存儲器
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AMD 宣布推出第二代 Versal Premium 系列，實現(xiàn)全新系統(tǒng)加速水平，滿足數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需求
— 以業(yè)界首款采用 CXL 3.1 及 PCIe Gen6 并支持 LPDDR5 的 FPGA 器件擴(kuò)展第二代 Versal 產(chǎn)品組合，助力快速連接、更高效數(shù)據(jù)遷移并釋放更多內(nèi)存—
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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。
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意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲器 提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
新存儲器兼?zhèn)浯虚W存的讀取速度與EEPROM的字節(jié)級寫操作靈活性，實現(xiàn)真正的兩全其美
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TrendForce集邦咨詢: 買方優(yōu)先去庫存，2024年第四季度存儲器價格漲幅放緩
Oct. 9, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季之前，消費型產(chǎn)品終端需求依然疲軟，由AI 服務(wù)器支撐起存儲器主要需求，加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能，供應(yīng)商對合約價格漲幅保持一定的堅持。然而，近期雖有服務(wù)器OEM維持拉貨動能，但智能手機(jī)品牌仍在觀望，TrendForce集邦咨詢預(yù)估第四季存儲器均價漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRAM整體平均價格估計上漲8%至13%，較前一季漲幅明顯收斂。
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存儲器在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演的角色
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲器無疑扮演著至關(guān)重要的角色。無論是智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦，還是大型服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心，存儲器都是這些設(shè)備能夠高效、準(zhǔn)確地執(zhí)行各種任務(wù)的核心組件之一。本文將深入探討存儲器在現(xiàn)代電子設(shè)備中的功能和作用，以及其在技術(shù)進(jìn)步中的演變和未來發(fā)展趨勢。
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軟件定義汽車未來趨勢：革新產(chǎn)品開發(fā)生命周期
軟件定義汽車的設(shè)計初衷是在汽車整個生命周期內(nèi)通過無線更新不斷增強(qiáng)?；谠频奶摂M化新技術(shù)允許開發(fā)始于芯片量產(chǎn)之前，并延續(xù)到汽車上路之后。
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FRAM作為代碼存儲器應(yīng)用中的單芯片解決方案：優(yōu)勢與前景
在快速發(fā)展的電子行業(yè)中，存儲器技術(shù)作為支撐各類電子設(shè)備運行的核心組件，其性能與可靠性直接關(guān)系到產(chǎn)品的整體表現(xiàn)。在眾多非易失性存儲器中，鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)以其獨特的優(yōu)勢，特別是在代碼存儲器應(yīng)用中的單芯片解決方案，正逐漸成為市場關(guān)注的焦點。本文將從FRAM的技術(shù)特點、作為代碼存儲器的優(yōu)勢、單芯片解決方案的應(yīng)用實例以及未來發(fā)展趨勢等方面進(jìn)行深入探討。
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TrendForce集邦咨詢: 2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調(diào)整，預(yù)計下半年價格將面臨壓力
Aug. 29 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM(內(nèi)存)庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。
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9月27日，第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會邀您相約深圳！
本屆峰會以“AI驅(qū)動，存儲復(fù)蘇”為主題，將匯聚存儲器產(chǎn)業(yè)鏈的終端廠商、原廠、平臺廠商、主控廠商、模組廠商、封測廠商、設(shè)備廠商、材料廠商等頭部企業(yè)、上市公司以及本土代表性企業(yè)，通過主題演講、資本市場對接與策略分享、存儲器品牌全球直播、展覽等多種形式，圍繞存儲器市場復(fù)蘇與AI新興應(yīng)用市場帶動下的產(chǎn)業(yè)格局與趨勢，分享前沿技術(shù)與最新產(chǎn)品，探討產(chǎn)業(yè)鏈上下游如何協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建合作共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)計2025年存儲器產(chǎn)業(yè)營收將因價格上漲和HBM、QLC技術(shù)的崛起而創(chuàng)新高
Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲器產(chǎn)業(yè)分析報告，受惠于位元需求成長、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價格，加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%，營收將創(chuàng)歷史新高，并且推動資本支出回溫、帶動上游原料需求，只是存儲器買方成本壓力將隨之上升。
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英飛凌推出業(yè)界首款符合太空標(biāo)準(zhǔn)的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM，擴(kuò)大其抗輻射存儲器產(chǎn)品組合
