新思科技接口和基礎 IP 組合已獲多家全球領先企業(yè)采用,可為 ADAS 系統(tǒng)級芯片提供高可靠性保障
進入2023年,工業(yè)4.0背景下工業(yè)控制市場的產業(yè)鏈各級廠商全面發(fā)力,不斷加速工業(yè)制造在數(shù)字化、智能化、綠色化等發(fā)展方向上的推陳出新。據(jù)Prismark統(tǒng)計,2019-2023年全球工業(yè)控制市場規(guī)模年均復合增長率為3%,預計2023年全球工業(yè)控制的市場規(guī)模將達到2600億美元。此外,據(jù)Yole Development統(tǒng)計,存儲器細分領域NOR Flash在2021年的市場規(guī)模為35億美元,預計2027年增長至49億美元,年均復合增長率約為6%??梢灶A見,MCU芯片、嵌入式存儲器等作為工業(yè)控制領域的核心部件,市場需求量持續(xù)攀升,眾多上游原廠也在爭先發(fā)力,各自推出更高性能、更高可靠性的產品以搶占市場先機。
近期關于格芯(GLOBALFOUNDRIES)將出售新加坡Fab 7廠的消息和猜測純屬謠言。任何關于出售Fab 7廠和出售格芯的傳聞均為無稽之談。
為新的ASIC/SOC選擇最優(yōu)嵌入式存儲器IP是設計決策的關鍵。設計師應了解適用于其特定應用程序的最佳存儲器特性的所有關鍵參數(shù),其尋求的存儲器IP應具有足夠的適應性,可滿足目標SoC的各種需求。盡管有現(xiàn)成的免費存儲器IP可供使用,但與可為特定應用程序提供更好特性的收費IP相比,它并不能總是提供最佳解決方案。
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中,首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產。預計試產主要采用22nm工藝。這種次世代存儲將能夠為物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算電腦和智能汽車等四領域所提供效能更快和耗電更低的存儲效能。臺積電此舉讓嵌入式存儲器再度回到人們的視線中。本文將為你闡述嵌入式存儲器的前世今生。
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產品有別于競爭對手的產品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)發(fā)展熱潮將推升嵌入式記憶體需求。行動裝置、汽車、工業(yè)等機器對機器(M2M)裝置對固態(tài)硬碟需求持續(xù)攀升,加上嵌入式系統(tǒng)因應巨量資料(Big Data)來臨,對記憶體容
1 引言 建立芯片模型是在早期進行芯片架構決策的有效方法,通過建模不僅可以對芯片的性能做出分析,還可以在硬件沒有完成之前開發(fā)軟件,不僅提高了產品成功率,而且
在傳統(tǒng)的大規(guī)模ASIC和SoC設計中,芯片的物理空間大致可分為以下三部分:1.用于新的定制邏輯2.用于可復用邏輯(第三方IP或傳統(tǒng)的內部IP)3.用于嵌入式存儲如圖1所示,當各廠商
比較:體校晶體管和FD-SOI晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月7日消息,據(jù)外媒 Electronicsweekly報道,Memoir Systems宣布已采用其算法內存技術為意法半導體獨有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣
Mentor Graphics公司(納斯達克代碼:MENT)今天宣布其已通過添加嵌入式存儲器成功拓展了Kronos™單元特征化與分析平臺。Kronos平臺可在高級集成環(huán)境中為標準單元、I/O、復雜單元和嵌入式存儲器高效制作精確的性
引言 近年來,消費者對電子產品的更高性能和更小尺寸的要求持續(xù)推動著SoC(系統(tǒng)級芯片)產品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要繼續(xù)推動這種無止境的需求以及繼續(xù)解決器件集成領域的挑戰(zhàn),最
隨著SoC設計向存儲器比例大于邏輯部分比例的方向發(fā)展,高質量的存儲器測試策略顯得尤為重要。存儲器內置自測試(BIST)技術以合理的面積開銷來對單個嵌入式存儲器進行徹底的測試,可提高DPM、產品質量及良品率,因而正
Synopsys推出DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫
關鍵字:存儲器測試系統(tǒng)級芯片(SoC)中存儲器容量的增加以及嵌入式存儲器支配整個裸片良品率的事實,使良品率設計(DFY)面臨日益嚴峻的挑戰(zhàn),特別是在新興的90nm和65nm半導體技術領域。由于嵌入式存儲器容易產生較高的
新型的嵌入式存儲器測試算法
在實際測試中總是得面臨測試工具的成本,測試開發(fā)時間,測試機臺的時間,測試向量的調試時間,以及測試覆蓋率之間的考量與抉擇。宏測試是可以有效地對那些與日俱增的小型嵌入式模塊進行靜態(tài)與實速故障測試的工具。它甚至可以應用到較大的存儲器,透過芯片的功能邏輯,自動執(zhí)行全速測試。