通向14nm和5nm節(jié)點技術(shù)的挑戰(zhàn)

對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，

通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)

當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk

通向14nm、5nm節(jié)點技術(shù)的挑戰(zhàn)

當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk

2010年中國集成電路市場強勢反彈 規(guī)模達7349.5億元

1、2010年中國集成電路市場規(guī)模7349.5億元，市場增長29.5% 　　 2010年全球半導體市場規(guī)模2983.2億美元，市場增速達31.8%，是繼2000年以來市場增速最快的一年，在經(jīng)歷的2009年的下滑之后，市場大幅反彈，結(jié)束了連續(xù)

2010年中國集成電路市場大幅反彈，市場規(guī)模達7349.5億元

1、2010年中國集成電路市場規(guī)模7349.5億元，市場增長29.5%2010年全球半導體市場規(guī)模2983.2億美元，市場增速達31.8%，是繼2000年以來市場增速最快的一年，在經(jīng)歷的2009年的下滑之后，市場大幅反彈，結(jié)束了連續(xù)多年來的

爾必達：希望分文不花整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚揚多時，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄首度吐露真心話表示，假如臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進入集成及合并階段，爾必達并不希望花任何1毛錢，希望能用股權(quán)交換方式來進行，若能集成成功，爾必

Ramtron的MaxArias™無線存儲器獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎

21ic訊 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，其MaxArias™ WM710xx系列無線存儲器獲《今日電子》雜志投票評選為2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品。Ramtron公司全球市場推廣總監(jiān)徐夢嵐稱：“我們很高興R

臺當局放寬大陸投資臺高科技產(chǎn)業(yè) 禁成立新公司

中新網(wǎng)2月28日電 據(jù)新加坡《聯(lián)合早報》綜合消息，臺灣當局“經(jīng)濟部”將在本周宣布放寬第二波陸資投資臺灣，范圍近30項，包括了面板與半導體廠，但持股上限不得逾10%，且只能與臺灣企業(yè)合資設立子公司，不能新設公

爾必達希望分文不花用股權(quán)交換方式整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚揚多時，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄首度吐露真心話表示，假如臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進入集成及合并階段，爾必達并不希望花任何1毛錢，希望能用股權(quán)交換方式來進行，若能集成成功，爾必

庫存逐漸消化爾必達擬調(diào)漲3月DRAM報價

日系存儲器大廠爾必達(Elpida)的臺灣存托憑證(TDR)即將于25日，以每股新臺幣21.3元掛牌，預計籌得42.6億元資金，社長坂本幸雄在24日掛牌前法說會中指出，看好3月DRAM價格可逐漸上漲，爾必達也計劃在3月初調(diào)漲DRAM報價

并行編程提升單芯片多處理性能

并行編程提升單芯片多處理性能

并行編程提升單芯片多處理性能

并行編程提升單芯片多處理性能

華亞科制程轉(zhuǎn)換出瑕疵 引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注

DRAM廠制程轉(zhuǎn)換再度傳出突發(fā)狀況，華亞科近期傳出12寸晶圓廠在后段制程出現(xiàn)一批低良率瑕疵品，恐影響2、3月DRAM產(chǎn)出量，甚至可能將瑕疵品轉(zhuǎn)銷往現(xiàn)貨市場，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注。華亞科對此表示，該事件影響不大，

ICT產(chǎn)業(yè)帶動韓國經(jīng)濟飛速發(fā)展

未來，ICT業(yè)務無疑將會迅速擴大并引起全球社會與經(jīng)濟結(jié)構(gòu)的巨大變革,企業(yè)的業(yè)務模式也要適時徹底調(diào)整。2011年全球ICT(信息通信技術(shù))市場規(guī)模將超過4萬億美元，其中亞太地區(qū)增長速度最高，約占世界的30%。因此，可以說

期待一個新時代的開啟

又到歲末年初，對于已經(jīng)發(fā)展到如此成熟規(guī)模的半導體產(chǎn)業(yè)而言，展望下一年的技術(shù)趨勢變得舉步維艱，因為每一個微小的技術(shù)變化都已經(jīng)可稱得上是重大的突破。市場需求將半導體的工藝技術(shù)推到了全世界工業(yè)精密生產(chǎn)的頂峰

存儲器保護電路

256KB動態(tài)存儲器擴展電路

DRAM合約價醞釀反彈　暫無崩盤之憂

DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%，隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價亦走向止跌，存儲器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%，使

合約價將發(fā)生反彈　DRAM暫無崩盤之憂

隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價亦走向止跌，存儲器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%，使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多；南亞

DRAM合約價醞釀反彈　暫無崩盤之憂

DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%，隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價亦走向止跌，存儲器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%，使