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[導(dǎo)讀]臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(One TimeProgrammable)存儲(chǔ)器IP獲得了美國(guó)汽車電子設(shè)備協(xié)會(huì)(Automotive ElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade 1”規(guī)格認(rèn)證。 臺(tái)積電已經(jīng)在0.25μm和0.

臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(One TimeProgrammable)存儲(chǔ)器IP獲得了美國(guó)汽車電子設(shè)備協(xié)會(huì)(Automotive ElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade 1”規(guī)格認(rèn)證。

臺(tái)積電已經(jīng)在0.25μm和0.18μm用閃存IP方面獲得了AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。這些主要用于車載微控制器(MCU)用途。另外,此次的OTP存儲(chǔ)器將用于把電源管理(Power Management)和模擬應(yīng)用封裝到SoC時(shí)。具體能夠用于模擬信號(hào)調(diào)整(AnalogTrimming)、配置(Configuration)設(shè)定、密鑰以及向用戶提供固有定制(Customization)等。

此次的IP內(nèi)核基于從臺(tái)灣力旺電子(eMemory Technology)獲得授權(quán)的BitCell構(gòu)造。無(wú)需追加工藝步驟便可用于臺(tái)積電的雙極CMOS-DMOS(BCD)工藝、混合信號(hào)/模擬工藝以及標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝中??稍?5℃的工作溫度下,保證10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間。采用了最初編程需要7.5V電壓、,編程完畢后可在5V單一電源下工作的設(shè)計(jì)。(記者:小島 郁太郎)

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據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴,其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

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據(jù)外媒TECHPOWERUP報(bào)道,中國(guó)臺(tái)灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國(guó)家已不是什么秘密,臺(tái)積電已同意在亞利桑那州建廠,同時(shí)歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺(tái)積電洽談建廠。

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12 月 15 日消息,英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺(tái)積電,敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外,digitimes 放出了一張來(lái)源于彭博社的數(shù)據(jù),曝光了臺(tái)積電前 10 大客戶營(yíng)收貢獻(xiàn)占比。

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雖然說(shuō)臺(tái)積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常,并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺(tái)風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺(tái)風(fēng)造成的交通機(jī)場(chǎng)轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響,對(duì)于這些半導(dǎo)體大廠來(lái)說(shuō)也可謂是不小的麻煩。

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近日,在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上,三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來(lái)技術(shù)路線圖,宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝,更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn),主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

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創(chuàng)新企業(yè)上市可在存托憑證(CDR)和首次公開發(fā)行(IPO)二選一,國(guó)際巨頭登錄A股方式逐漸明朗化。爆料出臺(tái)積電擬登錄A股,一成股權(quán)實(shí)施CDR。雖然臺(tái)積電已明確否認(rèn),但臺(tái)灣媒體分析仍然存在可能性。

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