
臺積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(OneTimeProgrammable)存儲器IP獲得了美國汽車電子設(shè)備協(xié)會(AutomotiveElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade1”規(guī)格認(rèn)證(參閱英文發(fā)布資料)。臺積電已經(jīng)在0.2
市場調(diào)研公司Future Horizons創(chuàng)始人Malcolm Penn在第二季度半導(dǎo)體業(yè)績持續(xù)叫好時,看到芯片制造商卻采取愚蠢的行為,甚至在芯片交貨期延長情況下讓芯片的售價下降。Penn認(rèn)為某些芯片制造商一味追求擴大市場份額與為了
近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場,3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash
臺灣臺積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(One TimeProgrammable)存儲器IP獲得了美國汽車電子設(shè)備協(xié)會(Automotive ElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade 1”規(guī)格認(rèn)證。 臺積電已經(jīng)在0.25μm和0.
編者點評:存儲器是半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。它的特點起伏大,幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導(dǎo)體制造工藝能力水平,通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。
隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)以及原有技術(shù)的改進(jìn),存儲器組合也在不斷發(fā)生變化,以前未曾聽說的存儲器技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)得到普遍使用。例如,上網(wǎng)本已經(jīng)開始配備固態(tài)存儲器,這種存儲器能滿足上網(wǎng)本更低的功耗要求,從而
摘要:給出了利用兩個采樣速率為500MHz的超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器MAXlOlA來交替采樣以實現(xiàn)1GHz采樣速率的實現(xiàn)方法,同時分析了MAXlOlA的原理特點以及在系統(tǒng)中的應(yīng)用。該方法采用了可編程邏輯器件作為控制器和數(shù)據(jù)緩存器,因
由于半導(dǎo)體景氣優(yōu)于預(yù)期,已有5家封測廠表態(tài)上調(diào)資本支出,包括華東、力成、日月光、矽格和矽品,合計比先前金額提高超過40%,盡管資本支出大舉攀高再度引發(fā)外界對過度投資疑慮,惟封測廠皆表示,主要系看到客戶需求
邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場,聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布;值得注意的是,業(yè)界透露,雙方技術(shù)合作僅是第1階段,未來第2階段考慮以交*持股的方式,讓雙方的
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今天宣布,推出業(yè)界首款具備報警存儲器的離子式和光電式煙霧探測器IC。低功耗RE46C162/3離子式和RE46C165/6/7/8(RE46C16X)光電式煙霧探測器IC可以很方便地迅速確定相
如果您是半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)言者,六個月過去將作什么調(diào)整?隨著前幾個月半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)入增長時代,WSTS及SIA將調(diào)整去年11月的預(yù)測,而作新的2010年半年預(yù)測。目前WSTS對于2010年非常樂觀,與先前的預(yù)測相比,增加3倍達(dá)29%為
韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo),海力士(Hynix Semiconductor)在中國大陸的第2座存儲器封測工廠已落成。這座廠房名為Hitech半導(dǎo)體封裝測試公司,位于江蘇無錫,是與無錫太極實業(yè)合資的企業(yè),由海力士持有45%股權(quán),太極實業(yè)擁有剩
SEMI于6月1日公布全球半導(dǎo)體投資的報告,之前曾預(yù)測2010年增長60%,而如今已修正為增長117%,從2009年的163億美元,到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi)),如扣除分立器件為335億美元,增長115.7%。誰在積極
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布巨額資本支出計畫后,爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄亦表示,最快將在2012年前與臺系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房,并將邀請大陸政府官方入股。業(yè)界推測爾必達(dá)落腳之處有兩個選項,其一是茂
日前傳聞爾必達(dá)可能牽手臺灣茂德來中國建存儲器廠,引起業(yè)界興趣。如今不管項目成與否?作些準(zhǔn)備還是十分有必要的。爾必迖在中國建廠的目的爾必達(dá)社長坂本幸雄是個有野心之人,誓言要與三星爭個高低,作全球存儲器第
繼三星電子(Samsung Electronics)宣布巨額資本支出計畫后,爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄亦表示,最快將在2012年前與臺系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房,并將邀請大陸政府官方入股。業(yè)界推測爾必達(dá)落腳之處有兩個選項,其一是茂
隨著半導(dǎo)體業(yè)逐漸地走出2008/2009年低谷,450mm硅片的可行性再次提上議事日程。目前450mm最大問題集中在研發(fā)成本及未來投資的回報率。300mm fab每年的興建數(shù)量與預(yù)測Source: Company sources, Semico Fab Database半
SEMI于6月1日公布全球半導(dǎo)體投資的報告,之前曾預(yù)測2010年增長60%,而如今已修正為增長117%,從2009年的163億美元,到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi)),如扣除分立器件為335億美元,增長115.7%。誰在積極
按ICInsight報告,在DRAM及NAND市場高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。ICInsight的McLean的5月最新報告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進(jìn)了
按iSuppli報道,今年Q1半導(dǎo)體銷售額與09年Q4相比增長2%,是連續(xù)第四個季度環(huán)比的增長,也是2004年以來最強的季度銷售額。按iSuppli市場部副總裁DaleFord認(rèn)為,得出這樣的結(jié)果是iSuppli公司通過統(tǒng)計150家以上公司中,