晶體管
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什么是IGBT？IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點，具有良好的特性，應用領域很廣泛
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MOSFET驅(qū)動器在各種電子電路中的應用
MOSFET驅(qū)動器是一種電子設備，用于控制金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的開關操作。它提供所需的電壓和電流來驅(qū)動MOSFET，確保其能夠快速、準確地切換。
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功率MOSFET結(jié)構(gòu)及參數(shù)解讀！
在這篇文章中，小編將對功率MOSFET的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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英飛凌推出提升消費和工業(yè)應用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管
【2024年7月11日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢結(jié)合，它們能夠在消費類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應用中發(fā)揮出色的性能。
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列
【2024年7月9日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數(shù)字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴大CoolGaNTM的優(yōu)勢和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。
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柵極電荷測量原理圖解析，十分有料！
在這篇文章中，小編將對MOS晶體管柵極電荷測量的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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探討晶體管加偏置的理由，以及偏置大小的決定因素
在這篇文章中，小編將對晶體管偏置的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對晶體管偏置的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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運算放大器得力助將：跨越失真電源的晶體管設計
在這篇文章中，小編將對運算放大器需具備的真正跨越失真電源的晶體管設計予以介紹，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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3nm擴增三倍！臺積電成功開發(fā)CFET晶體管架構(gòu)
業(yè)內(nèi)消息，臺積電資深副總經(jīng)理暨副共同首席運營官張曉強在2024技術(shù)論壇上宣布，臺積電已成功集成不同晶體管架構(gòu)，在實驗室做出CFET（互補式場效應晶體管），臺積電今年 3nm 制程工藝將擴增三倍。
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一種高效小型化的開關電源設計
開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關晶體管開通和關斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
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抗飽和晶體管原理
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件(包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等)，它具有檢測、整流、放大、開關、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能。作為交流斷路器，晶體管可以根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。
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英飛凌推出業(yè)界首款用于電信基礎設施的寬輸入電壓熱插拔控制器XDP700-002，擴展了其XDP?數(shù)字功率保護控制器系列
【2024年4月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了業(yè)界首款-48 V寬輸入電壓數(shù)字熱插拔控制器XDP700-002，擴展了其XDP?數(shù)字功率保護控制器系列。這款控制器具有專為電信基礎設施設計的可編程安全工作區(qū)域(SOA)控制功能，以及不超過±0.7%的超低電流報告誤差，能提高系統(tǒng)故障檢測和報告的準確性。此外，該產(chǎn)品還采用升壓模式控制技術(shù)，可在非最佳SOA系統(tǒng)中更安全地開啟場效應晶體管(FET)。這一XDP?產(chǎn)品系列的新成員專為各種電信應用量身定制，包括遠程無線電頭端電源、基站配電、有源和無源天線系統(tǒng)、5G小型蜂窩基站電源，和電信 UPS 系統(tǒng)。
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恒流源電路的幾種主要形式和主要應用
恒流源電路作為電子技術(shù)中的一個重要組成部分，其穩(wěn)定性和可靠性對電路的性能和設備的運行具有至關重要的作用。隨著科技的不斷發(fā)展，恒流源電路的形式和應用領域也在不斷拓展和深化。本文將詳細探討恒流源電路的幾種主要形式及其主要應用，以期為讀者提供深入的理解和全面的認識。
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數(shù)字晶體管的作用
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)字電路已成為現(xiàn)代電子設備不可或缺的核心組成部分。在數(shù)字電路中，數(shù)字晶體管作為一種重要的開關元件，發(fā)揮著至關重要的作用。本文將詳細探討數(shù)字晶體管的基本概念、工作原理、主要類型、應用領域以及未來發(fā)展趨勢，以期對讀者深入理解數(shù)字晶體管的作用提供有益的參考。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應用，能實現(xiàn)更高能效和更佳性能
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英飛凌與安克聯(lián)合成立創(chuàng)新應用中心，攜手發(fā)力PD快充領域并推動節(jié)能減碳
【2024年1月25日，德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX /OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其與全球充電技術(shù)領域的領導者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應用中心。該創(chuàng)新應用中心全面投入運營之后，將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路，從而推動低碳化進程。
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IGBT模塊的作用是什么？
IGBT模塊在電力電子領域中扮演著重要的角色，它是一種基于絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模塊。IGBT模塊的作用是將電能進行轉(zhuǎn)換和控制，廣泛應用于電機驅(qū)動、電網(wǎng)電源、風電、光伏、電動汽車等多個領域。
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臺積電首提1nm工藝，實現(xiàn)1萬億晶體管的單個芯片封裝
業(yè)內(nèi)消息，近日臺積電在IEDM 2023會議上制定了提供包含1萬億個晶體管的芯片封裝路線，來自單個芯片封裝上的3D封裝小芯片集合，與此同時臺積電也在開發(fā)單個芯片2000億晶體管，該戰(zhàn)略和英特爾類似。
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作為“燃燈者”的芯耀輝：推動國內(nèi)高速Chiplet接口IP不斷破局
毋庸置疑的是，與“摩爾定律”緊密相關單芯片晶體管數(shù)量和工藝幾何尺寸演進正在迎來一個“奇點時刻”。與此同時，終端應用的高算力需求依然在不斷推高單芯片Die尺寸，在光罩墻的物理性制約之下，眾多芯片設計廠商在芯片工藝與良率的流片成本以及嚴苛的上市時間的平衡度上正在遭遇越來越嚴峻的挑戰(zhàn)。
