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Brewer Science：半導(dǎo)體工藝進步引領(lǐng)材料科技發(fā)展新方向，先進封裝市場增長快
接近物理極限之后，半導(dǎo)體工藝的每一點進步，都會影響到半導(dǎo)體各個分支領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。7納米制造工藝引入EUV（極紫外光設(shè)備）設(shè)備，必須要為EUV制造工藝匹配相應(yīng)的光刻膠。“光刻最重要的就是三光，即光刻機、光源和光刻膠，這三光都做好，光刻就沒有什么特別的地方，”Brewer Science亞洲營運總監(jiān)汪士偉（Stanley Wong）告訴探索科技（TechSugar）， 光刻過程中的“三光”做好并不容易，以光刻膠反射涂層為例，當(dāng)光源照射在襯底上的時候如果發(fā)生發(fā)光，會造成駐波，從而導(dǎo)致刻蝕時線做不直，“在0.5微米工藝時代，有反光還能接受，但到0.25微米、0.18微米或90納米工藝以后，如果反光控制不好，就無法完成光刻工藝。”
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科天（KLA-Tencor）：制程管控這門生意
如今工藝節(jié)點不斷微縮，從90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、10nm、7nm，再到5nm、3nm、1nm，晶體管數(shù)量越來越多，單顆芯片中晶體管數(shù)量超過數(shù)十億個。不僅如此，工藝步驟也在增多，制造工藝可能包括1000個以上的工藝步驟，外加上超過1英里長的電路布線，這些所有的品質(zhì)都集中體現(xiàn)在一顆小小的晶圓上，而其中任意一個步驟出現(xiàn)問題，整個芯片就會報廢。
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大規(guī)模商用還需IP支持，圖像處理應(yīng)用或是FD-SOI落地關(guān)鍵
“世界日趨復(fù)雜，技術(shù)向前發(fā)展遇到了越來越多的問題，要更好地應(yīng)對挑戰(zhàn)，就需要差異化解決方案。”在第六屆上海FD-SOI論壇上，格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，F(xiàn)D-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
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薛定諤的摩爾定律
“FinFET之后，所謂的14nm、10nm、7nm、5nm工藝只是一個數(shù)字，其實它根本不是半導(dǎo)體的線寬。所以我們的發(fā)展還沒有到半導(dǎo)體行業(yè)的極限值。”說這話的是海思平臺與關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)部部長夏禹女士。
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聯(lián)電：汽車業(yè)務(wù)增速快，特殊制程爭第一
根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights的數(shù)據(jù)，2017年全球晶圓代工市場規(guī)模為623億美元，其中臺積電一家公司占比過半。先進晶圓制造工藝研發(fā)、產(chǎn)線建設(shè)成本越來越高，全球半導(dǎo)體行業(yè)只有三星、英特爾與臺積電才有實力每年在半導(dǎo)體上的資本支出約百億美元，繼續(xù)開發(fā)先進工藝，其余廠商逐漸放棄對先進工藝的追逐，聯(lián)電就是其中之一。
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從政策看“雄心”，中國各地區(qū)集成電路都定了什么目標？（上）
先進設(shè)計能力進入16/14納米及以下，量產(chǎn)工藝達到16/14納米；特色工藝進入世界先進行列，部分領(lǐng)域達到國際領(lǐng)先水平；產(chǎn)業(yè)配套：國產(chǎn)主要專用裝備和材料在大生產(chǎn)線上占有率超過30％和40%，關(guān)鍵裝備和材料進入國際采購體系；產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，設(shè)計制造的比重顯著提升，設(shè)計業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)、裝備材料業(yè)占比分別為4:3:2:1；龍頭企業(yè)：培育出一批設(shè)計、制造、裝備的龍頭企業(yè)，設(shè)計和制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)進入世界先進行列?！?/p>
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明年繼續(xù)是3nm的高光時代，2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)
如今的半導(dǎo)體芯片工藝制程越來越先進了，今年三星量產(chǎn)了3nm工藝，臺積電的3nm也蓄勢待發(fā)，明年就會是3nm的高光時代，2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)。
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你對10nm工藝愛答不理，如今的10nm已經(jīng)高攀不起了？
12 月 10 日消息，半導(dǎo)體分析師 Dylan Patel 稱意法半導(dǎo)體未來將進軍 10nm 工藝，不過考慮到提到的晶圓廠直到 2026 年才能滿負荷生產(chǎn) 18nm 工藝，實現(xiàn) 10nm 工藝的具體時間可能較晚。
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未來三年內(nèi)投資 1000 億美元擴大其芯片制造能力，并計劃在 2025 年生產(chǎn) 2nm芯片