【2024年7月15日，德國慕尼黑訊】太空應(yīng)用是英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的一個重要領(lǐng)域。英飛凌的產(chǎn)品被用于衛(wèi)星、火星探測器儀器、太空望遠(yuǎn)鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應(yīng)用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌近日推出業(yè)界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM（F-RAM）非易失性存儲器。這款存儲器是英飛凌豐富存儲器產(chǎn)品組合中的新成員，其特點是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的數(shù)據(jù)保存期長達(dá) 120 年，并且能以總線速度進(jìn)行隨機(jī)存取和全存儲器寫入。
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Xilinx FPGA DDR3設(shè)計之DDR3基礎(chǔ)掃盲
DDR3，全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR3的設(shè)計特點包括：
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i.MX RT 1024內(nèi)部閃存配置為RWW的詳細(xì)指南
隨著嵌入式系統(tǒng)技術(shù)的不斷發(fā)展，對存儲器性能的要求也日益提高。i.MX RT 1024作為一款高性能的嵌入式微控制器，其內(nèi)部集成的閃存(Flash Memory)為開發(fā)者提供了便捷且高效的存儲解決方案。然而，在某些應(yīng)用場景中，我們不僅需要從閃存中讀取數(shù)據(jù)以運行程序，還需要在程序運行時對閃存進(jìn)行寫操作，即實現(xiàn)邊讀邊寫(Read-While-Write, RWW)的功能。本文將詳細(xì)介紹如何在i.MX RT 1024上配置內(nèi)部閃存以實現(xiàn)RWW功能。
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TrendForce集邦咨詢：HBM3e產(chǎn)出放量帶動，2024年底HBM投片量預(yù)估占先進(jìn)制程比重35%
May 20, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，三大原廠開始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲器合約價翻揚后，公司資金投入開始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)期1alpha nm(含)以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現(xiàn)佳，加上需求持續(xù)看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。
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Microchip擴(kuò)大耐輻射單片機(jī)產(chǎn)品線，為航空航天和防御市場推出基于Arm? Cortex?-M0+ 的32位單片機(jī)SAMD21RT
SAMD21RT采用64引腳陶瓷和塑料封裝，基底面為10 mm × 10 mm
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10GigE 實踐：設(shè)置單相機(jī)系統(tǒng)
無論您是在研究如何使用 10GigE 還是尋求所需考慮事項的建議，本文均提供有實踐，幫助確保單相機(jī) 10GigE 視覺系統(tǒng)設(shè)置順利并擁有良好性能。 我們列出了主機(jī)系統(tǒng)配置、布線和相機(jī)設(shè)置的實踐。
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存儲器分類
存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，負(fù)責(zé)存儲程序指令和數(shù)據(jù)，是實現(xiàn)計算和信息處理的基礎(chǔ)。根據(jù)其工作原理、存儲容量、訪問速度、穩(wěn)定性以及持久性等諸多特性，存儲器可以被細(xì)分為多個類別。本篇文章將詳細(xì)介紹存儲器的主要分類，并探討各類存儲器的應(yīng)用場景和技術(shù)特點。
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TrendForce集邦咨詢：臺灣花蓮3日強(qiáng)震，存儲器與晶圓代工產(chǎn)線初步影響評估
Apr. 03, 2024 ---- 4月3日7時58分在臺灣花蓮縣海域(北緯23.81度，東經(jīng)121.74度)發(fā)生7.3級地震，震源深度12千米。根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢于第一時間調(diào)查各廠受損及運作狀況指出，DRAM產(chǎn)業(yè)多集中在北部與中部，F(xiàn)oundry產(chǎn)業(yè)則北中南三地區(qū)，今日上午北部林口地區(qū)地震最大約4到5級間，其他地區(qū)地震約在4級左右，各廠已陸續(xù)進(jìn)行停機(jī)檢查。盡管檢查尚未結(jié)束，但目前為止各廠都沒有發(fā)現(xiàn)重大的機(jī)臺損害。
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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點，提升新一代微控制器的成本競爭力
2024年3月26日，中國-- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化。這項新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)。基于新技術(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。
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Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM產(chǎn)品線
該產(chǎn)品線提供了并行SRAM的低成本替代方案，容量高達(dá) 4 Mb，具有143 MHz SPI/SQI?通信功能
天地摩登恒
奪命耂司機(jī)
sunrisechip
qq3453539242
lmlj0502
snowsword
mcu430
Testtof
xscc
lingcoln
wangyin2111
heg77
kslwzzl
jhcj2014
jhcj2014
huazai123456
漫漫游之游
verifone
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yangling1011go
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