
存儲器分為程序存儲器(ROM)和數(shù)據(jù)存儲器(RAM),兩種又都可以分為片內和片外,片外即需要自己在單片機外部擴展。8051單片機的片內程序存儲器有4K,片內數(shù)據(jù)存儲器有256個字節(jié),其中又分為高128字節(jié)位特殊功能寄存器區(qū)
處理器系統(tǒng)中可能包含多種類型的存儲部件,如Flash、SRAM、SDRAM、ROM以及用于提高系統(tǒng)性能的Cache等等。剛剛接觸芯片開發(fā)的工程師常常被各式各樣的存儲和存儲管理弄得暈頭轉向,因此本文簡單對ARM架構和基于ARM架構
近日消息,研究機構指出,中國存儲器產業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式內存的合肥長鑫,以及致力于利基型內存晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進度來看,其試產時間預計將在2018年下半
到2025年,西安高新區(qū)要圍繞‘五大引領’,實施八個百億級強基工程,打造八個千億級產業(yè)集群,實現(xiàn)兩個萬億級目標,”在談及高新區(qū)2016年提出‘5882戰(zhàn)略’時,西安高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)管委會投資促進一局副局長馬寧表示。 所謂八個千億級產業(yè)集群,是指包括半導體產業(yè)、智能終端產業(yè)、高端裝備制造產業(yè)、生物醫(yī)藥產業(yè)、金融服務業(yè)、軟件信息服務業(yè)、軍民融合產業(yè)、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)在內的產業(yè)集群。其中,首當其沖的便是半導體產業(yè)。
臺灣封測大廠矽品積極布局大陸福建,已砸下新臺幣8.66億元,著手廠房新建工程。
在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中,長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃:2018 年 1 月一廠廠房建設完成,并開始設備安裝;2018 年底量產 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產 8Gb LPDDR4;2019 年底實現(xiàn)產能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設;2021 年完成 17 納米技術研發(fā)。王寧國表示,希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。
集成電路產業(yè)是國家信息技術產業(yè)的“心臟”,重要性不言而喻。近年來集成電路成為國家發(fā)展的必爭產業(yè),美國半導體技術全面領先,日本半導體技術水平與美相當,韓國儲存器市場拉動技術水平突飛猛進。中國有何動作?繼2014年后,中國半導體產業(yè)也取得長足進步,但技術、產業(yè)鏈、供應鏈等對外依賴度仍然很高。面對中國巨大的市場規(guī)模、國家安全和新一代信息技術的發(fā)展迫切需要,國家在近幾年先后推出一系列鼓勵政策,大力推動集成電路產業(yè)高速發(fā)展。
日媒稱,中國正式推進設備投資加快半導體國產化,2018年底或將開始提供三維NAND閃存芯片。
ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM是Read Only Memory的縮寫,RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計算機的內存。
繼紫光集團董事長趙偉國因工作繁忙將辭去公司董事長職位后,紫光集團又添新動作。4月11日,紫光集團旗下武漢長江存儲基地裝機move in正式啟動。據(jù)悉,完成裝機后,長江存儲將實現(xiàn)32層存儲器小規(guī)模量產。
目前來看,中美貿易摩擦有所緩和。不過,雙方尚未進入貿易談判階段,最終事情會如何發(fā)展,尚難判斷。未來存儲器芯片可能會受到一定程度的影響,因為中國是全球存儲器最大的買家。
三星電子與SK海力士在中國生產的半導體免受中美兩國貿易戰(zhàn)打擊。據(jù)半導體業(yè)界最新消息,特朗普政府日前宣布計劃對1333種中國商品征收25%關稅,但其中不包括閃存與DRAM存儲器。
SEMI近日宣布,中國半導體后道工序使用的封裝設備和材料的市場規(guī)模2017年同比增長23.4%,達到290億美元。由于政府投入巨資,培育半導體產業(yè),中國目前已成為全球半導體最大后道工序市場。
有史以來維持最大成長周期的半導體產業(yè),未來會再繼續(xù)成長嗎?這答案恐怕是肯定的。因為,近日韓國央行在 8 日所發(fā)出的報告指稱,全球半導體產業(yè)的強勁需求趨勢仍會持續(xù)一年,并且呼吁韓國本土的半導體制造商仍應當重點關注非存儲器產品的生產,以為未來的發(fā)展做好準備。
我們常說的閃存其實只是一個籠統(tǒng)的稱呼,準確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱,特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發(fā)性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內存主要指DRAM,也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型,其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)、周鵬團隊近日實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創(chuàng)了第三類存儲技術,解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間今天凌晨,相關工作以《用于準非易失應用的范德瓦爾斯結構半浮柵存儲》為題在線發(fā)表于《自然·納米技術》。
FSMC:靈活的靜態(tài)存儲控制器,能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接,STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器。
目前不同的供應商在市場上推出多種不同的電源模塊,而不同產品的輸入電壓、輸出功率、功能及拓撲結構等都各不相同。其特點是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。電源模塊雖然可靠性比較高,但有時也可能發(fā)生故障。下面北京穩(wěn)固得電子有限公司電源開發(fā)工程師為大家整理了DC/DC電源模塊的幾種常見故障。
從智能手機、筆記型電腦、以及與各種云端應用相關的服務器,快閃存儲器儲存已經在我們的現(xiàn)實世界中無處不在??扉W存儲器技術已經如此普遍,我們大多數(shù)人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術本質上并不是一種可靠的儲存媒介。實際上,快閃存儲器單元的使用壽命有限,快閃存儲器的特性意味著需要強大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術以便使其有更好的性能表現(xiàn)。
近日,國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會批準《半導體集成電路電壓調整器測試方法》等 20 項國家標準,并予以公布。據(jù)悉,這 20 項標準將于 2018 年 8 月 1 日實施。