紫光面向全球發(fā)布紫光存儲全線產(chǎn)品

近日，紫光存儲攜8個系列的存儲產(chǎn)品向全球閃存界展示了一個全新的存儲公司及產(chǎn)品。

重振旗鼓！雷克沙低調(diào)恢復(fù)全線閃存產(chǎn)品

去年6月底，美光拋棄了雷克沙(Lexar)，隨后品牌宣告破產(chǎn)，而中國的公司收購了，不少玩家也都希望這個有22年歷史的(最初成立于1996年)品牌能夠重新站起來。

Hitachi Vantara如何選擇自己未來之路呢?

全球企業(yè)級存儲市場上排名前16強(qiáng)，其中有一半的廠商專業(yè)做存儲，心無旁騖。專業(yè)自然會更專心，專心致志往往意味著自己向前的路將變得狹窄了起來。

臺積電建新廠 應(yīng)對市場強(qiáng)勁需求

晶圓代工龍頭臺積電14日召開季度例行董事會，會中決議核準(zhǔn)約新臺幣1,364億元(約合人民幣305億元)資本預(yù)算，用來興建廠房及建置新產(chǎn)能，以因應(yīng)市場強(qiáng)勁需求，并將對子公司TSMC Global Ltd.增資20億美元來降低外匯避險成本。此外，臺積公告聘任史丹佛大學(xué)電機(jī)工程系終身職教授黃漢森為技術(shù)研究組織主管，也為近期業(yè)界傳出的“臺積電9月將有新人事異動”增添想象。

IHS：2018年OEM電子設(shè)計驅(qū)動的半導(dǎo)體支出將達(dá)3168億美元

據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS Markit預(yù)計，全球半導(dǎo)體支出可服務(wù)市場(Served Available Market，SAM)今年將達(dá)到3168億美元，這是一個新的紀(jì)錄，將打破去年達(dá)成的新高點(diǎn)。

存儲器模組廠半年報陸續(xù)出爐 他們是怎樣營收情況呢？

存儲器模組廠半年報陸續(xù)出爐，每股純益以專注工控領(lǐng)域的宜鼎的6.61元(新臺幣，下同)暫居冠軍。品牌廠中，十銓上半年每股純益2.02元，表現(xiàn)亮眼;宇瞻也達(dá)1.95元，獲利穩(wěn)健。

看臺系存儲器模組廠的經(jīng)營現(xiàn)狀

存儲器模組廠首季受到各類存儲器芯片報價仍處于高檔，導(dǎo)致成本墊高，應(yīng)用端除了工控領(lǐng)域和筆電用固態(tài)硬盤(SSD)滲透率拉升，加上電競市場持續(xù)成長等有利因素，因各家營運(yùn)策略不同，營運(yùn)表現(xiàn)也不同調(diào)。

2019年內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)總價值預(yù)計將達(dá)1016億美元 占全年整個IC行業(yè)的多達(dá)24%

這兩年DRAM內(nèi)存、NAND閃存行業(yè)的瘋狂激蕩大家都看在眼里。內(nèi)存尤其夸張，價格持續(xù)飆升。閃存方面倒是基本穩(wěn)定了，但市場需求持續(xù)異常旺盛。兩大行業(yè)空前火熱，從業(yè)者自然也是賺得盆滿缽滿。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insight的最新報告，2018年全球前DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)總價值預(yù)計將達(dá)1016億美元，年增幅高達(dá)39%，繼續(xù)穩(wěn)居第一，占全年整個IC行業(yè)的多達(dá)24%。

內(nèi)存是塊肥田！2018年全球DRAM銷售額有望突破1000億美元大關(guān)

報告稱，今年全球半導(dǎo)體銷售總額將達(dá)4280億美元，其中DRAM所占比重將達(dá)24%，若加上NAND閃存的市場份額，兩大存儲器在半導(dǎo)體市場上占比將高達(dá)38%。

三星緊跟市場 正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC快閃存儲器的SSD

近期以來，在快閃存儲器(Nand Flash)市場競爭激烈的情況下，各家廠商開始尋求新技術(shù)的產(chǎn)品來滿足市場的需求。因此，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC架構(gòu)的快閃存儲器上。之前包括英特爾(Intel)、美光(Micron)、西數(shù)(WD)、東芝(Toshiba)等大廠就已經(jīng)宣布推出了QLC架構(gòu)的快閃存儲器，現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC快閃存儲器的SSD。

聯(lián)電和美商合作范疇擴(kuò)展至28納米以下的制程技術(shù)

聯(lián)電6日與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式存儲器的磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。同時聯(lián)電也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司。

國家存儲器飛速發(fā)展

據(jù)悉，長江存儲于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

MCS-51單片機(jī)存儲器的組成

1、 程序存儲器片內(nèi)程序存儲器片外程序存儲器2、 數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)RAM 128B片外RAM max64KB3、 特殊功能寄存器（SFR）4、 位存儲器

武漢光谷創(chuàng)新之路：自主32層3D NAND即將量產(chǎn)

武漢是長江的水運(yùn)中樞，如何共抓大保護(hù)，不搞大開發(fā)，改變舊有發(fā)展模式，將生態(tài)理念完整內(nèi)嵌到高質(zhì)量發(fā)展的經(jīng)濟(jì)邏輯中?武漢光谷正在嘗試一條以綠色、創(chuàng)新發(fā)展為引領(lǐng)的路子。

我國自主研發(fā)的32層三維NAND閃存芯片將于今年四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地)，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

東芝存儲器株式會社首個半導(dǎo)體制造工廠開工 主要生產(chǎn)3D快閃存儲器

存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲器株式會社(Toshiba Memory Corporation)昨日在日本東北部的巖手縣北上市舉行首個半導(dǎo)體制造工廠(晶圓廠)K1的奠基典禮。該工廠將于2019年秋季竣工，屆時將成為全球最先進(jìn)的制造工廠之一，專門從事3D快閃存儲器的生產(chǎn)。

降功效，提速度，三維垂直型存儲器設(shè)計領(lǐng)域取得進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲器課題組針對三維垂直型存儲器，從理論上總結(jié)了芯片速度受限的原因和偏置方法的相關(guān)影響，提出了新型的偏置方法和核心電路，相關(guān)成果以研究長文的形式發(fā)表在2018年7月的國際超大規(guī)模集成電路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, pp. 1268-1276]上。審稿人認(rèn)為，該論文首次將動態(tài)仿真應(yīng)用于三維垂直型存儲器。

力成布局先進(jìn)封裝 技術(shù)涵蓋2025年市場需求

存儲器封測廠力成24日召開法說會，董事長蔡篤恭表示，力成近年積極布局發(fā)展先進(jìn)封裝，現(xiàn)有技術(shù)已足以涵蓋至2025年市場需求，目前已取得竹科5000坪土地，預(yù)計本季破土興建新廠，以迎接預(yù)期2020年浮現(xiàn)的營運(yùn)新成長動能。

一種抗SEU存儲器電路的FPGA設(shè)計

51單片機(jī)學(xué)習(xí)筆記:連續(xù)讀寫STC89C52RC內(nèi)部EEPROM存儲器

STC單片機(jī)的內(nèi)部EEPROM是用DATAFLASH模擬出來的,不是真正的EEPROM存儲器,不能用普通的方法來操作下面是一些注意點(diǎn):1.字節(jié)寫之前要先將這個字節(jié)所在扇區(qū)的其它有效數(shù)據(jù)讀取到RAM暫存(這步不是必須的)2.暫存完之后再對