[導(dǎo)讀]DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達(dá)50%，隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價亦走向止跌，存儲器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%，使
DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達(dá)50%，隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價亦走向止跌，存儲器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%，使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多；南亞科則預(yù)計，2月DRAM合約價漲幅目標(biāo)是至少5%。
存儲器模塊廠指出，這一波DRAM報價止跌系由現(xiàn)貨價當(dāng)領(lǐng)頭羊，預(yù)期3月PC廠還會有一波備貨潮，DRAM現(xiàn)貨價至少還有10~20%上漲空間，2月合約價亦成功被現(xiàn)貨價帶動止跌。目前2GBDDR3模塊合約價約16美元，未來有機會重返20美元大關(guān)，若PC廠將內(nèi)建存儲器容量從2GB提升至4GB，價格約40美元，不超過1臺PC成本10%上限，客戶升級存儲器意愿將大增。
存儲器業(yè)者表示，這是繼2010年第4季DRAM合約價大跌50%之后，合約市場首度飛來春燕，亦是DRAM產(chǎn)業(yè)落底訊號，以目前PC客戶庫存來看，雖稱不上是偏低，但已趨于健康水位，預(yù)計再過1~2個月庫存會逐漸偏低，加上每年3月都是PC廠開始備庫存季節(jié)，以及英特爾(Intel)SandyBridge瑕疵芯片組在第1季末會全數(shù)更換重新出貨，亦將刺激PC廠積極備貨，3月底前補貨潮可望延續(xù)這一波價格反彈走勢。
存儲器模塊廠認(rèn)為，DRAM價格3月底前還有10~20%反彈空間，但不希望一舉漲太高，1GbDDR3芯片將反彈至1.3~1.4美元，2GbDDR3則反彈至2.5~2.6美元水平，都算是合理價位，在此價格區(qū)間，DRAM廠可以開始賺錢，模塊廠擁有合理庫存利益，下游客戶亦不至于抗拒，避免重蹈2010年DDR3一下子漲過頭，導(dǎo)致PC廠馬上又開始大砍存儲器容量覆轍。
在供給端方面，存儲器業(yè)者表示，2011年最特殊現(xiàn)象就是各種存儲器如MobileRAM、NANDFlash、SDRAM互搶產(chǎn)能，間接排擠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供給。其中，智能型手機和平板計算機需求興起，刺激MobileRAM和NANDFlash需求，Google與Facebook等云端服務(wù)服務(wù)器對于存儲器需求高達(dá)20~30GB，而3DTV亦帶動SDRAM需求升溫，游戲機熱潮則帶動繪圖卡存儲器(GDDR)需求增加。
由于全球存儲器產(chǎn)能不會再明顯往標(biāo)準(zhǔn)型DRAM靠攏，既有產(chǎn)能開始有很多產(chǎn)品選擇，這是過去存儲器產(chǎn)業(yè)相當(dāng)少見情況，未來標(biāo)準(zhǔn)型DRAM是否能跳脫供過于求泥淖，仍要觀察各家廠商40及30納米制程產(chǎn)能放量之后的整體供需結(jié)構(gòu)。
存儲器模塊廠指出，這一波DRAM報價止跌系由現(xiàn)貨價當(dāng)領(lǐng)頭羊，預(yù)期3月PC廠還會有一波備貨潮，DRAM現(xiàn)貨價至少還有10~20%上漲空間，2月合約價亦成功被現(xiàn)貨價帶動止跌。目前2GBDDR3模塊合約價約16美元，未來有機會重返20美元大關(guān)，若PC廠將內(nèi)建存儲器容量從2GB提升至4GB，價格約40美元，不超過1臺PC成本10%上限，客戶升級存儲器意愿將大增。
存儲器業(yè)者表示，這是繼2010年第4季DRAM合約價大跌50%之后，合約市場首度飛來春燕，亦是DRAM產(chǎn)業(yè)落底訊號，以目前PC客戶庫存來看，雖稱不上是偏低，但已趨于健康水位，預(yù)計再過1~2個月庫存會逐漸偏低，加上每年3月都是PC廠開始備庫存季節(jié)，以及英特爾(Intel)SandyBridge瑕疵芯片組在第1季末會全數(shù)更換重新出貨，亦將刺激PC廠積極備貨，3月底前補貨潮可望延續(xù)這一波價格反彈走勢。
存儲器模塊廠認(rèn)為，DRAM價格3月底前還有10~20%反彈空間，但不希望一舉漲太高，1GbDDR3芯片將反彈至1.3~1.4美元，2GbDDR3則反彈至2.5~2.6美元水平，都算是合理價位，在此價格區(qū)間，DRAM廠可以開始賺錢，模塊廠擁有合理庫存利益，下游客戶亦不至于抗拒，避免重蹈2010年DDR3一下子漲過頭，導(dǎo)致PC廠馬上又開始大砍存儲器容量覆轍。
在供給端方面，存儲器業(yè)者表示，2011年最特殊現(xiàn)象就是各種存儲器如MobileRAM、NANDFlash、SDRAM互搶產(chǎn)能，間接排擠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供給。其中，智能型手機和平板計算機需求興起，刺激MobileRAM和NANDFlash需求，Google與Facebook等云端服務(wù)服務(wù)器對于存儲器需求高達(dá)20~30GB，而3DTV亦帶動SDRAM需求升溫，游戲機熱潮則帶動繪圖卡存儲器(GDDR)需求增加。
由于全球存儲器產(chǎn)能不會再明顯往標(biāo)準(zhǔn)型DRAM靠攏，既有產(chǎn)能開始有很多產(chǎn)品選擇，這是過去存儲器產(chǎn)業(yè)相當(dāng)少見情況，未來標(biāo)準(zhǔn)型DRAM是否能跳脫供過于求泥淖，仍要觀察各家廠商40及30納米制程產(chǎn)能放量之后的整體供需結(jié)構(gòu)。
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