基于MSP430F12x2的SPI進(jìn)行大容量數(shù)據(jù)存儲器擴(kuò)展

輸電線路電壓/電流的計(jì)算機(jī)保護(hù)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

0 引 言 輸電線路保護(hù)裝置是電力系統(tǒng)自動(dòng)化的重要組成部分。輸電線路保護(hù)裝置的任務(wù)是能夠在被保護(hù)設(shè)備發(fā)生故障或不正常工作時(shí)，發(fā)出跳閘脈沖或警告信號。計(jì)算機(jī)繼電保

美光科技15億美元收購與英特爾合建的閃存公司股份

10月19日，美光科技周四宣布，將收購與英特爾十多年前組建的一家閃存合資公司的股份。

美光新型態(tài)存儲器3D Xpoint亮相 預(yù)計(jì)明年年底出產(chǎn)品樣本

在舊金山舉辦的美光Micron Insight 2018大會(huì)中，新型態(tài)存儲器3D Xpoint成了目光焦點(diǎn)。美光指出3D Xpoint未來會(huì)應(yīng)用在主流的存儲器與儲存產(chǎn)品上，而在日程上，預(yù)計(jì)在2019 年年底會(huì)有產(chǎn)品樣本，但實(shí)際的營收貢獻(xiàn)要到2020年。

趙偉國卸任700億紫光南京項(xiàng)目一把手

芯片市場持續(xù)火熱之中，行業(yè)巨擘、年富力強(qiáng)的紫光集團(tuán)掌舵者趙偉國第三次卸去重要職務(wù)。

和Intel較勁？美光攻新型態(tài)存儲器3D Xpoint

相較于Intel在3D Xpoint已經(jīng)有Optane系列的SSD產(chǎn)品，美光在此技術(shù)發(fā)展較為緩慢，目前還沒有產(chǎn)品正式推出，在這次高峰會(huì)上，美光所有高階主管對于第二代3D Xpoint發(fā)展特點(diǎn)與細(xì)節(jié)都守口如瓶，目前仍無法拿美光產(chǎn)品與Intel 產(chǎn)品比較。

紫光在芯片制造領(lǐng)域又邁出一步！成都存儲器制造基地開工

趙偉國董事長在致辭中強(qiáng)調(diào)，成都紫光集成電路制造基地項(xiàng)目的開工建設(shè)標(biāo)志著紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域布局又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，也是中國集成電路崛起征程中建立的又一個(gè)橋頭堡!

作價(jià)2.2億！紫光國微擬轉(zhuǎn)讓西安紫光國芯

10月11日晚間，紫光國微披露，擬將全資子公司西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱西安紫光國芯)100%股權(quán)以約2.2億元人民幣轉(zhuǎn)讓給紫光集團(tuán)下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)。

紫光存儲器制造基地扎根成都 現(xiàn)已開工

10月12日，紫光成都存儲器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)隆重舉行。紫光成都存儲器制造基地項(xiàng)目旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。四川省委常委、成都市委書記范銳平，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金董事長王占甫，工信部電子司副司長吳勝武等領(lǐng)導(dǎo)出席項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)。紫光集團(tuán)董事長兼首席執(zhí)行官趙偉國致辭，成都市委副書記、市長羅強(qiáng)致辭并宣布項(xiàng)目正式啟動(dòng)，成都市副市長范毅主持活動(dòng)。

富士通FRAM“上天入地”，拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間

在前不久落下帷幕的深圳國際電子展現(xiàn)場，聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺格外亮眼，而引發(fā)這場圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機(jī)存儲器(FRAM)。

PIC單片機(jī)讀/寫AT24C系列存儲器原理

　　AT24C系列在增強(qiáng)型PIC實(shí)驗(yàn)板上編程的硬件原理圖如下圖所示，U7為實(shí)驗(yàn)板上24C02芯片，SDA與單片機(jī)的RB5口相連，SCL與單片機(jī)RB4相連，七段數(shù)碼管D5、D7、D8組成了顯示單元，字形碼的數(shù)據(jù)通過RC口送入

在異步SRAM中實(shí)現(xiàn)速度與功耗的完美平衡

異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個(gè)極為不同的產(chǎn)品類型，每個(gè)系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價(jià)格?？焖佼惒絊RAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。

集邦咨詢發(fā)布2019年十大科技趨勢：存儲器產(chǎn)業(yè)再升級

全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢針對2019年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，發(fā)布十大科技趨勢：

SK海力士加速NAND芯片投入 將投資增至20萬億韓圓

根據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，韓國存儲器大廠SK海力士宣布將投資20萬億韓圓(約178億美金)于4日啟用的NAND芯片廠，比原來的預(yù)算15.5萬億韓圓還要多29%。

一種抗SEU存儲器電路的FPGA設(shè)計(jì)

隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對運(yùn)行于其中的電子器件會(huì)產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)

80C51存儲器與C51內(nèi)存優(yōu)化

80C51在物理結(jié)構(gòu)上有四個(gè)存儲空間：片內(nèi)程序存儲器、片外程序存儲器、片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和片外數(shù)據(jù)存儲器。但在邏輯上，即從用戶使用的角度上，80C51有三個(gè)存儲空間：片內(nèi)外統(tǒng)一編址的64KB的程序存儲器地址空間（用16位

快速創(chuàng)建存儲器接口的設(shè)計(jì)

Xilinx FPGA 提供可簡化接口設(shè)計(jì)的 I/O 模塊和邏輯資源。盡管如此，這些 I/O 模塊以及額外的邏輯仍需設(shè)計(jì)人員在源 RTL 代碼中配置、驗(yàn)證、執(zhí)行，并正確連接到系統(tǒng)的其余部分

關(guān)于接口技術(shù)方面的基本知識

CPU與外部設(shè)備、存儲器的連接和數(shù)據(jù)交換都需要通過接口設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，前者被稱為I/O接口，而后者則被稱為存儲器接口。存儲器通常在CPU的同步控制下工作，接口電路比較簡單；

先進(jìn)高速傳輸接口及高速DDR存儲器技術(shù)

當(dāng)今的IC設(shè)計(jì)大幅增加了許多功能，必須運(yùn)用既有的驗(yàn)證有效IP組件，以滿足上市前置時(shí)間的要求。但是，由于功能要求與技術(shù)制程的差異，各公司必須提供的IP種類太多。創(chuàng)意電子

鐵電存儲器的主要技術(shù)特點(diǎn)

電能表經(jīng)過一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 復(fù)費(fèi)率電能表 以及具有雙向通訊能力的電子式電能表等，其提供的擴(kuò)展功