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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊
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一種基于UCC28600準諧振反激式開關電源的方案
本文提出了一種基于UCC28600控制器的準諧振反激式開關電源的設計方案，該方案分析了準諧振反激式開關電源的工作原理及實現(xiàn)方式，給出了電路及參數(shù)設計和選擇過程，以及實際
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一種雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的設計
引言 現(xiàn)在世界資源短缺，各國政府及社會各界越來越要求節(jié)能降耗。中國政府也正秉持這一國際化趨勢的理念在不斷邁進，這一趨勢在未來幾年還會加速，這勢必為響應這一國際
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電源設計十日談 | 第六日：開關損耗和傳導損耗測試
電源設計人員的需求正變得越來越高，他們面臨著巨大的壓力，需要改善效率，降低成本，縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。電源設計是一項復雜的工作，這一過程有許多校驗點。在電源設計系列專題中，我們將向您介紹10個設
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MOSFET開關損耗分析
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優(yōu)化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據(jù)。
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Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負載開關損耗
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產(chǎn)
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Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結技術的新款500V高壓MOSFET
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適
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IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關
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Vishay推出新款超快二極管 優(yōu)化系統(tǒng)開關損耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應用，具有極快的和軟恢復
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Vishay新款超快二極管 優(yōu)化開關損耗
Vishay 發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應用，具有極快的和軟恢復的時間，以及低正向壓降和反向峰值電流，可減少太陽能逆變器、UPS、電動汽車和混合動
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Vishay推出新款超快二極管 優(yōu)化系統(tǒng)開關損耗
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應用，具有極快的和軟恢復的時間，以及
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CEATEC 2012羅姆:開關損耗降低85% SiC功率半導體助建節(jié)能社會
21ic訊 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召開，本屆CEATEC主題重點關注：Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會的創(chuàng)造當今世界隨著個人生活、商務、行業(yè)、社會系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡技術活用已在逐步孕育構筑高效的智能社
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零待機功耗設計方案
在2011 IIC-China上，PI公司展示了兩款零待機功耗解決方案，其中一款是基于其集成離線式開關IC - LinkZero-AX的零待機功耗方案，吸引了很多整機設計工程師。我們都知道，電子產(chǎn)品在待機時一般都是主電源不工作，而輔
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降低外置電源的能量消耗的方法
節(jié)能設計正在席卷整個電子行業(yè)。電子設備的廣泛使用對電網(wǎng)的壓力越來越大，因此節(jié)能就顯得非常有必要了?！ ≌畽C構和公用事業(yè)公司提出了一系列的法規(guī)和措施，來鼓勵工程師開發(fā)效率更高的產(chǎn)品，尤其是在使用外置電
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降低外置電源的能量消耗的方法
節(jié)能設計正在席卷整個電子行業(yè)。電子設備的廣泛使用對電網(wǎng)的壓力越來越大，因此節(jié)能就顯得非常有必要了。 政府機構和公用事業(yè)公司提出了一系列的法規(guī)和措施，來鼓勵工程師開發(fā)效率更高的產(chǎn)品，尤其是在使用外置電
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諧振電路升壓轉換器可降低超便攜式應用開關損耗
最近，為了降低無源元件的尺寸并獲得快速動態(tài)響應，驅動頻率已被提高至MHz的數(shù)量級。但驅動頻率越高，開關損耗就越大。隨著開關頻率不斷增加，MOSFET的開關損耗將超過導通損耗。特別是由于功率器件是在最高電壓電流條
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諧振電路升壓轉換器可降低超便攜式應用開關損耗
最近，為了降低無源元件的尺寸并獲得快速動態(tài)響應，驅動頻率已被提高至MHz的數(shù)量級。但驅動頻率越高，開關損耗就越大。隨著開關頻率不斷增加，MOSFET的開關損耗將超過導通損耗。特別是由于功率器件是在最高電壓電流條
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降低開關電源開關損耗的原理
基于電感的開關電源（SM-PS）包含一個功率開關，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關電源設計選擇MOSFET作開關（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。MOSFET完全打開時的導通電阻（
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計算大功率電源中MOSFET的功率耗散
中心議題： 計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設定輸入電壓范圍 改變開關頻率 也許便攜式電源設計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
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開關電源的開關損耗
基于電感的開關電源（SM-PS）包含一個功率開關，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關電源設計選擇MOSFET作開關（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。 MOSFET完全打開時的導
