晶體管
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晶體管錄音信號放大電路
晶體管錄音信號放大電路
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應用材料公司EnduraVolta使導線技術(shù)獲新突破
可能說起應用材料公司，我們還不熟悉。但是我們形影不離的手機、平板等這些電子設(shè)備中絕大多數(shù)的電子元件、芯片都是用他們的機器生產(chǎn)出來的。“我們的設(shè)備所生產(chǎn)的產(chǎn)品正在改變世界，我們更像是幕后英雄。&rdqu
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直流12v變換器工作原理電路圖
該電路晶體管采用單邊乙類放大工作方式。利用電位器R3可以調(diào)整晶體管的放大倍數(shù)。如果負載部分包括無功分量，則必須考慮到相應的頻率變化量?！ ≈饕夹g(shù)數(shù)據(jù)：電池電
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H橋為LED照明鋪新路
H橋是一種以用戶定義方式驅(qū)動直流電機的經(jīng)典電路，如正/反方向或通過四個分立/集成開關(guān)或機電繼電器的PWM輔助控制的RPM。它廣泛應用于機器與功率電子中。本設(shè)計實例是該技術(shù)
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一款單節(jié)晶體管性能測試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示，被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導通時，三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時S1
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納米線晶體管可探測神經(jīng)元信號
【導讀】納米線晶體管可探測神經(jīng)元信號 美國哈佛大學化學家Charles M. Lieber和同事們結(jié)合了最新的納米技術(shù)和神經(jīng)科學研究發(fā)現(xiàn)，利用硅納米線可探測、刺激和抑制哺乳動物神經(jīng)軸突和樹突發(fā)出的神經(jīng)信號。這項
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NVIDIA 核心集成多達5億個晶體管
【導讀】NVIDIA 核心集成多達5億個晶體管 目前關(guān)于NVIDIA新一代Geforce 8系列顯卡以及G80顯示核心的消息并不多。下一代旗艦級產(chǎn)品G80已經(jīng)順利出樣，但具體發(fā)布日期尚未確定。 有消息指出，G80的推出日
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350億晶體管的SoC能否測試？
【導讀】350億晶體管的SoC能否測試？ 近日，在法國南部尼斯市舉行的“DATE 2007（Design， Automation and Test in Europe 2007”的學術(shù)分會上，關(guān)于測試及故障診斷的精彩演講接連不斷。其中，以測試范疇的
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模擬芯片與晶體管需求回升，價格趨穩(wěn) 但距離下滑前的銷售水平仍然很遠
【導讀】模擬芯片，晶體管需求回升，價格趨穩(wěn)，銷售水平，很遠 雖然全球模擬半導體與晶體管市場形勢趨于穩(wěn)定，需求上升而且價格下降速度放緩，但距離真正的產(chǎn)業(yè)復蘇仍很遙遠。 據(jù)iSuppli公司，雖然全球模擬半
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臺灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄
【導讀】臺灣科研機構(gòu)今天宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍，這可使未來電子設(shè)備更輕薄. 臺灣科研機構(gòu)今天宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶
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臺灣研制出最新芯片 筆記本重量減至500克
【導讀】12月17日消息，據(jù)研究人員和分析人士17日稱，位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。 12月17日消息，據(jù)研究人員和分析人士17日稱，位于臺灣新竹北部的“
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美韓科學家制成世界上首個分子晶體管
【導讀】美國耶魯大學23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學技術(shù)研究院科學家最近合作制成世界上首個分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個苯分子。 美國耶魯大學23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學技術(shù)
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富士通：可在任何材料表面生產(chǎn)電源供應晶體管
【導讀】不久前，科技大廠富士通發(fā)表了一項非常特別的半導體生產(chǎn)技術(shù)，這項技術(shù)幾乎可以在任何材料表面上生產(chǎn)電源供應晶體管（power-supply transistors），包含傳統(tǒng)的硅晶圓、玻璃，甚至是銅片上。 不久前，科技
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爾必達瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功
【導讀】日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公
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功耗為硅的十萬分之一？瑞士開發(fā)新半導體材料“輝鉬礦”
【導讀】有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并
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臺積電:暫不采用3D晶體管技術(shù)
【導讀】分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多被高增長的智能手機市場拒之門外。 摘要： 分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多
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三柵極3D晶體管，無法左右英特爾ARM之爭
【導讀】。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌。現(xiàn)在最有趣的一對是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評論文章。 摘要： 。英
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應用材料公司完成對維利安半導體設(shè)備有限公司的收購
【導讀】近日，應用材料公司宣布已成功完成對維利安半導體設(shè)備有限公司的收購。此次收購使應用材料公司獲得了維利安公司市場領(lǐng)先的離子注入技術(shù)，進一步拓寬了其廣泛的產(chǎn)品組合，并為其帶來每年近15億美元的市場機遇
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先進移動平臺用戶采用Soitec全耗盡(Fully Depleted)技術(shù)
【導讀】日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無線平臺和半導體領(lǐng)軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)開發(fā)設(shè)計其下一代移動處理器。 ， 摘要： 日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無線平臺和半
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知名半導體廠商3D工藝眾生相：掀半導體業(yè)模式風暴
【導讀】2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開始全球銷售。 摘要： 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計，最小線寬為
