存儲(chǔ)器
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51單片機(jī)存儲(chǔ)器小結(jié)
存儲(chǔ)器分為程序存儲(chǔ)器(ROM)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM)，兩種又都可以分為片內(nèi)和片外，片外即需要自己在單片機(jī)外部擴(kuò)展。8051單片機(jī)的片內(nèi)程序存儲(chǔ)器有4K，片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有256個(gè)字節(jié)，其中又分為高128字節(jié)位特殊功能寄存器區(qū)
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智能手機(jī)ARM架構(gòu)芯片內(nèi)部存儲(chǔ)器介紹
處理器系統(tǒng)中可能包含多種類型的存儲(chǔ)部件，如Flash、SRAM、SDRAM、ROM以及用于提高系統(tǒng)性能的Cache等等。剛剛接觸芯片開發(fā)的工程師常常被各式各樣的存儲(chǔ)和存儲(chǔ)管理弄得暈頭轉(zhuǎn)向，因此本文簡(jiǎn)單對(duì)ARM架構(gòu)和基于ARM架構(gòu)
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2019年將是中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年
近日消息，研究機(jī)構(gòu)指出，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營(yíng)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來(lái)看，其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半
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西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“擴(kuò)容” 千億級(jí)已指日可待
到2025年，西安高新區(qū)要圍繞‘五大引領(lǐng)’，實(shí)施八個(gè)百億級(jí)強(qiáng)基工程，打造八個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)萬(wàn)億級(jí)目標(biāo)，”在談及高新區(qū)2016年提出‘5882戰(zhàn)略’時(shí)，西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管委會(huì)投資促進(jìn)一局副局長(zhǎng)馬寧表示。 所謂八個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群，是指包括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、智能終端產(chǎn)業(yè)、高端裝備制造產(chǎn)業(yè)、生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)、金融服務(wù)業(yè)、軟件信息服務(wù)業(yè)、軍民融合產(chǎn)業(yè)、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)集群。其中，首當(dāng)其沖的便是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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矽品砸8.66億元新臺(tái)幣在福建建新廠
臺(tái)灣封測(cè)大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺(tái)幣8.66億元，著手廠房新建工程。
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中國(guó)崛起！中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生
在近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國(guó)表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。
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戰(zhàn)斗力再升級(jí)！廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)與芯舟科技共建高端封裝載板基地
集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)家信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的“心臟”，重要性不言而喻。近年來(lái)集成電路成為國(guó)家發(fā)展的必爭(zhēng)產(chǎn)業(yè)，美國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)全面領(lǐng)先，日本半導(dǎo)體技術(shù)水平與美相當(dāng)，韓國(guó)儲(chǔ)存器市場(chǎng)拉動(dòng)技術(shù)水平突飛猛進(jìn)。中國(guó)有何動(dòng)作?繼2014年后，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈等對(duì)外依賴度仍然很高。面對(duì)中國(guó)巨大的市場(chǎng)規(guī)模、國(guó)家安全和新一代信息技術(shù)的發(fā)展迫切需要，國(guó)家在近幾年先后推出一系列鼓勵(lì)政策，大力推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。
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中國(guó)加快半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化投入，未來(lái)或?qū)⒄莆諆r(jià)格主導(dǎo)權(quán)
日媒稱，中國(guó)正式推進(jìn)設(shè)備投資加快半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化，2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片。
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嵌入式學(xué)習(xí)之徹底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)裝機(jī) 將實(shí)現(xiàn)32層存儲(chǔ)器小規(guī)模量產(chǎn)
繼紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)因工作繁忙將辭去公司董事長(zhǎng)職位后，紫光集團(tuán)又添新動(dòng)作。4月11日，紫光集團(tuán)旗下武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)基地裝機(jī)move in正式啟動(dòng)。據(jù)悉，完成裝機(jī)后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)32層存儲(chǔ)器小規(guī)模量產(chǎn)。
