現(xiàn)在的電源種類繁多,那么該如何選擇呢?深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個負載范圍內(nèi)提供95%的高效率,并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。
近期,氮化鎵概念在資本市場備受關(guān)注,部分個股曾出現(xiàn)連日漲停。同樣都是氮化鎵半導體技術(shù),作為國內(nèi)領(lǐng)先的電視品牌廠商,康佳開發(fā)的氮化鎵技術(shù)首先應用于光電顯示器件,而國內(nèi)大多數(shù)公司把氮化鎵用于功率器件的氮化鎵晶體管和用于通信電路的氮化鎵射頻放大器??导央娮庸こ處熃榻B,二者同為化合物半導體產(chǎn)品,一個是二極管,一個是場效應三極管,在制造工藝等方面既有相似性,也各有其特殊性。功率器件強調(diào)的是輸出能力、效率、復雜環(huán)境下的抗干擾特性等;Micro LED產(chǎn)品最大的不同在于它是發(fā)光器件的微型化,在巨大數(shù)量的情況下,保證其特性的一致性。
在所有電力電子應用中,功率密度是關(guān)鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020年2月13日,小米通過線上直播的形式,面向百萬觀眾,正式發(fā)布了小米10Pro系列手機以及部分配件產(chǎn)品。其中,小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會的一大重要亮點。 據(jù)小米首席執(zhí)行官雷軍介紹,該款
此次收購將大幅提高意法半導體在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴大其開發(fā)計劃和業(yè)務
隨著小米在2020年2月13日發(fā)布最65W氮化鎵充電器后,氮化鎵充電器又一次占領(lǐng)各大頭條熱搜榜,就連氮化鎵相關(guān)的證券板塊也波動了一番。 上一次這么火爆是2019年倍思65W 2C1A氮化鎵充電器,該產(chǎn)
一、雷軍上陣,吹響氮化鎵快充的號角 2020年2月13日,小米通過線上直播的形式,面向百萬觀眾,正式發(fā)布了小米10Pro系列手機以及部分配件產(chǎn)品。其中,小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會的一大重要亮
EPC公司將于是次展覽會展出多個演示品,為工程師闡釋具備行業(yè)領(lǐng)先性能的氮化鎵器件如何推動多個行業(yè)的功率傳輸轉(zhuǎn)型,包括運算、通信及電動汽車等行業(yè)。
2月21日消息,臺積電昨日宣布,與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。 臺積電 臺積電與意法半導體將合作加速氮化鎵(Gallium Nitrid
·加快先進功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市 ·充分利用意法半導體的汽車市場專業(yè)知識和臺積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù) ·改進寬帶隙產(chǎn)品的能效,使功率轉(zhuǎn)換應用獲得更高能效
臺積電昨日宣布,與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。
充電技術(shù)推動小米投資納微(Navitas)半導體
作為世界上最大的消費類電子技術(shù)年展以及全球最大的消費技術(shù)產(chǎn)業(yè)盛會,CES 2020于1月7日-1月10日在拉斯維加斯舉辦。就氮化鎵快充而言,上我們看到了很多熟悉的參展企業(yè),如ANKER、AUKEY、B
1月7日-1月10日,CES2020將在美國拉斯維加斯舉行,深圳市美富達電子有限公司展位設在SOUTH HALL4 35359。據(jù)了解,美富達將在本次展會中展出全系列USB PD快充產(chǎn)品,其中包括10
?EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大電流脈沖–電流可高達28A、脈寬則可低至1.2納秒,從而使得飛行時間及flash激光雷達系統(tǒng)更準確、更精確及更快速。
GTC為業(yè)界領(lǐng)先的高頻驅(qū)動設計和制造廠商,其半橋驅(qū)動芯片GT7753以其在高頻驅(qū)動的優(yōu)越表現(xiàn),在工業(yè)和軍工產(chǎn)品中被廣泛應用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降壓IC和EPC第三代半導體EPC204
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。
Navitas Semiconductor近日宣布與Baseus合作推出采用GaNFast(氮化鎵)功率IC技術(shù)的65W“2C1A”三口移動充電器,該充電器集全球最小、最輕、便攜性于一體。
Navitas 納微半導體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學會(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動的手機快速充電器。
硅技術(shù)正在接近其極限,但應用市場仍然需要更快、需高效的電路。半導體行業(yè)不得不從材料入手,氮化鎵就是一種被譽為第三代半導體未來的明星材料。對氮化鎵的研究早在多年前就已開始,氮化鎵是一種寬禁帶材料,它的帶