
晶體管寬頻帶電壓放大器
晶體管電流放大器
晶體管電壓放大器交流電流
晶體管電壓放大器直流電流
晶體管電壓放大器
本文將介紹的是一款實(shí)用性較強(qiáng)的電平轉(zhuǎn)換電路,可以將輸入時(shí)鐘調(diào)節(jié)為適應(yīng)正、負(fù)電壓電平。該電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2.用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低
在穩(wěn)定狀態(tài)左晶體管導(dǎo)通,而右晶體管截止。輸入負(fù)脈沖使左晶體管截止,右晶體管導(dǎo)通。隔一定時(shí)間反又恢復(fù)到原來(lái)狀態(tài)。這段時(shí)間即準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)時(shí)間決定于電容C和充放電電阻R的
插槽兼容型繼電器驅(qū)動(dòng)器可降低功耗、成本與板級(jí)空間日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,該款驅(qū)動(dòng)器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標(biāo)
一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誕生于上世紀(jì)70年代,當(dāng)時(shí)主要受兩大因素驅(qū)動(dòng):一是為計(jì)算機(jī)行業(yè)提供更符合成本效益的存儲(chǔ)器;二是為滿足企業(yè)開(kāi)發(fā)具備特定功能的新產(chǎn)品而快速生產(chǎn)的專用集成電路。 到了80年
采用晶體管作為消音管的二級(jí)電路
晶體管錄音信號(hào)放大電路
可能說(shuō)起應(yīng)用材料公司,我們還不熟悉。但是我們形影不離的手機(jī)、平板等這些電子設(shè)備中絕大多數(shù)的電子元件、芯片都是用他們的機(jī)器生產(chǎn)出來(lái)的。“我們的設(shè)備所生產(chǎn)的產(chǎn)品正在改變世界,我們更像是幕后英雄。&rdqu
該電路晶體管采用單邊乙類放大工作方式。利用電位器R3可以調(diào)整晶體管的放大倍數(shù)。如果負(fù)載部分包括無(wú)功分量,則必須考慮到相應(yīng)的頻率變化量。 主要技術(shù)數(shù)據(jù):電池電
H橋是一種以用戶定義方式驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的經(jīng)典電路,如正/反方向或通過(guò)四個(gè)分立/集成開(kāi)關(guān)或機(jī)電繼電器的PWM輔助控制的RPM。它廣泛應(yīng)用于機(jī)器與功率電子中。本設(shè)計(jì)實(shí)例是該技術(shù)
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
【導(dǎo)讀】納米線晶體管可探測(cè)神經(jīng)元信號(hào) 美國(guó)哈佛大學(xué)化學(xué)家Charles M. Lieber和同事們結(jié)合了最新的納米技術(shù)和神經(jīng)科學(xué)研究發(fā)現(xiàn),利用硅納米線可探測(cè)、刺激和抑制哺乳動(dòng)物神經(jīng)軸突和樹(shù)突發(fā)出的神經(jīng)信號(hào)。這項(xiàng)
【導(dǎo)讀】NVIDIA 核心集成多達(dá)5億個(gè)晶體管 目前關(guān)于NVIDIA新一代Geforce 8系列顯卡以及G80顯示核心的消息并不多。下一代旗艦級(jí)產(chǎn)品G80已經(jīng)順利出樣,但具體發(fā)布日期尚未確定。 有消息指出,G80的推出日
【導(dǎo)讀】350億晶體管的SoC能否測(cè)試? 近日,在法國(guó)南部尼斯市舉行的“DATE 2007(Design, Automation and Test in Europe 2007”的學(xué)術(shù)分會(huì)上,關(guān)于測(cè)試及故障診斷的精彩演講接連不斷。其中,以測(cè)試范疇的
【導(dǎo)讀】模擬芯片,晶體管需求回升,價(jià)格趨穩(wěn),銷售水平,很遠(yuǎn) 雖然全球模擬半導(dǎo)體與晶體管市場(chǎng)形勢(shì)趨于穩(wěn)定,需求上升而且價(jià)格下降速度放緩,但距離真正的產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇仍很遙遠(yuǎn)。 據(jù)iSuppli公司,雖然全球模擬半
【導(dǎo)讀】臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布,開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來(lái)電子設(shè)備更輕薄. 臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布,開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件,由于可容納晶