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諧振電路升壓轉(zhuǎn)換器可降低超便攜式應(yīng)用開關(guān)損耗
最近，為了降低無源元件的尺寸并獲得快速動態(tài)響應(yīng)，驅(qū)動頻率已被提高至MHz的數(shù)量級。但驅(qū)動頻率越高，開關(guān)損耗就越大。隨著開關(guān)頻率不斷增加，MOSFET的開關(guān)損耗將超過導通損耗。特別是由于功率器件是在最高電壓電流條
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降低開關(guān)電源開關(guān)損耗的原理
基于電感的開關(guān)電源（SM-PS）包含一個功率開關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計選擇MOSFET作開關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。MOSFET完全打開時的導通電阻（
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計算大功率電源中MOSFET的功率耗散
中心議題： 計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設(shè)定輸入電壓范圍 改變開關(guān)頻率 也許便攜式電源設(shè)計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
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開關(guān)電源的開關(guān)損耗
基于電感的開關(guān)電源（SM-PS）包含一個功率開關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計選擇MOSFET作開關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。 MOSFET完全打開時的導
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Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅(qū)動器通?？商峁?4A 的驅(qū)動電流，使其
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Diodes 40V 閘極驅(qū)動器減少 IGBT 開關(guān)損耗
21ic訊 Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅(qū)動器通?？商峁?4A 的驅(qū)動電
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FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
摘要：詳細分析了SVPWM的原理，介紹一種根據(jù)負載的功率因子來決定電壓空間零矢量的分配與作用時間的SVPWM算法，使得橋臂開關(guān)在通過其電流最大時的一段連續(xù)時間內(nèi)沒有開關(guān)動作。這樣在提高開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電
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FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
摘要：詳細分析了SVPWM的原理，介紹一種根據(jù)負載的功率因子來決定電壓空間零矢量的分配與作用時間的SVPWM算法，使得橋臂開關(guān)在通過其電流最大時的一段連續(xù)時間內(nèi)沒有開關(guān)動作。這樣在提高開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電
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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導和開關(guān)損耗
本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢。
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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導和開關(guān)損耗
本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢。
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關(guān)電源設(shè)計中，效率是一個關(guān)鍵性的參
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基于XC866的直流無刷電機簡易正弦波控制
前言 隨著控制技術(shù)的發(fā)展以及社會對節(jié)能要求的提高，直流無刷電機作為一種新型、高效率的電機得到了廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的直流無刷電機采用方波控制方式，控制簡單，容易實現(xiàn)，同時存在轉(zhuǎn)矩脈動、換相噪聲等問題，在
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如何降低外置電源的能量消耗
節(jié)能設(shè)計正在席卷整個電子行業(yè)。電子設(shè)備的廣泛使用對電網(wǎng)的壓力越來越大，因此節(jié)能就顯得非常有必要了?！ ≌畽C構(gòu)和公用事業(yè)公司提出了一系列的法規(guī)和措施，來鼓勵工程師開發(fā)效率更高的產(chǎn)品，尤其是在使用外置
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如何降低外置電源的能量消耗
節(jié)能設(shè)計正在席卷整個電子行業(yè)。電子設(shè)備的廣泛使用對電網(wǎng)的壓力越來越大，因此節(jié)能就顯得非常有必要了。 政府機構(gòu)和公用事業(yè)公司提出了一系列的法規(guī)和措施，來鼓勵工程師開發(fā)效率更高的產(chǎn)品，尤其是在使用外置
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第三代高速600V和1200V IGBT（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標桿，并可滿足開關(guān)頻率高達100 kHz的應(yīng)用需
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利用低端柵極驅(qū)動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)
低端柵極驅(qū)動器IC是專用放大器，普遍用于電源設(shè)計中，根據(jù)來自PWM控制器的輸入信號開關(guān)接地參考MOSFET和 IGBT。對于低于100~200W的低功率轉(zhuǎn)換器，這些驅(qū)動器可以成功地集成到PWM控制器中以減少元件數(shù)，只要滿足
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。
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嵌入式設(shè)計技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用
嵌入式設(shè)計技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用
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