2月21日消息，臺積電昨日宣布，與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。

臺積電

臺積電與意法半導體將合作加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。透過此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化鎵制程技術來生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。

氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導體，氮化鎵能夠提供顯著的優(yōu)勢來支援功率應用，這些優(yōu)勢包括在更高功率獲取更大的節(jié)能效益，以致寄生功耗大幅降低；氮化鎵技術也容許更多精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀。此外，相較于硅基元件，氮化鎵元件切換速度增快達10倍，同時可以在更高的最高溫度下運作，這些強大的材料本質(zhì)特性讓氮化鎵廣泛適用于具備100伏與650伏兩種電壓范疇之持續(xù)成長的汽車、工業(yè)、電信、以及特定消費性電子應用產(chǎn)品。

具體而言，相較于硅技術，功率氮化鎵及氮化鎵積體電路產(chǎn)品，在相同制程上具備更優(yōu)異的效益，能夠協(xié)助意法半導體提供中功率與高功率應用所需的解決方案，包括應用于油電混合車的轉(zhuǎn)換器與充電器。功率氮化鎵及氮化鎵積體電路技術將協(xié)助消費型與商用型汽車朝向電氣化的大趨勢加速前進。

意法半導體汽車產(chǎn)品和分立器件部總裁Marco Monti表示，此項合作補足了我們在法國圖爾地區(qū)以及與電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)合作所從事的既有功率氮化鎵活動。對于功率、智慧型功率電子、以及制程技術而言，氮化鎵代表下一個重大的創(chuàng)新。

臺積電業(yè)務開發(fā)副總經(jīng)理張曉強博士表示，我們期待和意法半導體合作把氮化鎵功率電子的應用帶進工業(yè)與汽車功率轉(zhuǎn)換。臺積電氮化鎵制造專業(yè)結合意法半導體的產(chǎn)品設計與汽車級驗證能力，將大幅提升節(jié)能效益，支援工業(yè)及汽車功率轉(zhuǎn)換之應用，讓它們更環(huán)保，并且協(xié)助加速汽車電氣化。

意法半導體預計今年稍晚將提供功率氮化鎵分離式元件的首批樣品給其主要客戶，并于之后數(shù)個月內(nèi)提供氮化鎵集成電路產(chǎn)品。

意法半導體簡介

意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。

意法半導體有約7,800 名研發(fā)和產(chǎn)品設計人員， 約18,500 項專利，約 9,600個同族專利 和約 590項新專利申請（2019年）。意法半導體為智能駕駛，智能工廠，智慧家居與城市和智能產(chǎn)品提供關鍵解決方案

意法半導體公司總部：瑞士日內(nèi)瓦；總裁兼首席執(zhí)行官：Jean-Marc Chery；2019年收入： 95.6億美元。

意法半導體擁有許多芯片制造工藝，包括FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）、CMOS（互補金屬氧化物半導體）、差異化影像技術、RF-SOI (射頻絕緣層上硅)、Bi-CMOS、BCD (Bipolar, CMOS, DMOS)，Silicon Carbide（碳化硅）、 VIPower和MEMS技術。

意法半導體擁有自有的制造設施并在研發(fā)中心附近建廠的經(jīng)營理念，在全球建立了前后工序制造網(wǎng)絡（前工序指晶圓制造，后工序指芯片封裝測試），主要晶圓廠位于意大利的Agrate Brianza和Catania，法國的Crolles、Rousset和 Tours以及新加坡，配套封裝測試廠位于中國、馬來西亞、馬爾它、摩洛哥、菲律賓和新加坡。

臺積電簡介

臺積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導體制造廠，客戶包括蘋果、高通、華為等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業(yè)園區(qū)。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為TSM。