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[導(dǎo)讀]硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素,作為最基礎(chǔ)的器件原料,硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來隨著電動(dòng)汽車、5G的新應(yīng)用的普及,對(duì)于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC(碳化硅)等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。

硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素,作為最基礎(chǔ)的器件原料,硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來隨著電動(dòng)汽車、5G的新應(yīng)用的普及,對(duì)于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC(碳化硅)等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。

在整個(gè)功率器件市場(chǎng)上,英飛凌是市占率最高的供應(yīng)商。目前英飛凌已經(jīng)形成了三條“cool”系列的產(chǎn)品線:coolSiC,CoolGaN和CoolMOS。三條產(chǎn)品線相互補(bǔ)充,為功率市場(chǎng)提供了完整的解決方案。近期收到疫情影響,全新的650V SiC產(chǎn)品的發(fā)布會(huì)改為線上召開,英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生,針對(duì)SiC市場(chǎng)和新產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)行了精彩的分享。

SiC的酷在何處?

據(jù)陳清源先生介紹,與傳統(tǒng)硅器件相比,SiC的帶隙部分是硅材料的大概三倍。所以我們通常將這類器件稱之為寬禁帶半導(dǎo)體。在單位面積的阻隔電壓能力方面,SiC是硅器件的大概7倍。電子遷移率的差距并不大,但是SiC器件的熱傳導(dǎo)能力是硅芯片的3倍多;電子漂移速度也是硅器件的2倍以上。

SiC酷在哪里?如何做最酷的SiC?

“傳統(tǒng)的硅器件,產(chǎn)品范圍最廣,開發(fā)時(shí)間最久,性價(jià)比最高。從性價(jià)比的角度出發(fā),硅是首選?!标惽逶聪壬f道,“GaN器件的效率最高、功率密度最大、切換速度最快(MHz級(jí)),所以是中低壓高性能應(yīng)用的首選。SiC類功率器件的開關(guān)頻率比GaN的要慢(kHz級(jí)),但SiC適用的電壓范圍從650V到3.3kV都可以,優(yōu)勢(shì)在于易用性和耐高溫性能都相對(duì)較好?!?/span>

如何做業(yè)界最“酷”的SiC產(chǎn)品?

我們從英飛凌最新發(fā)布的650V CoolSiC MOSFET,來給大家展示一下,英飛凌是如何做出最“酷”的SiC器件的。

“最完整的SiC技術(shù)”

CoolSiC系列產(chǎn)品提供了完整的產(chǎn)品圖譜來供客戶選擇,從靜態(tài)導(dǎo)通電阻的角度來看提供了從27 mΩ到107 mΩ的四款產(chǎn)品,未來也會(huì)推出更多封裝的形式。在可靠性方面,為了防止“誤導(dǎo)通”,英飛凌將V(GS)的設(shè)計(jì)為4V以上,這樣可以免除一些噪音的誤導(dǎo)通。在一些特殊的拓?fù)洌ɡ鏑CM圖騰柱)中,優(yōu)化了硬換向的體二極管,跟既有的硅體二極管的能力差異明顯。另外,為了讓傳統(tǒng)硅器件的工程師更容易上手SiC的產(chǎn)品,尹飛凌將V(GS)的電壓范圍也放寬了,在0V電壓即可關(guān)斷V(GS),這樣就不會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓。這樣就不會(huì)給整個(gè)電路造成負(fù)擔(dān),給設(shè)計(jì)人員帶來額外的設(shè)計(jì)的壓力。

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“溝槽式工藝是未來趨勢(shì)”

同樣的SiC的產(chǎn)品,在保證同樣高可靠性的條件下,溝槽式的性能比平面式的更好。未來將SiC這種新材料的性能發(fā)揮到極致,英飛凌的CoolSiC系列的產(chǎn)品,一直以來采用了這種溝槽式的加工工藝。據(jù)陳清源介紹,傳統(tǒng)的平面式的器件在導(dǎo)通狀態(tài)下,性能和柵極氧化層的可靠性之間要做很大的折衷;溝槽式更容易達(dá)到性能要求而不偏離柵極氧化層的安全條件。溝槽式的技術(shù)雖然很多家都在做,但是英飛凌已經(jīng)積累了二十多年的CoolMOS技術(shù),這些技術(shù)積累可以確保采用溝槽式的SiC器件在生產(chǎn)良率和可靠性方面都可以維持較高的水準(zhǔn)。

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持續(xù)的高研發(fā)資本投入

SiC的市場(chǎng)上,最近已經(jīng)涌現(xiàn)出了很多的國內(nèi)外的廠商,他們提供的產(chǎn)品或是具有較好的性能,或是價(jià)格極具競(jìng)爭(zhēng)力。而對(duì)于英飛凌而言,SiC是一個(gè)長期的布局,從過去幾年到未來,英飛凌將持續(xù)不斷地進(jìn)行研發(fā)資本的投入。因?yàn)橛w凌的功率產(chǎn)品線覆蓋面比較廣,而且在Si的領(lǐng)域已經(jīng)積累了20多年的經(jīng)驗(yàn)和銷售渠道,所以其實(shí)在別的產(chǎn)品線上獲得收益也可以用來補(bǔ)充SiC產(chǎn)品線的研發(fā)成本的投入。SiC產(chǎn)品的未來的高市場(chǎng)增長率是明確的,所以英飛凌將其視為是一場(chǎng)馬拉松,將會(huì)持續(xù)不斷地進(jìn)行研發(fā)工作的投入。一些新晉廠商和小廠商在這方面相比英飛凌有著不小的差距,既要盈利,又要確保新產(chǎn)品的持續(xù)研發(fā),保證不出局,還是很有壓力的。

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以一個(gè)數(shù)據(jù)中心PSU電源的應(yīng)用來舉例(見下圖),如果要達(dá)到96%的效率,則其可以采用CCM圖騰柱和硅的LLC軟開關(guān)兩種結(jié)合的方案;如果要將效率提升到98%,則可以采用PFC+SiC的LLC的設(shè)計(jì),因?yàn)檫@個(gè)SiC的器件的效率是99%,比Si MOS的LLC的效率高,所以整體的PSU電源的效率最終可以提高到98%的水平。所以對(duì)于客戶而言,選擇一個(gè)既有硅產(chǎn)品、又有SiC產(chǎn)品線和GaN產(chǎn)品線的供應(yīng)商而言,在其進(jìn)行設(shè)計(jì)的升級(jí)的時(shí)候可以提供更多的方面,保證自己的設(shè)計(jì)具有一定的彈性。

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SiC產(chǎn)品的市場(chǎng)需求目前非常大, 根據(jù)IHS的預(yù)估,今年會(huì)有近5000萬美元的市場(chǎng)份額。再往后到2028年,市場(chǎng)份額會(huì)達(dá)到1億6000萬美元。市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,帶來了更多的機(jī)遇,未來英飛凌也會(huì)持續(xù)投入,推出更多的SiC的新品,讓我們拭目以待。

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