1nm芯片指的是采用1nm制程的芯片。芯片采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，放在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上。
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1納米單位到底有多?。縓X nm制造工藝是什么概念？
在先進工藝上，臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會開始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。
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中國半導(dǎo)體破局之路
十年一個周期，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融資額已經(jīng)登上萬億臺階，繁榮背后泡沫也是肉眼可見。并且國際局勢風(fēng)云變幻和地緣政治問題明顯，卡脖子問題也日益突出。
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2納米工藝技術(shù)展開全球競爭，2納米工藝最快2025年量產(chǎn)
臺積電宣布，首次推出N2(2納米)工藝技術(shù)，預(yù)計2025年量產(chǎn)。這也是臺積電首次使用納米片晶體管結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)。業(yè)內(nèi)人士表示，工藝技術(shù)節(jié)點越小，往往芯片性能越高。但極高的技術(shù)門檻和資金門檻讓眾多半導(dǎo)體企業(yè)望而卻步。三星電子和英特爾是臺積電最為有力的競爭者。
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傳動軸材料及工藝選用思考
摘要:傳動連接軸在機械行業(yè)應(yīng)用廣泛,在傳動軸的制造過程中,由于其會受到交變力的作用,且在傳動過程中傳動件和執(zhí)行動作的零件表面會多次摩擦受力,一般要求軸零件不僅要有較強的表面硬度和強度,同時還要有較好的韌性。一般軸類的設(shè)計,綜合考慮經(jīng)濟性和加工難度,選用中碳鋼調(diào)質(zhì)到30~45HRC的加工方式,以達到表面較硬、芯部強度較好和韌性良好的要求。但在一個彈簧操作機構(gòu)傳動軸的設(shè)計中發(fā)現(xiàn)采用中碳鋼加上調(diào)質(zhì)的模式無法實現(xiàn)有效傳動,會出現(xiàn)零件失效?，F(xiàn)對此零件三次設(shè)計選用的材料和加工工藝基于實驗結(jié)果進行對比分析,希望可以拋磚引玉,給大家提供一個針對軸類零件設(shè)計的新思路。
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大幅提速降功，臺積電將于2025年實現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)！
據(jù)悉，臺積電相關(guān)人員稱在相關(guān)先進工藝方面的未來規(guī)劃，預(yù)計于2025年實現(xiàn)批量制造生產(chǎn)N2(2nm)芯片，將采用納米片晶體管架構(gòu)，支持Chiplet等技術(shù)。
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刻蝕是什么？刻蝕最簡單最常用分類
刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。
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4納米工藝？國內(nèi)不少手機廠商開始爭搶新款驍龍8+的首批產(chǎn)品
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預(yù)告了這種可能性，表示其下一個Snapdragon智能手表芯片 “即將推出”。
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美國準備復(fù)活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍
在先進芯片工藝上，美國廠商也落后于臺積電、三星了，這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm、5nm及3nm遙遙領(lǐng)先，然而美國還有更多的計劃，并不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準備逆行，復(fù)活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。
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4納米工藝加持？高通智能表處理器性能和功耗能否兼得 ？
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預(yù)告了這種可能性，表示其下一個Snapdragon智能手表芯片 “即將推出”。
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驍龍8Gen2芯片將依舊采用臺積電4nm：超大核可能是ARMCortexX系列
這兩天小米12S系列的上市，意味著打開了驍龍8+市場的大門，換用臺積電4nm的驍龍8+使得小米12S綜合能力得到不少增強，不僅性能上升級，更重要是帶來了功耗的大幅降低。
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為滿足射頻集成電路設(shè)計需求：射頻性能、頻譜、波長和帶寬等參數(shù)計算工具應(yīng)運而生！
6月26日消息，新思科技(Synopsys)近日推出面向臺積公司N6RF工藝的全新射頻設(shè)計流程，以滿足日益復(fù)雜的射頻集成電路設(shè)計需求。
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