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為什么存儲(chǔ)器及集成電路將成為中美關(guān)稅談判的關(guān)鍵？
目前來(lái)看，中美貿(mào)易摩擦有所緩和。不過(guò)，雙方尚未進(jìn)入貿(mào)易談判階段，最終事情會(huì)如何發(fā)展，尚難判斷。未來(lái)存儲(chǔ)器芯片可能會(huì)受到一定程度的影響，因?yàn)橹袊?guó)是全球存儲(chǔ)器最大的買家。
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三星SK中國(guó)半導(dǎo)體工廠“無(wú)異?！?免遭中美貿(mào)易戰(zhàn)打擊
三星電子與SK海力士在中國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體免受中美兩國(guó)貿(mào)易戰(zhàn)打擊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界最新消息，特朗普政府日前宣布計(jì)劃對(duì)1333種中國(guó)商品征收25%關(guān)稅，但其中不包括閃存與DRAM存儲(chǔ)器。
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外媒：中國(guó)已成為全球最大半導(dǎo)體后道工序市場(chǎng)，增長(zhǎng)23.4%
SEMI近日宣布，中國(guó)半導(dǎo)體后道工序使用的封裝設(shè)備和材料的市場(chǎng)規(guī)模2017年同比增長(zhǎng)23.4%，達(dá)到290億美元。由于政府投入巨資，培育半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國(guó)目前已成為全球半導(dǎo)體最大后道工序市場(chǎng)。
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韓國(guó)央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲(chǔ)器市場(chǎng)
有史以來(lái)維持最大成長(zhǎng)周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來(lái)會(huì)再繼續(xù)成長(zhǎng)嗎?這答案恐怕是肯定的。因?yàn)?，近日韓國(guó)央行在 8 日所發(fā)出的報(bào)告指稱，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁需求趨勢(shì)仍會(huì)持續(xù)一年，并且呼吁韓國(guó)本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)關(guān)注非存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)，以為未來(lái)的發(fā)展做好準(zhǔn)備。
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在NAND FLASH上建立YAFFS2文件系統(tǒng)
我們常說(shuō)的閃存其實(shí)只是一個(gè)籠統(tǒng)的稱呼，準(zhǔn)確地說(shuō)它是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM)的俗稱，特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
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復(fù)旦大學(xué)開創(chuàng)研發(fā)第三類存儲(chǔ)技術(shù)
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)近日實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時(shí)間今天凌晨，相關(guān)工作以《用于準(zhǔn)非易失應(yīng)用的范德瓦爾斯結(jié)構(gòu)半浮柵存儲(chǔ)》為題在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》。
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FSMC知識(shí)詳解，以及驅(qū)動(dòng)TFTLCD原理
FSMC:靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)控制器，能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲(chǔ)器。
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DC/DC電源模塊的常見(jiàn)故障大盤點(diǎn)
目前不同的供應(yīng)商在市場(chǎng)上推出多種不同的電源模塊，而不同產(chǎn)品的輸入電壓、輸出功率、功能及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等都各不相同。其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、微處理器、存儲(chǔ)器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。電源模塊雖然可靠性比較高，但有時(shí)也可能發(fā)生故障。下面北京穩(wěn)固得電子有限公司電源開發(fā)工程師為大家整理了DC/DC電源模塊的幾種常見(jiàn)故障。
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快閃存儲(chǔ)器背后的學(xué)問(wèn)，如何正確選擇合適控制器
從智能手機(jī)、筆記型電腦、以及與各種云端應(yīng)用相關(guān)的服務(wù)器，快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實(shí)世界中無(wú)處不在。快閃存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)如此普遍，我們大多數(shù)人甚至都沒(méi)有意識(shí)到快閃存儲(chǔ)器技術(shù)本質(zhì)上并不是一種可靠的儲(chǔ)存媒介。實(shí)際上，快閃存儲(chǔ)器單元的使用壽命有限，快閃存儲(chǔ)器的特性意味著需要強(qiáng)大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術(shù)以便使其有更好的性能表現(xiàn)。
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一文讀懂存儲(chǔ)器發(fā)展史
近日，國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法》等 20 項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實(shí)施。
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