規(guī)劃作為全球首座面板級扇出型封裝(FOPLP)制程的量產(chǎn)基地，總投資金額達(dá)新臺幣500億元，預(yù)計2020年上半年完工、同年下半年裝機量產(chǎn)，將可創(chuàng)造約3000個優(yōu)質(zhì)工作機會。

SoC存儲器的智能電源連接方法

簡介 SoC設(shè)計也面臨著一系列的難題和挑戰(zhàn)，其中出現(xiàn)的最大挑戰(zhàn)之一是硬核IP模塊集成和驗證。隨著技術(shù)的擴(kuò)展，設(shè)計并集成IP模塊變得越來越難。在深亞微米技術(shù)設(shè)計中，IR壓

存儲器芯片需求火熱 將推三星三季度營收創(chuàng)新高

三星電子預(yù)定下周五(10月5日)發(fā)表第三季(7到9月)財報，目前華爾街預(yù)期存儲器芯片需求火熱將推動三星第三季營收成長，且第三季營業(yè)獲利可望創(chuàng)新高。

新款iPhone 存儲器是定價的關(guān)鍵

根據(jù)《彭博社》24日報導(dǎo)，蘋果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機，不同儲存容量版本，定價策略都有特別考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版為準(zhǔn)，蘋果預(yù)計512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。

英特爾非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行

9月21日，英特爾大連非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

一種采用單片機的超大容量存儲器接口設(shè)計

　　單片微型計算機簡稱單片機，它是將中央處理器（CPU）、存儲器（RAM,ROM）、定時/計數(shù)器和各種接口電路都集成到一塊集成電路芯片上的微型計算機。隨著計算機技術(shù)尤其是單片機技術(shù)的發(fā)展，人們已越來越多地采用單片

基于DDR3存儲器接口控制器IP核的視頻數(shù)據(jù)處理

DSP在自動目標(biāo)識別中的應(yīng)用

自動目標(biāo)識別（ATR）算法通常包括自動地對目標(biāo)進(jìn)行檢測、跟蹤、識別和選擇攻擊點等算法。戰(zhàn)場環(huán)境的復(fù)雜性和目標(biāo)類型的不斷增長使ATR算法的運算量越來越大，因此ATR算法對微處理器的處理能力

中興通訊發(fā)布3款存儲新品

9月18日，中興通訊聯(lián)合Intel在北京舉行存儲新品發(fā)布會。本次推出的三款新品：中端存儲KS3200 V2、高端存儲KU5200 V2和全閃存存儲KF8200，

半導(dǎo)體市場動蕩不安！

高盛上周發(fā)出警告稱，困擾存儲器芯片和其他制造商的供應(yīng)和定價問題，可能會惡化到2019年。同時，因市場擔(dān)心由于DRAM供應(yīng)過剩，將抑制2018-2019年半導(dǎo)體設(shè)備的資本支出，高盛也將半導(dǎo)體設(shè)備的股票由“具吸引力”下調(diào)至“中性”。

3D集成電路將如何同時實現(xiàn)？

三維集成電路的第一代商業(yè)應(yīng)用，CMOS圖像傳感器和疊層存儲器，將在完整的基礎(chǔ)設(shè)施建立之前就開始。在第一部分，我們將回顧三維集成背后強大的推動因素以及支撐該技術(shù)的基礎(chǔ)

華芯微存儲芯片綠色智能產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地項目等24個項目在廣西南寧簽約

據(jù)廣西新聞網(wǎng)報道，9月12日，2018年南寧投資貿(mào)易洽談會暨重大項目簽約儀式在南寧市市委、市政府會議中心舉行。

英特爾稱下一代芯片研發(fā)基地將轉(zhuǎn)陣墨西哥

英特爾周一宣布，下一世代3D XPoint存儲器芯片的研發(fā)計劃，將轉(zhuǎn)移陣地至新墨西哥州廠。據(jù)新墨西哥州長Susana Martinez表示，英特爾變更布局將為當(dāng)?shù)貛碛?00個新工作機會。

樂通收購武漢中科信維 進(jìn)軍存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域

9月9日晚間，樂通股份發(fā)布公告稱，擬作價24億元以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購武漢中科信維信息技術(shù)有限公司(以下簡稱中科信維)100%股權(quán)，進(jìn)入數(shù)據(jù)存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域;同時，上市公司還擬募集不超過9.5億元配套資金。

群聯(lián)最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片 于本月出貨

快閃存儲器(NAND Flash)控制芯片及儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。

第四節(jié)：PIC系列單片機程序存儲器及堆棧

PIC16C5X內(nèi)部有384～2K的只讀程序存貯器，下面論述其結(jié)構(gòu)和堆棧?！?.4.1　程序存儲器結(jié)構(gòu)PIC16C5X程序存儲器結(jié)構(gòu)如圖1.3所示： 從上圖可看出，PIC程序存儲器采用分頁結(jié)構(gòu)，每頁長0.5K。因此對于PIC16C

為先進(jìn)制造業(yè)開道！長江存儲退稅金額達(dá)1.86億！

8月7日，長江存儲公開其突破性技術(shù)XtackingTM，且該技術(shù)已成功應(yīng)用于第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)中，預(yù)計于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

關(guān)于S3C2410的存儲器

s3c2410的存儲控制器的的主要特性如下:1.可通過軟件設(shè)置大端/小端模式.2.分為8個bank,每個bank為128M,總共為1G.3.每個bank的數(shù)據(jù)寬度都可以設(shè)為8/16/32bit方式(bank0除外,因為bank0要用作系統(tǒng)引導(dǎo))4.bank0-5支持ROM

流水線技術(shù)在編程器中的提速應(yīng)用

燒錄器的功能，主要對非易失性的存儲器進(jìn)行操作（MCU內(nèi)部Flash也都是各類非易失性的存儲器）。這些存儲器通常都需要擦除、編程和校驗。這些基本操作和一些控制設(shè)置操作，是燒錄的主要內(nèi)容。

2018年全球半導(dǎo)體預(yù)估市場規(guī)模將成長10.1%

資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)表示，觀測全球資訊系統(tǒng)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢，全球資訊系統(tǒng)市場長期停滯，然2018年受惠于商用換機需求，全球電腦市場持平;展望2019年，在商用換機需求趨緩與貿(mào)易保護(hù)政策等影響下，全球電腦系統(tǒng)市場微幅衰退;服務(wù)器市場則受惠于AI新興應(yīng)用帶動的數(shù)據(jù)儲存與運算需求而呈現(xiàn)增長，然因缺乏平臺換機題材，年增率將略減低。