
1 引言 在中國有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救,但相當一部分顱內出血患者因未能及時診斷,延誤了搶救和治療時機.因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓迫腦組織.使腦干和腦實質受到不可逆轉的損傷。近紅外顱內出血檢測設
隨著半導體行業(yè)的整體復蘇,2010年ATE市場預計也將翻番。但存儲器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢達的破產(chǎn),二手ATE測試設備還處于消化過程中。為布局即將增長的存儲器測試市場,Verigy推出了全新的適用于未來3代高速
“我準備把新一代存儲技術帶到中國!”美國工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲器將是未來存儲的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主任。憑借在研發(fā)“互補性氧化金屬半導體
“我準備把新一代存儲技術帶到中國!”美國工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲器將是未來存儲的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主任。憑借在研發(fā)“互補性氧化金屬半導體
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案,進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優(yōu)勢在于其未來的可升級性,能夠為數(shù)據(jù)傳輸
隨著半導體行業(yè)的整體復蘇,2010年ATE市場預計也將翻番。但存儲器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢達的破產(chǎn),二手ATE測試設備還處于消化過程中。為布局即將增長的存儲器測試市場,Verigy推出了全新的適用于未來3代高速
摘要:設計一種基于PCIe總線的不間斷采樣和傳輸?shù)某咚贁?shù)據(jù)采集卡。利用雙400MHz、14位AID轉換器實現(xiàn)了800 MHz、14位的信號高速、高精度采集,論述了利用Xilinx公司FPGA的IPCORE設計實現(xiàn)PCIe總線控制接口?;赑CIe
“中國半導體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎,如果要趕超世界先進水平,必須要找準方向、加強合作?!爆F(xiàn)任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時說。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主
半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy)在韓國一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內安裝并驗證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)(運行速度超過每接腳4 Gbps)的快速高良
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲,盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結構卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NORFlash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲,盡管各家NORFlash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結構卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫離
臺積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(OneTimeProgrammable)存儲器IP獲得了美國汽車電子設備協(xié)會(AutomotiveElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標準Grade1”規(guī)格認證(參閱英文發(fā)布資料)。臺積電已經(jīng)在0.2
市場調研公司Future Horizons創(chuàng)始人Malcolm Penn在第二季度半導體業(yè)績持續(xù)叫好時,看到芯片制造商卻采取愚蠢的行為,甚至在芯片交貨期延長情況下讓芯片的售價下降。Penn認為某些芯片制造商一味追求擴大市場份額與為了
近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場,3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash
臺灣臺積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(One TimeProgrammable)存儲器IP獲得了美國汽車電子設備協(xié)會(Automotive ElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標準Grade 1”規(guī)格認證。 臺積電已經(jīng)在0.25μm和0.
編者點評:存儲器是半導體業(yè)的風向標。它的特點起伏大,幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導體制造工藝能力水平,通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進工藝技術。
隨著新技術的不斷涌現(xiàn)以及原有技術的改進,存儲器組合也在不斷發(fā)生變化,以前未曾聽說的存儲器技術現(xiàn)在已經(jīng)得到普遍使用。例如,上網(wǎng)本已經(jīng)開始配備固態(tài)存儲器,這種存儲器能滿足上網(wǎng)本更低的功耗要求,從而
摘要:給出了利用兩個采樣速率為500MHz的超高速模數(shù)轉換器MAXlOlA來交替采樣以實現(xiàn)1GHz采樣速率的實現(xiàn)方法,同時分析了MAXlOlA的原理特點以及在系統(tǒng)中的應用。該方法采用了可編程邏輯器件作為控制器和數(shù)據(jù)緩存器,因
由于半導體景氣優(yōu)于預期,已有5家封測廠表態(tài)上調資本支出,包括華東、力成、日月光、矽格和矽品,合計比先前金額提高超過40%,盡管資本支出大舉攀高再度引發(fā)外界對過度投資疑慮,惟封測廠皆表示,主要系看到客戶需求
邏輯和DRAM技術跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場,聯(lián)電、爾必達(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布;值得注意的是,業(yè)界透露,雙方技術合作僅是第1階段,未來第2階段考慮以交*持股的方式,讓雙方的