晶體管
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光電耦合器在隔離 IGBT 模塊中的應用
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領域，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)憑借其卓越的性能，如高耐壓、大電流處理能力、低導通電阻以及良好的開關(guān)速度，被廣泛應用于眾多高功率應用場景，像工業(yè)逆變器、電機驅(qū)動系統(tǒng)、開關(guān)電源、不間斷電源(UPS)等。在這些應用中，IGBT 模塊的可靠運行至關(guān)重要，而光電耦合器作為 IGBT 驅(qū)動電路中的關(guān)鍵組成部分，發(fā)揮著不可或缺的作用。
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英飛凌與零極創(chuàng)新簽署諒解備忘錄，共同開發(fā)用于輕型電動車的高性能氮化鎵（GaN）逆變器
【2025年9月9日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布與九號公司（Ninebot）旗下子公司零極創(chuàng)新科技有限公司簽署諒解備忘錄，雙方將進一步推動氮化鎵（GaN）技術(shù)在輕型電動車（LEV）領域的應用。英飛凌將提供優(yōu)質(zhì)的GaN產(chǎn)品，幫助零極創(chuàng)新基于英飛凌新一代CoolGaN? G5功率晶體管開發(fā)高性能電動兩輪車逆變器系統(tǒng)，實現(xiàn)能效和性能的雙提升。
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Nexperia將銅夾片(CFP)封裝的優(yōu)勢引入雙極性晶體管
CFP15B封裝為DPAK封裝的MJD系列提供更緊湊、更具成本效益的替代方案
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如何減少電路晶體管故障的發(fā)生？
晶體管，作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，其工作原理、分類及失效模式對于理解電子設備運行至關(guān)重要。
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高溫IC設計必懂基礎知識：高結(jié)溫帶來的5大挑戰(zhàn)
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)及汽車等領域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。本文致力于探討高溫對集成電路的影響，介紹高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn)，并提供適用于高功率的設計技術(shù)以應對這些挑戰(zhàn)。
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英飛凌推出650 V CoolGaN? G5雙向開關(guān)，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性
【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關(guān)——650 V CoolGaN? G5雙向開關(guān)（BDS）。該產(chǎn)品采用共漏極設計和雙柵極結(jié)構(gòu)，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術(shù)和CoolGaN?技術(shù)的單片雙向開關(guān)，能夠有效替代轉(zhuǎn)換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關(guān)。
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MOS 管導通條件深度解析：從原理到應用
在現(xiàn)代電子技術(shù)領域，MOS 管(金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管)作為一種關(guān)鍵的半導體器件，廣泛應用于各類電路中。從智能手機到計算機主板，從電源管理到功率放大，MOS 管都扮演著不可或缺的角色。然而，對于許多電子技術(shù)初學者甚至部分從業(yè)者來說，MOS 管的導通條件始終是一個令人困惑的問題。本文將深入探討 MOS 管的導通條件，揭開其神秘的面紗。
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了解兩級功放的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
兩級功放通常由驅(qū)動級和末級組成。驅(qū)動級的作用是將輸入信號進行初步放大，為末級功放提供足夠的激勵信號;末級功放則負責將驅(qū)動級送來的信號進一步放大，以輸出足夠的功率驅(qū)動負載。不同類型的功放，如 A 類、B 類、AB 類等，其工作原理和性能特點有所不同。例如，A 類功放的晶體管在整個信號周期內(nèi)均導通，具有良好的線性度，但效率較低;B 類功放的晶體管僅在半個信號周期內(nèi)導通，效率較高，但存在交越失真;AB 類功放則結(jié)合了 A 類和 B 類的優(yōu)點，在一定程度上兼顧了線性度和效率。了解這些基本原理，有助于在測試中分析和判斷驅(qū)動級可能出現(xiàn)的問題及其對測試結(jié)果的影響。
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英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN? 功率模塊，進一步擴大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合
【2025年5月15日, 德國慕尼黑訊】隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產(chǎn)品上市時間。
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FlexEnable FlexiOM? 有機薄膜晶體管材料榮獲 信息顯示學會頒發(fā)“2025 年度最佳顯示組件獎”
開發(fā)和生產(chǎn)用于有源光學和顯示器的柔性有機電子產(chǎn)品領先企業(yè) FlexEnable宣布，其 FlexiOM? 有機薄膜晶體管(OTFT)材料榮獲國際信息顯示學會(Society of Information Display, SID)頒發(fā)的 “2025年度最佳顯示組件獎”。該獎項旨在表彰上一年度投放市場的最佳顯示器、組件和應用。
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基于PIC18F2550，設計自己的編程工具
這是PIC編程系列的第4個教程，今天我們將制作我們自己的PICKIT 2克隆版本。因為原來的PIC套件太貴了，由于它的保護系統(tǒng)和沉重的硬件。是時候設計一個克隆PIC套件版本2了。這是一個開源項目，已經(jīng)在市場上可用。你也可以從亞馬遜的鏈接上買到。但是關(guān)于正確的引導加載程序和硬件的信息非?；靵y，沒有人在互聯(lián)網(wǎng)上給出適當?shù)男畔?。我將提供所有的硬件文件，軟件鏈接和引導程序文件在同一地方，使其更容易理解和DIY。有很多網(wǎng)站在網(wǎng)上賣這個，也有一些高級的選擇。
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貿(mào)澤與Analog Devices和 Amphenol攜手推出全新電子書 探索電動汽車和航空業(yè)未來發(fā)展
2025年4月22日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手Analog Devices, Inc. (ADI)和Amphenol推出了一本電子書，探討先進連接和半導體器件在推動航空業(yè)發(fā)展方面所發(fā)揮的主要作用。
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
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構(gòu)建一個終極多元件測試儀：診斷LED，晶體管
這個簡單但功能強大的組件測試儀可以識別和測試各種電子元件，包括LED，晶體管，電感，電容器和二極管。對于電子愛好者、學生和專業(yè)人士來說，它是一個必不可少的工具，他們需要一種快速有效的方法來診斷組件。
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開關(guān)電源的開關(guān)頻率是什么?
開關(guān)頻率其值大小就取決于調(diào)制波和載波的交點 。開關(guān)頻率越高，一個周期內(nèi)脈沖的個數(shù)就越多，電流波形的平滑性就越好，但是對其它設備的干擾也越大。在開關(guān)電源設計中，比較追求高的開關(guān)頻率，開關(guān)頻率在數(shù)百kHz至數(shù)MHz的開關(guān)電源已有使用。
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學子專區(qū)論壇 - ADALM2000實驗：可變增益放大器
大多數(shù)運算放大器(op amp)電路的增益水平是固定的。但在很多情況下，能夠改變增益會更有優(yōu)勢。一個簡單的辦法是在固定增益的運放電路輸出端連接一個電位計來調(diào)節(jié)增益。不過，有時直接改變放大器電路自身的增益可能更加有用。
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設計一個由土壤電池供電的VR視覺體驗
“拔掉資本主義，扎根現(xiàn)實”是一種虛擬現(xiàn)實體驗，由地球本身提供動力，利用土壤電池產(chǎn)生能量。當佩戴VR頭顯時，用戶經(jīng)歷了數(shù)字化轉(zhuǎn)型，成為一棵樹或一棵植物，完全沉浸在一種沒有資本主義需求的存在中。
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MOSFET和JFET在性能特點上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET的了解，和小編一起來看看吧。
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如何測量晶體管開關(guān)時間？如何測量晶體三極管？
在這篇文章中，小編將為大家?guī)砭w三極管的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管，推動全行業(yè)標準化進程
【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。
