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長(zhǎng)距離出行需求下的功率器件革命
在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)向 “長(zhǎng)續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件，直接決定車輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限，已難以滿足超長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車(續(xù)航目標(biāo) 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其卓越的電學(xué)特性，成為破解長(zhǎng)距離出行痛點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其有效實(shí)施正在重塑電動(dòng)汽車功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)邏輯。
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Allegro MicroSystems 推出業(yè)界首款量產(chǎn)級(jí) 10 MHz TMR 電流傳感器 為寬禁帶功率電子器件提供精準(zhǔn)保護(hù)與控制
新一代 XtremeSense? TMR 電流傳感器，為電動(dòng)汽車、清潔能源和數(shù)據(jù)中心等采用 GaN 與 SiC FET 的設(shè)計(jì)提供高保真電流信號(hào)，助力工程師精準(zhǔn)掌控功率轉(zhuǎn)換信號(hào)鏈
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氮化鎵(GaN)技術(shù)：推動(dòng)電源管理的革新力量
在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用使得電源管理成為了一個(gè)至關(guān)重要的領(lǐng)域。從智能手機(jī)、筆記本電腦到數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車，高效的電源管理對(duì)于設(shè)備的性能、能效和尺寸都起著決定性作用。近年來(lái)，氮化鎵(GaN)技術(shù)的興起，為電源管理帶來(lái)了前所未有的變革，正逐漸成為推動(dòng)電源管理不斷革新的關(guān)鍵力量。
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半導(dǎo)體創(chuàng)新推動(dòng)能源格局演變的三種方式
在全球積極追求可持續(xù)發(fā)展與應(yīng)對(duì)氣候變化的大背景下，能源格局正經(jīng)歷著深刻變革。半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代科技的基石，在這場(chǎng)能源變革中扮演著極為關(guān)鍵的角色，其創(chuàng)新正從多個(gè)維度重塑能源的生產(chǎn)、傳輸與使用方式，成為推動(dòng)能源格局演變的核心驅(qū)動(dòng)力。
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確保可靠性：碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開(kāi)關(guān)速度。
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SiC功率器件生產(chǎn)規(guī)模效益擴(kuò)大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進(jìn)入生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)
正在持續(xù)擴(kuò)建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價(jià)值約 50 億歐元的設(shè)計(jì)訂單，并且收到了來(lái)自新老客戶約10億歐元的預(yù)付款。值得一提的是，這些設(shè)計(jì)訂單來(lái)自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)，英飛凌正在持續(xù)擴(kuò)大其在SiC生產(chǎn)制造領(lǐng)域的規(guī)模優(yōu)勢(shì)，提升產(chǎn)能效益，同時(shí)將寬禁帶功率器件帶入到一個(gè)更為廣闊且多元的應(yīng)用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來(lái)邁進(jìn)。
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持續(xù)高增長(zhǎng)的第三代半導(dǎo)體為何如此火熱？
第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。
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從測(cè)試角度看寬禁帶技術(shù)的挑戰(zhàn)，泰克為工程師提供簡(jiǎn)化工具
泰克針對(duì)性的測(cè)試解決方案覆蓋了從半導(dǎo)體材料、生產(chǎn)、可靠性到電源設(shè)計(jì)應(yīng)用的全流程，幫助用好寬禁帶技術(shù)，推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。
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意法半導(dǎo)體針對(duì)高能效功率變換應(yīng)用，推出新的 45W和150W MasterGaN 產(chǎn)品
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
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芯派科技采用是德科技功率器件測(cè)試解決方案，加速推進(jìn)第三代寬禁帶發(fā)展
是德科技公司日前宣布，芯派科技采用了是德科技的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案，二者將共同為促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出努力。
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)...
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為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
泰克科技日前發(fā)布了全新Keithley S530系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)搭載了KTE 7軟件，提供更多增強(qiáng)功能。S530平臺(tái)使半導(dǎo)體制造商為高速增長(zhǎng)的新技術(shù)增加參數(shù)測(cè)試功能，同時(shí)最大程度地減少資本投入和提高每小時(shí)晶圓制造效率。這將降低整體擁有成本，幫助制造商在競(jìng)爭(zhēng)激烈的新興市場(chǎng)中應(yīng)對(duì)巨大的價(jià)格壓力。
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安森美半導(dǎo)體的世界級(jí)寬禁帶產(chǎn)品供應(yīng)鏈
當(dāng)采用寬禁帶材料如碳化硅(SiC)半導(dǎo)體等精密器件時(shí)，至關(guān)重要的是選擇一個(gè)不僅可提供產(chǎn)品，還可提供設(shè)計(jì)方案、信息和支援的供應(yīng)商。安森美半導(dǎo)體具有內(nèi)部的、端到端供應(yīng)鏈的優(yōu)勢(shì)。
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SiC和GaN的現(xiàn)狀，你了解嗎？
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被稱為“寬禁帶半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶擴(kuò)散到導(dǎo)帶所需的能量為：在硅中，該能量為1.1eV， SiC(碳化硅)為3.3eV，GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致較高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200至1700V。由于使用了生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)勢(shì)：
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素，作為最基礎(chǔ)的器件原料，硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來(lái)隨著電動(dòng)汽車、5G的新應(yīng)用的普及，對(duì)于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC（碳化硅）等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。
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新型碳化硅基片提升功率器件解析
大家可能都聽(tīng)說(shuō)過(guò)SiC，那么知道他在汽車上的作用嗎?對(duì)電動(dòng)汽車，電信和工業(yè)應(yīng)用中技術(shù)的不斷增長(zhǎng)的需求促使Soitec和Applied Materials共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅(SiC)基板的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃。該計(jì)劃旨在提供技術(shù)和產(chǎn)品，以改善用于下一代電動(dòng)汽車的SiC器件的性能和可用性。
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SiC和GaN用于功率轉(zhuǎn)換的前景分析
相信很多人都聽(tīng)說(shuō)過(guò)半導(dǎo)體，那么你知道碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在功率應(yīng)用方面(特別是在電源市場(chǎng)中)比硅半導(dǎo)體具有優(yōu)勢(shì)。但是，使用這些寬帶半導(dǎo)體(寬禁帶)的設(shè)計(jì)人員面臨著現(xiàn)實(shí)生活中的挑戰(zhàn)。
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碳化硅隔離柵器件解析
什么是碳化硅隔離柵器件?它的作用是什么?Maxim Integrated推出了一款碳化硅(SiC)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，用于工業(yè)市場(chǎng)的高效電源。該公司聲稱，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，新設(shè)備的功耗降低了30%，碳足跡降低了30%。
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電路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場(chǎng)中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多，并且隨著對(duì)SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來(lái)源。
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半導(dǎo)體寬禁帶的技術(shù)解析
科技的不斷創(chuàng)新帶動(dòng)了半導(dǎo)體的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體電路中，出現(xiàn)了一個(gè)詞，不是別的就是我們的主題，半導(dǎo)體禁帶寬度?這個(gè)詞的出現(xiàn)是解決電路中什么問(wèn)題呢?帶著各種疑問(wèn)，我們一起學(xué)習(xí)起來(lái)吧~
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